f*****0
发帖数: 489 | 1 mosfet switchers are typically driven to 7v or 10v Vgs. That's how most of
the drivers are design for.
in linear applications, most of them (vertical mosfets) start to conduct at
3.5v Vgs. Lateral mosfets tend to conduct at much lower Vgs, as does logic-
level vertical mosfets. |
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C*E
发帖数: 785 | 2 各位大牛小牛们,
最近在读些HCI effect和MOSFET lifetime相关的paper, 发现很多paper直接用了 "10%
reduction in drain current", 即 "Delta_Id / Id = 10%" 条件 作为计算MOSFET寿
命的标准. 请问是否有人了解这个10%标准出处何在? 又及, 10%标准下只是MOSFET
degradation达到不可靠的程度, 这时的MOSFET failure rate又是如何? 例如, 在普通
logic gate中, 某FET degrade到这个程度, 未发生击穿, 应该还是可以用的吧?
多谢赐教. |
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f*****0
发帖数: 489 | 3 "如果电流太低（例如你直接用micro的输出），switching noise 会高到难以忍受的地
步，mosfet也很可能烧坏。"
most power mosfet switchers have high gate area, thus high gate charge.
if driven with a high output impedance device, it will take a long time to
remove all the gate charges. As a result, the device will stay in linear
region longer, this will significantly increase its power dissipation.
thus, you will need a driver chip capable of high (peak) current output to
quickly remove and charge up the gate "capacitor". |
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g******u
发帖数: 3060 | 4 最好的办法是买不同的几个chip,然后做实验比较一下。
如果某种high power mosfet真有很低thresold的话，我觉得gate capacitance
discharge的时候会继续turn on mosfet, 所以你的gate drive signal 最好不是50%
each, 而是有点delay.
有点要注意的是high side, low side要接两个schottky到Vd. 如果你驱动的是电感性
的东西。 |
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c******o
发帖数: 3 | 6 是一种三维结构的mosfet.不同于平面结构,器件是垂直于芯片表面的
柱状结构,栅是环形的.其优点是可以节省空间,并能提高速度,很多人
认为是一种发展方向(虽然本人不这么认为). |
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c*******l
发帖数: 4801 | 7 i c.所以很容易作成不同gain的mosfet? |
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f*****0
发帖数: 489 | 8 for a given mosfet, gm goes up with current. |
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r*********e
发帖数: 281 | 9 用MOSFET/IGBT做motor drive或者power supply的switch
threshold voltage一般要多少？ |
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g******u
发帖数: 3060 | 10 一般在稍高压的电路我都不推荐可以接受很低gate voltage的FET.
你的频率是多少？这是关键。
高压高频率（例如100k Hz, 3A)的驱动，除了电压以外，gate current是关键，这就是
为什么有很多gate drive chip的原因（相当于一个放大电路）。如果电流太低（例如
你直接用micro的输出），switching noise 会高到难以忍受的地步，mosfet也很可能
烧坏。建议去IR看看他们的技术资料，很详细。 |
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g******u
发帖数: 3060 | 11 threshold其实没什么关系，power mosfet应该都不低？ |
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r*********e
发帖数: 281 | 12 如果我有个KV power MOSFET Design
相同的breakdown, 比如1.2kV
相同的on-resistance
相同的current density
但是threshold是0.8V, 而不是传统的3V以上
好处是switching loss小,工作频率也可以高一点
会不会因为threshold不够高,有什么坏处?
多谢各位高手解惑 |
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f*****0
发帖数: 489 | 13 if you are working at high frequency and with high power mosfets, you must
be using a driver with very low output impedance.
in that case, you will be unlikely to be impacted by interference. |
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p*******e
发帖数: 45 | 14 你可以参考一下Baliga的“power semiconductor device”里面的power MOSFET, dV/
dt capability。如果Vt太小，而且Gate driver的output resistance偏大的话，并且
你的Cgd比较大，那么high speed switching的时候，对Cgd的charging and
discharing current会导致你的power switch关不断（ic*Rg > Vt)。
所以，Vt应该大些，但是对于某些器件，Vt太大，可能Ron会受影响。对于你的0.8V Vt
，也许可以通过改进gate drive，提供一些negative gate voltage，这样的drive应该
可以解决你的问题。
如果是GaN的heterojunction power device，switching speed能有多快？current collapse的问题搞定了吗？ |
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x*z
发帖数: 10 | 15 谁知道哪些软件可以做MOSFET方面的模拟。比如说：想应用在20V的器件上，用此软件/
算法可以估算epi wafer的epi layer的阻值和厚度的分布范围？我是外行，不懂的说。
谢谢。 |
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c******s
发帖数: 197 | 16 最近总是烧mosfet，发现是d-g短路，用的15V驱动ir2110下管输出,boost升压，输入电
压36，输出100V，不知道那些情况可能导致d-g短路，可以确定管子没有过压或过流，谢
谢 |
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d****o
发帖数: 1112 | 17 以前做hotswap的时候
如果板子正在工作，电流平稳
如果突然把电源拔掉
就会烧MOSFET
症状是短路
估计是di/dt太大
管子handle不了，烧了 |
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B***E
发帖数: 2001 | 18 比如从室温升高至100摄氏度
现在的diode, mosfet技术最高能工作在多少度？
谢谢 |
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g******u
发帖数: 3060 | 19 简单地说，温度升高对所有参数都有影响。
但如果变很热，它可以消耗的功率就迅速降低。
switching speed也会变，主要是因为gate thresold变化。
另外重要的是Id/Vds/Vgs，avalanche，都随温度变化较多。
建议随便找个功率MOSFET datasheet看看。 |
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H****E
发帖数: 444 | 20 mosfet: scattering up, mobility down |
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c********6
发帖数: 3483 | 21 pn diode应该是温度增加BV增加吧
mosfet好像是不一定，有两个效应叠加 |
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ET
发帖数: 10701 | 22 这个你要考虑integrated ic的mosfet，还是power fets,
影响是相似的，但power fets对温度的影响有特别的设计 - 这玩意就是外界温度不怎么
变，自己都是越用越热。 |
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l****o
发帖数: 184 | 23 如果你指的是mosfet 的corner frequency,那一般来说从几十Hz到几十kHz.但是output
noise frequency是取决于op amp的bandwidth。 我也觉得你概念混淆了
有具体的电路么？ |
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m*****t
发帖数: 3477 | 24 Just one individual mosfet.
I believe the 10Hz to 10KHz is the input noise corner.
While when you extract the noise model, you can not measure input noise, you
can only measure output noise current at Drain, and our measurement data
shows it's in the 10MHz to 100MHz range.
output |
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s*****o
发帖数: 22187 | 25 I guess so. If it's only one mosfet, input and output noise transfer is the
gain. And gain is flat at the freq we talk about. I cannot see anything
cause the fc drift. Please correct me if I am wrong. |
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w********o
发帖数: 10088 | 26 jfet由于用的是p-n节,channel里有doping,电子迁移率会受影响. mosfet不一定有这个
问题
都是场效应管,光看转移曲线没什么用吧 |
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b*********y
发帖数: 830 | 27 google is ur best friend.
JFET is junction based. it modulates the depletion region of the junction to
control the lateral current. carrier is majority carrier.
used in process where good oxide material is not available, like GaAs.
MOSFET modulates the current by creating an inversion region underneath. it
creats an n channel in a p material in the case of NMOS. |
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c******3
发帖数: 19 | 28 刚转了high power MOSFET device 方向,process/device simulation,
发现这个方向非常窄,想换个工作很难,请问这个方向还有前途吗?
是继续努力还是转成CS啊? |
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b*******h
发帖数: 2585 | 29 high power MOSFET IGBT device ？
是两个项目？ |
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b*******h
发帖数: 2585 | 32 搞技术都窄吧。 硅的功率MOSFET还能玩出什么 |
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o***e
发帖数: 814 | 33 在大剂量gamma射线辐射下，通常mosfet的Rds会增加，有什么办法可以让它增加小一点
呢？谢谢 |
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发帖数: 1 | 34 What Happened To GaN And SiC?
Early predictions were overly optimistic, but these technologies are
starting to make inroads.
About five years ago, some chipmakers claimed that traditional silicon-based
power MOSFETs had hit the wall, prompting the need for a new power
transistor technology.
At the time, some thought that two wide-bandgap technologies—gallium
nitride (GaN) on silicon and silicon carbide (SiC) MOSFETs—would displace
the ubiquitous power MOSFET. In addition, GaN and SiC were suppos... 阅读全帖 |
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发帖数: 1 | 35 中国IGBT真的逆袭了吗？
编者按：近日，CCTV2做了中国芯生存状态系列报道，主要谈了中国IGBT的进展，本来
这事一件好事，但是有一些好事者认为中国IGBT已经赶美欧，超日了，这种盲目的乐观
对于中国集成电路的建设，不是一件好事，我们不妨来看一下中国IGBT的真实状况。
我们先从什么是IGBT说起。
一说起IGBT，半导体制造的人都以为不就是一个分立器件(Power Disceret)嘛，都很瞧
不上眼。然而他和28nm/16nm集成电路制造一样，是国家「02专项」的重点扶持项目，
这玩意是现在目前功率电子器件里技术最先进的产品，已经全面取代了传统的Power
MOSFET，其应用非常广泛，小到家电、大到飞机、舰船、交通、电网等战略性产业，被
称为电力电子行业里的「CPU」，长期以来，该产品（包括晶片）还是被垄断在少数IDM
手上(FairChild 、Infineon、TOSHIBA)，位居「十二五」期间国家16个重大技术突破
专项中的第二位（简称「02专项」）
从功能上来说，IGBT就是一个电路开关，用在电压几十到几百伏量级、电流几十到几百
安量级的强电上的。（相对而言，手机、... 阅读全帖 |
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发帖数: 1 | 36 2017-04-08 11:17
编者按：近日，CCTV2做了中国芯生存状态系列报道，主要谈了中国IGBT的进展，本来
这事一件好事，但是有一些好事者认为中国IGBT已经赶美欧，超日了，这种盲目的乐观
对于中国集成电路的建设，不是一件好事，我们不妨来看一下中国IGBT的真实状况。
我们先从什么是IGBT说起。
一说起IGBT，半导体制造的人都以为不就是一个分立器件(Power Disceret)嘛，都很瞧
不上眼。然而他和28nm/16nm集成电路制造一样，是国家「02专项」的重点扶持项目，
这玩意是现在目前功率电子器件里技术最先进的产品，已经全面取代了传统的Power
MOSFET，其应用非常广泛，小到家电、大到飞机、舰船、交通、电网等战略性产业，被
称为电力电子行业里的「CPU」，长期以来，该产品（包括晶片）还是被垄断在少数IDM
手上(FairChild 、Infineon、TOSHIBA)，位居「十二五」期间国家16个重大技术突破
专项中的第二位（简称「02专项」）
从功能上来说，IGBT就是一个电路开关，用在电压几十到几百伏量级、电流几十到几百
安量级的强电上的。（相对而言，... 阅读全帖 |
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发帖数: 1 | 37 2017-04-08 11:17
编者按：近日，CCTV2做了中国芯生存状态系列报道，主要谈了中国IGBT的进展，本来
这事一件好事，但是有一些好事者认为中国IGBT已经赶美欧，超日了，这种盲目的乐观
对于中国集成电路的建设，不是一件好事，我们不妨来看一下中国IGBT的真实状况。
我们先从什么是IGBT说起。
一说起IGBT，半导体制造的人都以为不就是一个分立器件(Power Disceret)嘛，都很瞧
不上眼。然而他和28nm/16nm集成电路制造一样，是国家「02专项」的重点扶持项目，
这玩意是现在目前功率电子器件里技术最先进的产品，已经全面取代了传统的Power
MOSFET，其应用非常广泛，小到家电、大到飞机、舰船、交通、电网等战略性产业，被
称为电力电子行业里的「CPU」，长期以来，该产品（包括晶片）还是被垄断在少数IDM
手上(FairChild 、Infineon、TOSHIBA)，位居「十二五」期间国家16个重大技术突破
专项中的第二位（简称「02专项」）
从功能上来说，IGBT就是一个电路开关，用在电压几十到几百伏量级、电流几十到几百
安量级的强电上的。（相对而言，... 阅读全帖 |
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c*******l
发帖数: 4801 | 38 你做mosfet, 那mosfet characterization懂不懂？至少做LED characterization
在工业界，我猜会对你做mosfet characterization会有好处吧？
要说呢，mosfet characterization可能比你的mosfet scaling会好点吧？至少工作
可能好找点。对LED熟，也算个热门方向，为什么不去？
现在有个实习机会简直你算幸运的很了，多数学生估计门都没有 |
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g*********n
发帖数: 808 | 39 http://china.nikkeibp.com.cn/news/semi/66256-20130603.html
【日经BP社报道】GeneSiC Semicondutor公司开发出了耐压高达10kV左右的SiC
双极晶体管（BJT），并在功率半导体国际会议“ISPSD 2013”（2013年5月26～30日在
日本石川县金泽市举行，由日本电气学会主办）上发表了演讲（演讲序号：6-1）。该
公司制作出了芯片尺寸分别为3.65mm见方和7.3mm见方的两种SiC BJT，前者的导通电阻
为110mΩcm2、电流放大率为78，后者的导通电阻为143mΩcm2、电流放大率为75。
在演讲中，GeneSiC比较了该公司的SiC BJT与ABB公司耐压为6.5kV的Si IGBT的
开关损耗。在SiC BJT的集电极电流为8A、Si IGBT集电极电流为10A的条件下，二者的
开关损耗的比较结果为：导通时SiC BJT的损耗为4.2mJ，约为Si IGBT（80mJ）的1/19
；关断时SiC BJT的损耗为1.6mJ，约为Si IGBT（40mJ）的1/25。（... 阅读全帖 |
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d*****l
发帖数: 8441 | 40 中国发明半浮栅晶体管 有助获得芯片制造话语权
中国研究人员8日在美国《科学》杂志上报告说，他们在集成电路的基本单元晶体管研
究上取得突破，发明了一种名为半浮栅晶体管的新型基础微电子器件，可让数据擦写更
容易、迅速。 据介绍，它的成功研制将有助我国掌握集成电路的核心技术，从而在芯
片设计与制造上逐渐获得更多话语权。
研究负责人、复旦大学教授王鹏飞说：“我国集成电路产业主要依靠引进和吸收国外成
熟的技术，在微电子核心器件及集成工艺上缺乏核心技术。半浮栅晶体管的成功研制将
有助我国掌握集成电路的核心技术，从而在芯片设计与制造上逐渐获得更多话语权。”
据王鹏飞介绍，金属-氧化物-半导体场效应晶体管（MOSFET）是目前集成电路中的主流
器件，过去几十年工艺的进步让MOSFET晶体管的尺寸不断缩小，越来越接近其物理极限
，基于新结构和新原理的晶体管成为当前业界急需。半浮栅晶体管是在MOSFET晶体管中
内嵌一个广泛用于低功耗电路的装置----隧穿场效应晶体管（TFET）制成。它的优势在
于体积可更小，结构更简单，读写速度更快，且一片这样的晶体管的功效可比得上多块
MOSFET晶体管。 |
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U*E
发帖数: 3620 | 41 中国发明半浮栅晶体管 有助获得芯片制造话语权
中国研究人员8日在美国《科学》杂志上报告说，他们在集成电路的基本单元晶体管研
究上取得突破，发明了一种名为半浮栅晶体管的新型基础微电子器件，可让数据擦写更
容易、迅速。 据介绍，它的成功研制将有助我国掌握集成电路的核心技术，从而在芯
片设计与制造上逐渐获得更多话语权。
研究负责人、复旦大学教授王鹏飞说：“我国集成电路产业主要依靠引进和吸收国外成
熟的技术，在微电子核心器件及集成工艺上缺乏核心技术。半浮栅晶体管的成功研制将
有助我国掌握集成电路的核心技术，从而在芯片设计与制造上逐渐获得更多话语权。”
据王鹏飞介绍，金属-氧化物-半导体场效应晶体管（MOSFET）是目前集成电路中的主流
器件，过去几十年工艺的进步让MOSFET晶体管的尺寸不断缩小，越来越接近其物理极限
，基于新结构和新原理的晶体管成为当前业界急需。半浮栅晶体管是在MOSFET晶体管中
内嵌一个广泛用于低功耗电路的装置----隧穿场效应晶体管（TFET）制成。它的优势在
于体积可更小，结构更简单，读写速度更快，且一片这样的晶体管的功效可比得上多块
MOSFET晶体管。 |
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f*****0
发帖数: 489 | 42
the answer depends.
most bipolars are used for linear applications. For obvious reasons, they
cannot work in the saturation region. However, there are switching bipolars,
and emitter-switched bipolars as well as igbt that do work in their
saturation region.
mosfets are primarily for switching applications so they work mostly in
their saturation region. However, most lateral mosfets (older mosfets or
audio mosfets) work in their linear regions.
In the end, most devices can work comfortably in ei |
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E*****a
发帖数: 757 | 43 一个老兵，看了你这个问题，不知道你想问啥
用什么mosfet驱动？一般是mosfet外置，controller IC里有driver，直接驱动这个
mosfet
用 booststrap吗？一般大电流top mosfet都是nfet,是用boostrap的，bottom fet都直接
驱动
boostra |
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F******n
发帖数: 63 | 44 觉得你不用想那么复杂，一般面试就是考理论，假设理想二极管就行。ideally, 二极
管就是单象限开关，MOSFET是二象限开关，上下两个MOSFET一起就是单刀双掷开关。这
里最简单的用法就是单象限开关，如果他再challenge你,那你就回答用MOSFET。用
MOSFET的话，那方法就很多了，一般的dc-dc converter都可以实现，如果再要提高效
率的话就用synchronous rectification
好奇下，你这个是什么职位？
,
Threshold |
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F******n
发帖数: 63 | 45 觉得你不用想那么复杂，一般面试就是考理论，假设理想二极管就行。ideally, 二极
管就是单象限开关，MOSFET是二象限开关，上下两个MOSFET一起就是单刀双掷开关。这
里最简单的用法就是单象限开关，如果他再challenge你,那你就回答用MOSFET。用
MOSFET的话，那方法就很多了，一般的dc-dc converter都可以实现，如果再要提高效
率的话就用synchronous rectification
好奇下，你这个是什么职位？
,
Threshold |
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f***y
发帖数: 4447 | 46 http://laoyaoba.com/ss6/html/72/n-594872.html
又是一股熟悉的味道——“大快干上”——中国集成电路产业三条12寸生产线三月底三
地同时开工。
我国每年进口的芯片中有1/4是存储芯片，产业需求存在巨大缺口。国家集成电路产业
投资基金股份有限公司（大基金）总经理丁文武表示，大基金今年的重点之一就是支持
存储器发展。存储已经成为中国集成电路产业的投资新宠。据悉，武汉新芯存储器基地
项目、江苏淮安德科玛图像传感器IDM项目、重庆AOS（alpha&omega)的12寸MOSFET（金
属-氧化物半导体场效应晶体管）功率半导体项目均将于3月份启动，而紫光集团在存储
上的“野心”更是有目共睹。
·3月24日紫光已制定一项规模为300亿美元的投资计划；
·3月27日德科玛图像传感器IDM在江苏淮安启动；
·3月28日武汉新芯二期存储器项目启动；
·3月30日美国AOS重庆12英寸MOSFET功率半导体项目启动。
武汉存储器基地落户武汉东湖新技术开发区，项目启动仪式将于28日举行。该基地由大
基金、湖北省集成电路产业投资基金股份有限公司、国开发展基金有限公司... 阅读全帖 |
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f***y
发帖数: 4447 | 47 中国微电子所在FinFET工艺上的突破有何意义？
雷锋网(公众号：雷锋网)按：SOI技术作为一种全介质隔离技术，可以用来替代硅衬底
。为何FinFET会成为主流，即便是掌握了22nm FD-SOI工艺的格罗方德还是购买了三星
的14nm FinFET技术授权呢？本文将会解析：新型FinFET逻辑器件工艺突破到底有什么
影响？
最近，中国微电子所集成电路先导工艺研发中心在下一代新型FinFET逻辑器件工艺研究
上取得重要进展。微电子所殷华湘研究员的课题组，利用低温低阻NiPt硅化物在新型
FOI FinFET上实现了全金属化源漏（MSD），能显著降低源漏寄生电阻，从而将N/PMOS
器件性能提高大约30倍，使得驱动性能达到了国际先进水平。
基于本研究成果的论文被2016年IEEE国际电子器件大会（IEDM）接收，并在IEDM的关键
分会场之一——硅基先导CMOS 工艺和制造技术（PMT）上，由张青竹做了学术报告。
那么，这个新型FinFET逻辑器件工艺是干啥用的呢?通俗的说就是下一用来制造CPU等逻
辑器件的工艺，举例来说，现在14/16nm芯片大多采用FinFET工艺，而这个新型Fin... 阅读全帖 |
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y*h
发帖数: 25423 | 48 我说的是thermostat内部的电路，MOSFET是那个微功耗处理器驱动的，
电流驱动能力肯定非常有限，并接电容充电延迟是难免的，所以处理器
发出信号后要电容充满了电才会开机，另一方面并接电容的话电容的
负载是MOSFET，几乎不消耗电流，所以处理器发出停机信号之后MOSFET
会被电容中的电荷维持导通，不会关断。
LED |
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g******i
发帖数: 581 | 49 杨振宁 国立西南联合大学-学士(1942),硕士(1944)
1957年以中华民国公民身份获得诺贝尔物理学奖，1986年获美国国家科学奖章，1993年
获本杰明.富兰克林奖章，1995年获 爱因斯坦奖章，与李政道提出弱相互作用中宇称不
守恒.与罗伯特·米尔斯一道提出了杨-米尔斯理论，即非阿贝尔规范理论，对基础物理
学产生了深远的影响，是粒子物理学的标准模型的基础
李政道 国立浙江大学物理系/国立西南联合大学-学士 芝加哥大学博士
1957年以中华民国公民身份与杨振宁以弱作用下宇称不守恒的的发现获得诺贝尔物理学奖
吴健雄 国立中央大学数学/物理学士，先后在国立浙江大学,中央研究院物理研究所工
作美国国家科学院院士 美国国家科学奖章获得者，沃尔夫奖获得者，曾任美国物理学
会会长
1957年验证杨振宁李政道的“弱相互作用下的宇称不守恒”，1963年实验证明“β 衰
变在矢量流守恒定律”
在制造原子弹的“曼哈顿计划”中解决了链式反应无法延续的重大难题
被美国物理学会宣布为最伟大的实验物理学家之一
Madam Wu is arguably the most admired female sci... 阅读全帖 |
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d*******3
发帖数: 148 | 50
07年,传统的以SiO2为基础的MOSFET走到尽头，取而代之的是高介电常数，俗称high-k
材料，以HfO2为代表，moore's 得以继续延续，65nm 到 45nm, 再到 32nm,以及今年的
22nm，不过这些都是基于2-D结构，但要再scaling到22nm以下，2-D结构也要到了头，
面临严重的short channel effect.于是最近呼声甚大的3-D MOSFET 摆上的桌面
所谓的3-D MOSFET结构也已经研发了十多年了，主要是以Intel为代表的Tri-gate 和
其他公司的 FinFET.
EUV光刻在22nm以下技术的是关键中的关键... |
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