r*******n
发帖数: 70 | 1 面试时被问到的。
CMOS NAND gate，两个输入到输出的延时不一样，靠近输出的输入会延时比较小（
internal node discharge problem)。如果想让两个输入到输出的延时一样的话，可以
怎样做。
我答了一个resize the transistor。然后对方问，还有呢？我其他的想不出来了，板
上哪位高人答一下疑. |
l*****x
发帖数: 3431 | 2 把那个比较快的信号挪到靠近GND的那个N input上?
【在 r*******n 的大作中提到】
: 面试时被问到的。
: CMOS NAND gate，两个输入到输出的延时不一样，靠近输出的输入会延时比较小（
: internal node discharge problem)。如果想让两个输入到输出的延时一样的话，可以
: 怎样做。
: 我答了一个resize the transistor。然后对方问，还有呢？我其他的想不出来了，板
: 上哪位高人答一下疑.
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r*******n
发帖数: 70 | 3 不好意思，我没有把题目说清楚。两个信号时一样的，只是它们位置不同导致的延时不同
【在 l*****x 的大作中提到】
: 把那个比较快的信号挪到靠近GND的那个N input上?
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m******e
发帖数: 75 | |
m******e
发帖数: 75 | 5
不同
【在 r*******n 的大作中提到】
: 不好意思，我没有把题目说清楚。两个信号时一样的，只是它们位置不同导致的延时不同
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s*******y
发帖数: 4173 | |
r*******n
发帖数: 70 | 7 赞
【在 m******e 的大作中提到】
:
: 不同
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m*****o
发帖数: 6598 | 8 能不能再把题目意思说清楚点？如果两个input signal一模一样一样，那么从这两个
signal到output的delay应该是一样的，只有在所有input都为high的时候，才有
discharge吧 |
