重磅两连发！长江存储将宣布第二代Xtacking 3D NAND架构 - Military版

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f***y
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集微网消息，紫光集团旗下长江存储科技有限责任公司（以下简称“长江存储”）今日
宣布，将在其第三代3D NAND闪存中应用Xtacking®2.0，相关技术概念将在即将举
办的IC China 2019上进行介绍。这是今天长江存储宣布中国首款64层3D NAND闪存首次
亮相之后，发布的另一重磅消息。
Xtacking®是长江存储在去年FMS（闪存技术峰会）首次公开的3D NAND架构，荣获
当年“Best of Show”奖项。其独特之处在于，采用Xtacking®，可在一片晶圆上
独立加工负责数据I/O及记忆单元操作的外围电路。这样的加工方式有利于选择合适的
先进逻辑工艺，以让NAND获取更高的I/O接口速度及更多的操作功能。存储单元同样也
将在另一片晶圆上被独立加工。当两片晶圆各自完工后，创新的Xtacking®技术只
需一个处理步骤就可通过数十亿根金属VIA(Vertical Interconnect Accesses，垂直互
联通道)将二者键合接通电路，带来更快的I/O传输速度、更高的存储密度和更短的产品
上市周期，而且只增加了有限的成本。
在传统3D NAND架构中，外围电路约占芯片面积的20~30%，降低了芯片的存储密度。随
着3D NAND技术堆叠到128层甚至更高，外围电路可能会占到芯片整体面积的50%以上。
而长江存储的Xtacking®技术将外围电路置于存储单元之上，外围电路和存储单元
是2片晶圆，2颗裸芯片的大小是一样的，这就意味着其CMOS可用面积远大于其他传统3D
NAND架构，从而实现更高的存储密度，节省出来的CMOS部分，除了控制电路，也为引
入NAND外围电路的创新功能以实现NAND闪存的定制化提供了无限可能。
长江存储64层3D NAND闪存就是全球首款基于Xtacking®架构设计并实现量产的闪
存产品，拥有同代产品中最高的存储密度。根据先前的资料，目前世界上最快的3D
NAND的I/O速度目标值是1.4Gbps，大多数NAND供应商仅能供应1.0Gbps或更低的速度。
而利用Xtacking®技术，有望大幅提升NAND的I/O速度到3.0Gbps，提升三倍左右。
Xtacking®技术的研发成功和64层3D NAND闪存的批量生产标志着长江存储已成功
走出了一条高端芯片设计制造的创新之路。
据悉，今天官宣的Xtacking®2.0将充分利用Xtacking®架构优势，通过进一
步提升NAND吞吐速率、提升系统级存储的综合性能、开启定制化NAND全新商业模式等方
面的改进为客户带来更多价值。未来搭载Xtacking® 2.0技术的长江存储第三代产
品将被广泛应用于数据中心，企业级服务器、个人电脑和移动设备等领域，并将开启高
性能、定制化NAND解决方案的全新篇章。
长江存储表示，相比上一代技术，Xtacking®2.0的开发工作更需要与客户、行业
合作伙伴和行业标准机构的紧密合作。
https://laoyaoba.com/newinfo?id=727467

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