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Military版 - 福建晋华果然又是被台巴害了ZT
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g**1
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晋华的最大败笔是把研发中心设在境外?
科工力量
欢迎关注“科工力量”微博、微信公众号昨天 08:34
前不久,镁光起诉晋华侵权的诉讼已遭美国联邦法院驳回,理由是晋华的产品并没有在
美国销售,即使晋华有侵权的事实,美法院也没有管辖权。
不过即便如此,镁光也可以再补强证据,继续起诉,把诉讼周期拉长。另外,本次被驳
回的侵权起诉和美国司法部出面指控福建晋华、联电非法取得 DRAM 存储技术并非同一
个案件,也就是说,即便美国联邦法院驳回起诉,也不意味着晋华就此脱困。
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对于本次事件,有业内人士分析,晋华最大的败笔就是在技术上过于依赖联电,以及没
有把研发中心设在境内。
联电和镁光之间最初只是商业纠纷
近年来,在中国大陆企业力图收购或入股镁光、SK海力士、闪迪/西部数据未能如愿之
后,中国大陆企业放弃了直接收购的计划,选择了高薪挖人的方式,直接以2倍、3倍、
4倍的薪酬从境外公司挖人。
镁光在中国台湾的合资公司华亚科等企业则是重点挖人对象之一,据媒体报道,已经有
数百名员工跳槽到中国大陆的长江存储、合肥睿力等企业。
根据镁光公司公布的资料,一位跳槽的员工通过闪存盘盗取了公司的技术资料,然后交
给了新东家联华电子公司的高管,属于“带枪叛逃”。随即镁光在去年2月和9月分别在
中国台湾和美国对联电提起诉讼。
由于晋华在存储芯片上缺乏技术积累,选择了与联电合作的技术引进道路,由晋华出资
,委托联电开发 DRAM 相关技术。根据中国台湾“地检署”公布的资料,晋华提供三亿
美元资金采购研发设备,并依进度陆续支付联电四亿美元,开发出的技术成果双方共有
,整体技术完成后,再转移到晋华进行量产。
由于晋华和联电的这种关系,使镁光和联电的纠纷波及到晋华。随后,联电和晋华在大
陆对镁光发起了诉讼,联电和晋华认为,包括镁光MX500系列的2TB、1TB、500GB、
250GB 2.5英寸的固态硬盘的数款产品存在侵权行为。
到这个阶段为止联电、晋华和镁光的矛盾还处于商业纠纷的阶段,并没有被政治化。
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晋华是为联电挡枪
真正把镁光逼急了的是福州中院的一个裁定——福州市中级人民法院做出了一个非常有
智慧的裁定,要求镁光立即停止销售、进口十余款英睿达固态硬盘、内存条及相关芯片
,并删除其网站中关于上述产品的宣传广告、购买链接等信息。
这里说明一下,裁定仅用于解决程序性问题,也就是说,法院并没有认定镁光的数款产
品存在侵权行为。该裁定只是为了防止在诉讼审理期间,镁光在中国内地销售产品、开
展业务的活动可能会对联电和晋华造成的利益损失。
但这种裁定虽然没有就实体部门做出任何裁决,但起到的作用和镁光败诉的效果没两样
,这就使镁光非常难受。因此,镁光游说美国相关部门,要求美国政府出面施加压力,
也是情理之中。
接着,晋华就被制裁了。根据美国商务部公开的资料,之所以制裁晋华,主要是因为晋
华“涉嫌参与违反美国国家安全利益的活动,构成了重大风险”,至于证据什么的一概
没提。可以说,原本一起商业纠纷,被一些人利用之后过度政治化,这就是晋华被制裁
的原因之一。
从整个过程来看,本次晋华实际上是给联电挡枪。
因为与镁光存在知识产权纠纷的是联电,而不是晋华。晋华只不过是出钱委托联电研发
技术,然后通过技术转让的方式,获得联电研发的技术成果,联电在研发DRAM技术过程
中,是否存在侵犯知识产权的情况,这与晋华无关。
即便镁光和联电存在知识产权纠纷,那也应该由镁光和联电这对当事人之间解决,不应
该由案外第三人晋华来承担负面后果。在整个事件中,即便要找责任承担者,也应该是
联电,而不是晋华,晋华只不过找合作伙伴的时候遇人不淑,纯属躺着中枪。
正是因此,工信部部长苗圩在1月29日表示,去年10月份以后,美国商务部泛化了国家
安全的概念,滥用出口管制措施,以所谓“可能使用了来自美国的技术,威胁到了美国
的军事系统基本供应商的长期生存能力”为由,用“可能使用了”、“可能威胁到了”
等理由,对福建一家还在建设过程当中、产品还没有量产的企业实施了出口管制,“我
们认为是站不住脚的”。
技术依赖联电 研发中心设在境外成为败笔
目前,长江存储、福建晋华、合肥长鑫是中国存储芯片的三驾马车。其中,以长江存储
的表现最好。此前,紫光集团董事长赵伟国就表示,2019年量产64层128Gb的3D NAND,
并同步研发128层256Gb的3D NAND。
紫光之所以能够做得比较好,就是因为从一开始就坚持走自主技术的路线,一方面整合
了国内武汉新芯和西安华芯这些有一定基础的内资企业,同时大肆从海外挖人,比如高
薪聘请了在中国台湾有“存储教父”之称的高启全。在整合海内外力量之后,形成了自
己的研发能力和研发队伍,因而可以避开海外大厂的专利。
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高启全
此外,长江存储还依靠自己的力量研发出了64层的3D NAND,得益于Xtacking技术。这
项技术可以使产品开发时间缩短三个月,生产周期可缩短20%,NAND I/O速度大幅提升
到3.0Gbps,比传统3D NAND拥有更高的存储密度。这使得紫光的64层的3D NAND性能可
以接近国际大厂的96层3D NAND。
这与晋华在技术上高度依赖联电形成鲜明对比——在晋华被制裁之后,联电马上撤出了
上百名技术骨干,直接导致晋华研发工资停摆。
把研发中心设置在境外,也是晋华的一大败笔。因为如果把研发中心放在中国大陆,那
么,国外大厂要调查取证会比较麻烦,而晋华和联电合作的研发中心恰恰设在台湾地区
的南科厂区,这让镁光很容易狙击联电和晋华。
既然如此,那么为何当初晋华和联电不把研发中心放在境内?
首先,台商不愿意。一直以来,台商在与大陆厂商技术合作中都是非常保守的,在技术
上可谓严防死守。
其次,研发中心放台湾也更省钱。因为办公大楼、研发设备、研发人员全部迁移到中国
大陆,是一笔不小的开支,特别是如今中国大陆一线大城市房价、地价节节、生活成本
攀升的情况下,研发中心放在中国大陆,成本优势已经没有了,反而还要额外支付一笔
搬迁费用。
而在整个过程中,晋华是纯资本,缺乏一个有经验的技术团队,因而即便资料全部给过
来,晋华也消化不了,而联电才是项目研发的实际主导者,话语权掌握在联电手里,对
于联电来说,无论从经济性,还是从技术保密性的角度看,放在台湾地区的南科厂区,
显然对自己更有利。
(文/ 铁流)
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