h***y
发帖数: 52 | 1 堆栈式的主要特性是快，通过改变传感器结构实现了快速读取。但是传感器的最上层也
就是负责感光的像素模块并没有太大变化。接触光线的部分没有本质提升的话，高感和
宽容度等等与感光能力相关的指标，应该提升不大。
如果以后用在R系列和S系列上，最有可能的升级是，R系列的存储快了一点，S系列的升
格也就是超级慢动作高档了一点，比如到500或者1000格。
画质不需要太期待。
哦当然传感器速度快了，对焦能力也有提升，所以全系的对焦能力都会随着堆栈式有大
幅提升。 |
b*****s
发帖数: 3390 | 2 目前的感光技术，很难在感光层面实现大的突破
简单地说A7RII的背照式比Sony的36M传统CMOS好，但是并没有好太多，而良率却会受到
较大影响从而影响成本
【在 h***y 的大作中提到】
: 堆栈式的主要特性是快，通过改变传感器结构实现了快速读取。但是传感器的最上层也
: 就是负责感光的像素模块并没有太大变化。接触光线的部分没有本质提升的话，高感和
: 宽容度等等与感光能力相关的指标，应该提升不大。
: 如果以后用在R系列和S系列上，最有可能的升级是，R系列的存储快了一点，S系列的升
: 格也就是超级慢动作高档了一点，比如到500或者1000格。
: 画质不需要太期待。
: 哦当然传感器速度快了，对焦能力也有提升，所以全系的对焦能力都会随着堆栈式有大
: 幅提升。
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t******e
发帖数: 1363 | |
h******c
发帖数: 2111 | 4 背照式还是很牛的技术，因为可见光在Si的穿透深度不到10个微米，感光层注定只能在
表面，现在电路都搬到下面了，原理上可以堆无数的电路，想想都可怕。还有一个好处
是 因为表面都是感光层 没了电路 (metal wires) 各种表面处理技术都可以上来提高
吸收率。
【在 b*****s 的大作中提到】
: 目前的感光技术，很难在感光层面实现大的突破
: 简单地说A7RII的背照式比Sony的36M传统CMOS好，但是并没有好太多，而良率却会受到
: 较大影响从而影响成本
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a***e
发帖数: 27968 | 5 你想多了，现在硅单晶的量子效率基本到极限了
BSI就是攒多个10% 20%的面积
电路可以多不少理论上正确，一发狠可以上几层buffer存储
还有些预处理啥的
【在 h******c 的大作中提到】
: 背照式还是很牛的技术，因为可见光在Si的穿透深度不到10个微米，感光层注定只能在
: 表面，现在电路都搬到下面了，原理上可以堆无数的电路，想想都可怕。还有一个好处
: 是 因为表面都是感光层 没了电路 (metal wires) 各种表面处理技术都可以上来提高
: 吸收率。
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h******c
发帖数: 2111 | 6 蚂蚁哥 这个背入式 哈哈 能提高20%也不错啊 像素越高 提高的越多吧 说不定哪天一
发狠 搞出直接带隙跃迁的也说不定啊
: 你想多了，现在硅单晶的量子效率基本到极限了
: BSI就是攒多个10% 20%的面积
: 电路可以多不少理论上正确，一发狠可以上几层buffer存储
: 还有些预处理啥的
【在 a***e 的大作中提到】
: 你想多了，现在硅单晶的量子效率基本到极限了
: BSI就是攒多个10% 20%的面积
: 电路可以多不少理论上正确，一发狠可以上几层buffer存储
: 还有些预处理啥的
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a***e
发帖数: 27968 | 7 5um左右大小就是10%的样子
像素再高就多余了镜头跟不上
硅直接带上帝都见不到
砷化镓基的，俺退休都见不到
纳米的大家听个乐就好
尼玛作者不是为了funding都不信的东西
★ 发自iPhone App: ChineseWeb 13
【在 h******c 的大作中提到】
: 蚂蚁哥 这个背入式 哈哈 能提高20%也不错啊 像素越高 提高的越多吧 说不定哪天一
: 发狠 搞出直接带隙跃迁的也说不定啊
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: 你想多了，现在硅单晶的量子效率基本到极限了
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: BSI就是攒多个10% 20%的面积
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: 电路可以多不少理论上正确，一发狠可以上几层buffer存储
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: 还有些预处理啥的
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