D********e
发帖数: 5 | 1 深圳大学光电学院先进纳米器件研究所及光电子器件与系统教育部重点实验室现面向国
内外诚聘青年千人、研究型教授、副教授及讲师数名，开展以下三方面研究工作：
方向1：下一代微电子制造技术、纳米电子及光子器件 (Advanced MOSFET process,
Nanoelectronics, Nanophotonics)
方向2：生物芯片、微流控及微电机系统 (BioChip, Microfluidics, MEMS)
方向3：微纳能源器件、摩擦电子学 (Nano Energy Device, Tribotronics)
岗位要求：
1. 在国内外著名大学或研究机构获得微电子、纳米材料、精密仪器、光学等相关专业
博士学位。The candidate must have a PhD in the field of microelectronics,
nanomaterials, precision instrument, optics, etc., from a prestigious
university.
2. 在本学科领域有标志性的研究成果，并有被国内或国际同行公认的突出成就。The
c... 阅读全帖 |
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y****y
发帖数: 179 | 2 清华大学微电子所钱鹤教授组招收博士后和研究员，面向有意回国发展的同学，薪资向
美国博后和国内公司看齐。
本组的研究方向包括：新型存储器（阻变存储器，3D NAND）芯片、神经形态器件和类
脑计算芯片、信息安全芯片、用于无人机、行走机器人的芯片、二维材料、高迁移率沟
道材料、纳米MOSFET器件涨落等。器件、电路、材料，物理等背景的都可以申请，博士
的研究课题已是相关领域的就更好了。
先说博士后吧。提供解决北京户口，国内博士后的户口、住房、公积金等福利就不多说
了，尤其是全家北京户口这一点现在已经不好用金钱来衡量了。如果申请者毕业于排名
前100的大学，可以申请学校的博士后人才计划，每年有30万RMB的工资，比绝大多数美
国学校都高，这个需要提前半年申请，成功率还是非常高的。申请普通的博士后，学校
大概提供每月4000多的工资，组里也额外每月加4000-5000的奖金，如果表现出色，也
可以再加，每篇论文也有额外几千元的奖励。
再说说研究员和工程师，除了上述研究方向以外，也招几位电路设计和测试工程师，需
要有过电路设计和测试经验的，待遇是跟国内企业看齐的，比如同类型同资历的人在公
司里是... 阅读全帖 |
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k******t
发帖数: 1498 | 4 常见的电阻电容MCU比如STM32应该不会有问题。但是不常见的元件很容易出问题。国内
分销商之间经常窜货窜来窜去一不小心就张冠李戴。另外国内很多做拆机芯片重新封装
的，尼玛外观和原装一模一样，可能主要功能也可以。我曾经MOSFET都出过问题。
digikey之类的往国内发货现在很方便很快。就是要交17%的增值税，但是比最后出问题
整批PCB作废要好。总之别在元器件上图省事，关键元件和不常见的一定要从开信赖的
渠道买。 |
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k******t
发帖数: 1498 | 5 常见的电阻电容MCU比如STM32应该不会有问题。但是不常见的元件很容易出问题。国内
分销商之间经常窜货窜来窜去一不小心就张冠李戴。另外国内很多做拆机芯片重新封装
的，尼玛外观和原装一模一样，可能主要功能也可以。我曾经MOSFET都出过问题。
digikey之类的往国内发货现在很方便很快。就是要交17%的增值税，但是比最后出问题
整批PCB作废要好。总之别在元器件上图省事，关键元件和不常见的一定要从开信赖的
渠道买。 |
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D*****i
发帖数: 8922 | 6 要公平比较的话，要用“性能功耗比”（性能功耗比=每秒浮点计算量/动态功耗）。如
果这个性能功耗比差不多的话，那他们的动态水平差不多。
接下来比静态功耗。静态功耗还跟MOSFET阈值电压有指数关系，大体上阈值电压每增加
80-100mV，静态功耗下降一个数量级，同时性能损失20%左右。所以可以用牺牲性能来
大幅降低静态功耗。ARM可能用了这个办法吧。
还有就是前面提到的电路设计考虑了。为什么现在CPU都用多核呢？因为在不需要最大
性能时，CPU可以把不用的核心关掉以达到省电目的。 |
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C*G
发帖数: 7495 | 7 看你就是专项工程师，问问题都外行。
“电子波长多少啊？”你以为在真空里呀？
你查查mosfet/scale-effect/frequency去，我只负责读报告，还老早的东东了。 |
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D*****i
发帖数: 8922 | 8 讨论mosfet scale，当然缺省就是硅了。为什么要假设是真空呢，这才是文科提法吧。 |
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C*G
发帖数: 7495 | 9 我老文科男，只有wiki的知识，
http://en.wikipedia.org/wiki/ARM_architecture
A15/GPU的8核SOC，理论上横扫X86。
传统英特尔胜在工艺和市场。
请问业内大牛， 英特尔X86架构下的，在芯片设计和工艺模拟的表现有跃进，但是在65
纳米45纳米32纳米和22纳米尺度减小，同时应用硅在绝缘体，锗/硅应力，高K介电质等
先进技术，为啥12寸集成片性能没有本质提高？倒底是设计问题，是工艺问题，还是集
成问题，还是本身的架构问题？到底温度和功耗热熔对主频率/缓存什么程度和过程影
响？到底mosfet迁移率在集成功耗下多少？到底表面电子温度多少？谢谢。
hiahia
1 |
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c******7
发帖数: 1081 | 10 发信人: cobra007 (大盘回顾), 信区: Stock
标 题: Re: 据说拥有最领先的移动云端技术
发信站: BBS 未名空间站 (Fri Feb 18 02:43:48 2011, 美东)
云技术，作为移动互联网的重要一部分，从投资和炒作的角度来说，主峰已经弱化了。
移动互联网这个大概念，从逻辑和时间角度上说，是分步进行，互动加强的
第一步，云技术的成熟变热，同时带动服务器和数据存储行业的升温，主峰跨越从10年
上半年到下半年，好比移动互联网这个婴儿的大脑和心脏的初育。
第二步，移动网络硬件和软件技术的升级，同时带动半导体路/线和通讯设备行业的升
温，主峰跨越始于10年下半年到11年（夏？），好比移动互联网这个婴儿的骨骼和经脉
的初成。
第三步，移动网络终端的个体智能化，带动半导体芯片/屏/等模块器件和终端OS行业的
升温。主峰跨越预期始于11年春夏到13年。好比移动互联网这个婴儿的五官和四肢的初
形。
ARM架构让高效智能移动终端低热节能，克服长久以来的问题困扰。甚至让在原
来X86架构的8/12寸集成屡受困扰但在mosfet单元性能不错的尺度/高K/应... 阅读全帖 |
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C*G
发帖数: 7495 | 11 哇塞，还真有人还提摩尔定律，据说是设计忽悠我们文科生的
我老文科男，只有wiki的知识，
http://en.wikipedia.org/wiki/ARM_architecture
A15/GPU的8核SOC，理论上横扫X86。
传统英特尔胜在工艺和市场。英特尔X86架构下的，在芯片设计和工艺模拟的表现有亮
丽跃进，但是在65
纳米45纳米32纳米和22纳米尺度减小，同时应用硅在绝缘体，锗/硅应力，高K介电质等
先进技术，为啥12寸集成片性能没有本质提高？倒底是设计问题，是工艺问题，还是集
成问题，还是本身的架构问题？到底温度和功耗热熔对主频率/缓存什么程度和过程影
响？到底mosfet迁移率在集成功耗下多少？到底表面电子内禀温度多少？
一条路走到头了，再怎么用功努力，拼死拼活都没用的说。
hardware |
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D*****i
发帖数: 8922 | 12 只要说你有400多马甲等不算PA，我就放心了，哈哈。
从说我是微电子外行到承认你自己在这个问题上是外行，你总算离事实进了一步了，不
过似乎并没有心服口服。你还是停留在知道名词的阶段，还没有到知其然的地步，更不
用说知其所以然，说“charge pumping还是测dos准确率和可靠性低得吓人”就是一个
例子。当初讨论时，你口中那位“相关业界大牛”说自己用PES测过，并没有对charge
pumping说三道四。其实PES和charge pumping各有擅长的范围，PES只适合测半成品，
charge pumping只适合测电极和连线都做好了的MOS管。在CMOS集成电路中，大家关心
的surface state就是si-绝缘栅interface state，如果MOS管做好了，十层八层金属线
布好了，封装好了，PES根本就测不了interface state，哪里谈得上精度？
你还说charge pumping只能发文章，实际操作没人用，再一次暴露你外行的面目。像
IEDM这种会议和TED这种期刊，从来都是半导体界大公司show off的机会，有发表文章
的机会，都不会错过的，文章中... 阅读全帖 |
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u***s
发帖数: 591 | 13 ☆─────────────────────────────────────☆
mosfet (complementary) 于 (Sat Jul 29 20:34:27 2006) 提到:
跟公司老板不合,昨天下午最后一分钟被fire走人,有些法律问题请教各位,望赐教.
情况是这样的:
我跟老婆都是PhD.
我现在的身份是H1b,去年自己申请的NIW,现在是485 pending,有EAD卡
老婆是H1b (跟我一起申请485,有EAD卡).
现在的选择是?
1.马上转成H4, 找到新工作后再转回H1b, 可行吗? 受不受名额限制?
2.什么都不做,找到新工作后要新公司申请H1b,受不受名额限制?
3.什么都不做,找到新工作后直接用EAD卡工作,这里面的风险大家可能比较清楚,不过老婆
是valid H1b,万一485被deny,是不是还可以转成H4,或者再申请H1b?
多谢各位!
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pumpkin2005 (pumpkin2005) 于 (Sat Jul 29 21:14:48 2006) |
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b********o
发帖数: 772 | 14 哪位大侠可以推荐一些审稿机会给我？十分感谢！
我的方向：EE
研究领域：semiconductor devices, MOSFET, multi-gate FET, 等等与半导体器件相
关的内容。器件的performance和reliability都可以。
我曾经帮老板审过6篇稿，每次审稿都十分认真，会给出客观公平的意见。不过目前为
止都没有自己名下的审稿机会，也许是因为刚刚才phd毕业吧。
希望哪位大侠能够让个机会给我，谢谢！ |
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s**********2
发帖数: 305 | 15 小弟 材料物理背景，半导体 纳米材料生长 （nanowire, nanoparticle, thin film),
以及在 seminductor/Si solar cell， LED，FETs 方面的应用。相关技术：光谱，
XRD， SEM，TEM，MOSFET，Solar Cell Characterization including transient
electron transport,IPCE, etc. and FET noise)
只有个位数审稿，着急攒审稿，申请绿卡用。工作比较忙，非诚勿扰，也乐意花些小钱
寻求更多的帮助，愿意给予报酬，有相关审稿的，麻烦推荐一下。也在积极寻找
Editor帮忙，只是刚开始。打算半年后提交Eb1。希望斑竹不要删帖。
请站内信，可以付详细背景。多谢多谢。中一个，会主动奉上，互惠互利。
谢谢。本帖长期有效。
-------------------------
改成$30刀了。省的土豪不土豪的。
其实就是想快点攒审稿，不容易啊。 |
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s**********2
发帖数: 305 | 16 你好，我在积攒审稿，麻烦帮忙推荐。
我是材料物理，做的半导体纳米材料制备，比较符合我的背景。
谢谢了。
Interested in serving as a reviewer
1. My background
2. Keywords
3. Published journals and paper I have reviewed.
4. Thanks.
Dear Editor,
I graduated from Nanoelectronics Lab at University of Wyoming in 2014 and
hold a Ph.D. degree in Physics (Materials and Electronics). I got my
bachelor degree in Jilin University in 2009, one of the top 10 universities
in China. My name is Liyou Lu and I am currently a product/test engineer at
Fre... 阅读全帖 |
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w*******a
发帖数: 102 | 17 A promising power semiconductor startup has got good VC funding in China and
strong government support. Aim at fasting growing China market, this start-
up will design and manufacture wide-bandgap compound semiconductor power
device with superior performance and low cost.
We are seeking one technical partner in power device design and fabrication.
This candidate should be passionate, responsible, and has team-work spirit
in a start-up environment. This is a full-time position in China, and the
... 阅读全帖 |
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w*******8
发帖数: 57 | 18 A promising power semiconductor startup has got good VC funding in China and
strong government support. Aim at fasting growing China market, this start-
up will design and manufacture wide-bandgap compound semiconductor power
device with superior performance and low cost.
The core technical team is seeking one technical partner in power device
design and fabrication. This candidate should be passionate, responsible,
and has team-work spirit in a start-up environment. This is a full-time
positio... 阅读全帖 |
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w*******a
发帖数: 102 | 19 A promising power semiconductor startup has got good VC funding in China and
strong government support. Aim at fasting growing China market, this start-
up will design and manufacture wide-bandgap compound semiconductor power
device with superior performance and low cost.
We are seeking one technical partner in power device design and fabrication.
This candidate should be passionate, responsible, and has team-work spirit
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... 阅读全帖 |
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p**********u
发帖数: 15479 | 20 今年六月邻居老太太的BMW的前顶不亮了。她买了新灯泡想换上去。把旧的灯泡拧下来
之后，新的灯泡怎样也装不上。她叫我来帮忙。那装灯泡的空间很小只能食指和中指伸
进去。又要往里压又要旋转。有利使不上劲。手指屁都磨破了总算装上了。但是一试还
是不行。
她第二天找到dealer一查。说是要换里面的模块。要1千多美元。 读了这个帖子明白了
为什么。
: 这个让我想起了以前的捷达MKIV
: 老婆路上开着开着说是冒烟了，我叫她停下来叫车拖回家。
: 败家娘们说不要了，换车吧。
: 叔一边几天内给她买了辆新车，一边研究旧车，原因是风扇控制模块中的一个电
阻烧断
: 了，风扇不转了，不散热，就开锅了。
: 从医院里买了个超大的电阻焊上，又加了了超大的散热片，固定在车底盘下。
: 又开了六七年，直到接近二十五万里程车里开始有味，家里也有四辆车实在是放
不下，
: 才送走了。
: MOSFET
: 的都看
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w*******a
发帖数: 102 | 21 A promising power semiconductor startup has got good VC funding in China and
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... 阅读全帖 |
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Q*K
发帖数: 3464 | 22 EETimes报道：UBM TechInsights 已经初步估算Kinect的元器件成本(BOM, Bill of
Materials)，大约$56美元。同时，UBM TechInsights市场部经理Allan Yogasingam表
示，以色列公司PrimeSense的设计是Kinect成功的关键。在这$56的元器件成本当中，
有$17是用在 PrimeSense设计的“参考系统（reference system）”上，其中包括摄像
头、麦克风和处理器。
附Kinect内部主要元器件列表：
* PrimeSense PS1080-A2 - PS1080 SoC图像处理芯片（与CMOS感光器和红外线发生
器协同工作）
* Marvell 88AP1-BJD2 – 有可能是Marvell生产的摄像头控制芯片
* Elpida E5116A**G-6E-E - 70nm DDR2 SDRAM (SI#18324)
* (2) Marvell G39 00A1P
* H1025519 XBOX1001 X851716-006 GEPP – 与Marvell控制芯片相连... 阅读全帖 |
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x*******a
发帖数: 57 | 24 如果没记错， 二次量子化那是场论了吧。
貌似对于大部分的凝聚态物理都不会用的，至少我曾经做过的那部分，还有据了解
mosfet的知识， 还是用的经典的泊松方程， 和薛定谔方程加微扰解出来的能带论 |
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n**********y
发帖数: 88 | 25 你的名字让我想起当年学feed back circuits, 那个Op Amp 741，还有什么
MOSFET那些破玩意，学得俺天天想吐。哎，不提了，人生很后悔的一件事。 |
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a***e
发帖数: 27968 | 26 MOSFET?
这个没有器件结构和整个流程根本没法搞清楚哪一步出问题
gate一般就是dry thermal
的） |
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G******d
发帖数: 194 | 27 这个做芯片device的人都能知道吧，两大原因
晶体管器件角度 - 硅基半导体MOSFET晶体管的开关速度受限于氧化层绝缘体
的厚度，目前的厚度已经只有不到1个纳米了，有就是只有一两层氧化硅分子的厚度了
，基本已经接近极限了。除非有基于新物理原理的CPU或者全新的材料，不太可能有改
善空间了
电路角度 - wire interconnect越做越细，距离也越近，电阻增大带来延迟效应，还有
距离变短带来的电子隧穿导致漏电流，也限制了继续缩小CPU电路来提高速度 |
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a*q
发帖数: 2109 | 28 hi,
What are you doing? MOSFET? CMOS?
I am pretty interested in this field currently. |
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s********r
发帖数: 19 | 29 Hi,
We are currently producing wafers used in the printer. I'd
better not say too much in detail. Because it's company
confidential. Sorry about that. Nevertheless, I would like
to discuss other topics about MOSFET, CMOS, and so on. |
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b********d
发帖数: 720 | 31 fresh phd, female 0303ustcer
求refer
网投都没什么消息，来这里碰碰运气
万分感谢
skills:
photolithography, dry/wet etch, sputter/e-beam evaporator deposition, FET
conductivity measurement, AFM, electrochemistry, ellipsometry,UV-VIS,
surface profiler，thin film coating, Gaussian Computation,CAD,Python,MOSFET |
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p***o
发帖数: 177 | 33 发信人: goldon (WINDOW C, PLS), 信区: Oversea
标 题: 【ZJU2003 OFFER统计－－截至04/15/2003】
发信站: 飘渺水云间 (Tue Apr 15 14:05:53 2003), 转信
ZJU 2003 OFFER统计(415特别版)
--截止04/15/2003
注意: 1.如果拿了offer，不想别人知道id，可以发信给我，
主要是可以方便我们统计，我们决不会泄露你的身份。
2.以后不要在板上讨论关于"拿了某某学校的是某人"的问题
希望学会尊重别人的隐私，这种问题以后一律d。
3.希望大家在公布offer的时候，最好加上自己的背景，最起码
能说明是本本还是硕士
学校 专业 获奖人
————————————————————————————
北美部分：
VT EE [硕]mosfet
MSU |
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t****g
发帖数: 35582 | 34 不是voltage吧，一般都是PWM控制，主板上的thermal resistor通过A/D读进
controller，然后通过一个PWM引脚控制fan第三线上的MOSFET开关通过fan的电流。
your |
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t****g
发帖数: 35582 | 35 供电一般的电路是每一相一对mosfet管，一个滤波电感
所以你就数多少颗电感就行了。
比如ud3r就有12相，ud7好像是16相 |
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t*****s
发帖数: 1309 | 36 PCB层数，供电散热，供电相数，也许单相的Driver和L/H-MOSFET也不一样 |
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t*****s
发帖数: 1309 | 37 对
蓝宝迪兰这类AIB很少出过电气性能强于公版的高端卡，即使是蓝宝TOXIC也是在PWM芯
片，MOSFET之类料件上基于公版进行控制成本的产物
散热器工艺就更不用多提，TOXIC能开模做OTES已经是三大厂之外的翘楚了 |
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发帖数: 1 | 38 Silicon Carbide: Smaller, Faster, Tougher
Meet the material that will supplant silicon in hybrid cars and the electric
grid
Illustration: Anatomy Blue
Some technological revolutions are flashy, and some are almost invisible. We
’re quite familiar with the flashy ones; they’ve given us powerful
computers we can hold in the palms of our hands, devices that can pinpoint
our locations by way of orbiting satellites, and the ability to bank and
shop without leaving our homes.
But none of these innovat... 阅读全帖 |
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c****3
发帖数: 10787 | 39 历史是这样的。50年代大学根本没有CS这个专业，只有电子工程。搞个图灵奖是为了可
怜他自杀了。
AT&T的贝尔实验室为了自己通信系统，搞了晶体管，MOSFET，unix和c语言，AT&T关心
的是通信系统，对它来讲，重要的是香农，图灵对它根本无所谓。现代计算机，互联网
其实都来自贝尔实验室的副产品。教主，比尔盖茨这些人，其实也是黑客出身，当年跟
着Cap'n Crunch后面，盗打AT&T的长途电话，这些硅谷传奇里都写了。
没这些人和事件和贝尔实验室，甚至Cap'n Crunch，历史轨迹都得变了。没图灵，历史
也不会有任何变化。
IBM搞得那些古董，还呆在银行里，对现代计算机系统发展没啥影响。 |
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s*******y
发帖数: 44 | 40 MOSFET单位都是um，应该没标错，而且NETLIST是从LAYOUT直接EXTRACT出来的。 |
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k******z
发帖数: 3 | 41 请问哪位前辈CADENCE比较熟悉，我现在在用CADENCE搭建MOSFET的模型,EKV,觉得没有
好的教程，摸索了很久也没有找到怎么搭建，请问哪位前辈不忙的话，不吝赐教指点一
下：）非常感谢
msn:k********[email protected] |
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d*****a
发帖数: 10 | 42 我是做compact modeling的，Finfet只是其中的一个应用，原则上讲可以引入到传统的
mosfet里面。坛子没有做compact modeling的吗？ |
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c*********6
发帖数: 858 | 43 As far as the power supply of notebook computer, the +5v converted by the +
18.5v is always on. When you hit the power button, it will give a pulse to
the power management IC to enable the voltage regulator to generate the
power supply of CPU, +3v and +1.25v(depends on what kind of the CPU).
The switch regulator often has a high frequency oscilator ( from several
hundreds kilo Hz to tens Mega-Hz) to control power mosfets to get the
desired voltage. |
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b*****e
发帖数: 1193 | 44 TVS 并在high ，low之间，提供一个泄流降压通道。
其实你的应用适合用power mosfet，一般都自带保护和故障诊断。 |
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c*******l
发帖数: 4801 | 45 拿单个mosfet出来是知道的，
到了circuit里一下就弄反了， 呵呵 |
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c*******l
发帖数: 4801 | 46 哇！！！！多谢！
难怪我说我怎么都记得我以前学的放大电路都工作在线性区的，什么时候突然一下都
喜欢saturation了。这就对了，bipolar是工作在线性区，而mosfet是saturation，
看来咱还没老到愚蠢的地步哈
哈哈。谢谢！ |
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f*****0
发帖数: 489 | 47
that's mostly due to the miller capacitance getting "shorted" through the (
low-impendance) b-e junction in a bipolar or a g-s junction in a mosfet. |
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c*******l
发帖数: 4801 | 48 goog了一下
Vcc---bipolar collector voltage bias
Vdd---MOSFET drain voltage bias
Vss---source voltage |
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