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Military版 - 长江存储全新3D NAND架构:XtackingTM
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相关话题的讨论汇总
话题: nand话题: 3d话题: xtackingtm话题: 电路话题: 存储
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f***y
发帖数: 4447
1
中国,武汉, 北京时间2018年8月7日,作为NAND行业的新晋者,长江存储科技有限责
任公司(以下简称:长江存储)今天公开发布其突破性技术——XtackingTM。该技术将
为3D NAND闪存带来前所未有的I/O高性能,更高的存储密度,以及更短的产品上市周期。
采用XtackingTM,可在一片晶圆上独立加工负责数据I/O及记忆单元操作的外围电路。
这样的加工方式有利于选择合适的先进逻辑工艺,以让NAND获取更高的I/O接口速度及
更多的操作功能。存储单元同样也将在另一片晶圆上被独立加工。当两片晶圆各自完工
后,创新的XtackingTM技术只需一个处理步骤就可通过数百万根金属VIA(Vertical
Interconnect Accesses,垂直互联通道)将二者键合接通电路,而且只增加了有限的成
本。
闪存和固态硬盘领域的知名市场研究公司Forward Insights创始人兼首席分析师
Gregory Wong认为:"随着3D NAND更新换代,在单颗NAND芯片存储容量大幅提升后,要
维持或提升相同容量SSD的性能将会越来越困难。若要推动SSD性能继续提升,更快的
NAND I/O速度及多plane并行操作功能将是必须的。"
长江存储CEO杨士宁博士表示:"目前,世界上最快的3D NAND I/O速度的目标值是1.
4Gbps,而大多数NAND供应商仅能供应1.0 Gbps或更低的速度。利用XtackingTM技术我
们有望大幅提升NAND I/O速度到3.0Gbps,与DRAM DDR4的I/O速度相当。这对NAND行业
来讲将是颠覆性的。"
传统3D NAND架构中,外围电路约占芯片面积的20~30%,降低了芯片的存储密度。随着
3D NAND技术堆叠到128层甚至更高,外围电路可能会占到芯片整体面积的50%以上。
XtackingTM技术将外围电路置于存储单元之上,从而实现比传统3D NAND更高的存储密
度。
XtackingTM技术充分利用存储单元和外围电路的独立加工优势,实现了并行的、模块化
的产品设计及制造,产品开发时间可缩短三个月,生产周期可缩短20%,从而大幅缩短
3D NAND产品的上市时间。此外,这种模块化的方式也为引入NAND外围电路的创新功能
以实现NAND闪存的定制化提供了可能。
长江存储已成功将Xtacking TM技术应用于其第二代3D NAND产品的开发。该产品预计于
2019年进入量产阶段。通过与客户、行业合作伙伴和行业标准机构的合作,Xtacking
TM技术将应用于智能手机、个人计算、数据中心和企业应用等领域,并将开启高性能、
定制化NAND解决方案的全新篇章。
http://www.ccidnet.com/2018/0807/10412907.shtml
f***y
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2
老将看不到
p***n
发帖数: 17190
3
層數晚三代
速度別人 1.4 他有望3.0
了解

期。

【在 f***y 的大作中提到】
: 中国,武汉, 北京时间2018年8月7日,作为NAND行业的新晋者,长江存储科技有限责
: 任公司(以下简称:长江存储)今天公开发布其突破性技术——XtackingTM。该技术将
: 为3D NAND闪存带来前所未有的I/O高性能,更高的存储密度,以及更短的产品上市周期。
: 采用XtackingTM,可在一片晶圆上独立加工负责数据I/O及记忆单元操作的外围电路。
: 这样的加工方式有利于选择合适的先进逻辑工艺,以让NAND获取更高的I/O接口速度及
: 更多的操作功能。存储单元同样也将在另一片晶圆上被独立加工。当两片晶圆各自完工
: 后,创新的XtackingTM技术只需一个处理步骤就可通过数百万根金属VIA(Vertical
: Interconnect Accesses,垂直互联通道)将二者键合接通电路,而且只增加了有限的成
: 本。
: 闪存和固态硬盘领域的知名市场研究公司Forward Insights创始人兼首席分析师

f***y
发帖数: 4447
4
密度高。

【在 p***n 的大作中提到】
: 層數晚三代
: 速度別人 1.4 他有望3.0
: 了解
:
: 期。

p***n
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5
這招別人也用過
不靈
層數多時金屬線阻抗會上去

【在 f***y 的大作中提到】
: 密度高。
f***y
发帖数: 4447
6
传统3D NAND架构中,外围电路约占芯片面积的20~30%,降低了芯片的存储密度。随着
3D NAND技术堆叠到128层甚至更高,外围电路可能会占到芯片整体面积的50%以上。
XtackingTM技术将外围电路置于存储单元之上,从而实现比传统3D NAND更高的存储密
度。

【在 p***n 的大作中提到】
: 這招別人也用過
: 不靈
: 層數多時金屬線阻抗會上去

f****o
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7
谁用?
保修期3月
w*******e
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8
和美光的CMOS under array很像
但是。。。这特么后端yield能好的了吗?
1 (共1页)
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