gr
发帖数: 2958 | 1 不知道，应该还没有吧，
IGBT相比MOSFET什么的属于比较复杂的工艺了，
当年84年小日本也是好容易才搞出来的。 |
|
ET
发帖数: 10701 | 2 10％ is from JEDEC standard, as I remembered.
breakdown 分成soft breakdown and hard breakdown. soft breakdown多指"器件性能
变差，但还能用", hard breakdown就是彻底击穿不能用，所以就有failure rate.
工业界出的产品，一般（好吧，有些有）都有做JEDEC标准测试的，会给出这些测量数
据，还有其它更多与可靠性相关的测试；另外foundry也会给这些测试数据。一般都是
有stress的数据来预计device的寿命。
reliability的主要是用于寿命预测的，在预测的寿命年限内，用还是可以用的。
10% |
|
l*******k
发帖数: 1974 | 3 是不是反馈增益太大。MOSFET Gate PWM 信号应该在 rectified sine wave小的时候宽
。大的时候窄。 |
|
l*******k
发帖数: 1974 | 4 是不是反馈增益太大。MOSFET Gate PWM 信号应该在 rectified sine wave小的时候宽
。大的时候窄。 |
|
|
g******u
发帖数: 3060 | 6 well, the first power MOSFET costs about $100/piece, so, you'll never know
how it'll go. |
|
y******7
发帖数: 27 | 7 转到power device 是不是会比做普通的MOSFET强点？要不要自己学点TCL之类的编程，
看有的招聘上有要求会些script的语言。 |
|
s****s
发帖数: 58 | 8 Any one interested or have recommendation?
Background in EE,master or under are both ok, need hands-on experience with
labs, simulation, mosfet, better with knowledge of power electronics.
站内联系 |
|
j***e
发帖数: 287 | 9 万分感谢!!!
请发到y*********[email protected]
Title: "Small-signal parameters and thermal noise of the four-terminal
MOSFET in non-quasistatic operation", Pu, L., Solid-State Electronics, vol.
33, issue 5, pp. 513-521 |
|
a*******d
发帖数: 128 | 10 被雷后已找工作一个月了，面试了不少，但尚未收到offer，故在版上求一个内推的机
会：
5年工作经验，主要集中于IGBT和MOSFET在工业和汽车领域上的应用，如电机驱动，电
池管理系统，逆变器，DC/DC等，熟悉硬件/PCB绘制，汽车级电子产品的可靠性，希望
找一个相近的AE、FAE或TE的职位，谢谢。 |
|
a*******d
发帖数: 128 | 11 被雷后已找工作一个月了，面试了不少，但尚未收到offer，故在版上求一个内推的机
会：
5年工作经验，主要集中于IGBT和MOSFET在工业和汽车领域上的应用，如电机驱动，电
池管理系统，逆变器，DC/DC等，熟悉硬件/PCB绘制，汽车级电子产品的可靠性，希望
找一个相近的AE、FAE或TE的职位，谢谢。 |
|
f****k
发帖数: 1231 | 12 depends on what you want. if you only care about the average current, you
can leverage the serial resistance in the winding. If you want to do a real
time measurement, that may depends on your actual circuit. For example, if
it is a buck/boost, like someone mentioned, you can sense the mosfet current
. |
|
p*********y
发帖数: 33 | 13 是想sense inductor的电流信息，然后做一些control的。电流差不多是10A～30A吧。
mosfet是offchip的。 |
|
l**********7
发帖数: 614 | 14 公司产品设计在模拟地和外部地加了电容，但是现在有ESD问题存在。
我建议是直接用0电阻连接，但是老板不同意，说根据内部电路，这2个地之间有个
switch，估计是MOSFET。
想在这里问问做模拟芯片设计的
1，我在外部是否可以直接用0电阻短接？
2，在地线上用switch一般是不是省功耗？还有过压过流保护功能么？
谢谢 |
|
l***g
发帖数: 1035 | 15 电子技术无障碍? 说说哪家可以做个opamp, mosfet, fet driver, isolator, chip re
sistor, chip capacitor, never-the-less optical parts... |
|
|
c******3
发帖数: 19 | 17 device靠近物理确实很冷,真的很渣的话就努力转成CS, 郁闷的是这个方向想换个工作
都难得登天.... |
|
|
|
w********t
发帖数: 5586 | 20 给你指条明路。。
把功夫学到家了。。
然后去大公司些连，
再回国创业。。
现在国内缺德就高压大功率器件这一块。。 不过要专家。。 不要 fresh 的。。
also depends on ur professor's level>
which school are u with> Rutgers/ NC State? |
|
|
|
a********m
发帖数: 92 | 23 小弟八月份毕业，开始找工快两个月了。感觉indeed和linkedin上虽然opening不少，
但是对fresh而言还是很艰难。我相信只要能找到第一份工作，以后的路应该会越走越
宽。希望版上各位过来人能给点建议，或者分享一点求职信息，在下感激不尽。
背景：
主要做过一些强电方面的design 和 testing
ECE Master Power Electronics
Experienced in the fields of:
- DCDC DCAC converter/inverter
- Linear & switch mode voltage regulator
- Magnetic components design
- Power MOSFET gate drive design
- Power electronics circuit modeling and analysis
- Electric vehicle traction drive system
- Wide bandgap semiconductor device (GaN & SiC) evaluation... 阅读全帖 |
|
|
m*****t
发帖数: 3477 | 25 前景预测很难，silicon platform都是要为application服务的，谁知道下一个killer
application是哪个领域先出来。
但是业界GaN-on-silicon要比GaAs新鲜点，后者已经比较成熟了。不过前者也多是
hybride design，还是要和silicon的power mosfet一起用，主要还是贵。 |
|
k**n
发帖数: 14 | 26 您好，
我做过GaN Mosfet的switching power circuit，您有没有更详细的说明？ |
|
k**n
发帖数: 14 | 27 您好，
我做过GaN Mosfet的switching power circuit，您有没有更详细的说明？ |
|
a*******d
发帖数: 128 | 28 就是生意不好，cut cost，上个季度的10Q是这么说的：
On October 28, 2013, the Company announced various cost reduction programs
as part of its continuous efforts to improve efficiency and operating
performance.
The programs primarily focus on a plan to enhance the competitiveness of its
MOSFETs segment and a voluntary separation / early retirement offer to
certain employees Company-wide. The Company also plans to implement two
other smaller cost reduction programs concerning the manufacturing of
products within its D... 阅读全帖 |
|
|
a***a
发帖数: 2493 | 30 蓝光LED的重要性不可能高于flash memory 和 3d mosfet，施敏和胡正明完全够资格同
拿诺奖的，希望两位巨匠能够活得足够长吧。
的基 |
|
d**g
发帖数: 1031 | 31 公司根本找不到合适的啊.
最近都把美国外的人拉来面了, 国际机票,旅馆,费用下血本了, 就这样还是找不到人.
整天嚷嚷工作要外包的这回可走眼了.
•Power Systems Engineer (DC/DC) - San Jose, CA
•Application Engineer (LED and Battery Chargers) - Sunnyvale, CA
•Director of Marketing - Power ICs and RFPAs - Sunnyvale, CA
•Design Manager, Power Management - Sunnyvale, CA
•AC/DC Power Supply Design Engineer - San Jose, CA
•Sr Application Engineer (power ICs) - San Jose, CA
•Analog Power IC Design engineer - San Jose, CA
•Lead... 阅读全帖 |
|
b********d
发帖数: 720 | 32 跟我申过的有一家的opening很像，P开头的
不过这种做power device的大概是不搭理没有power device经验的吧
比如MOSFET/device那个，我觉得其实我也可以做，不过人家还是不会给机会的，因为
不是EE major
//不是说lz,是我之前申过一些，被默拒了 呵呵 |
|
m*****t
发帖数: 3477 | 33 看看其它的openning,这个公司招的主要是power/analog的，所以这里的MOSFET，十有
八九是LDMOS或者ATO，追求low Ron, high Rout，结构远比普通的bulk CMOS复杂。之
前没有经验还真不好做。 |
|
g****t
发帖数: 31659 | 34 你不是apple的?
公司根本找不到合适的啊.
最近都把美国外的人拉来面了, 国际机票,旅馆,费用下血本了, 就这样还是找不到人.
整天嚷嚷工作要外包的这回可走眼了.
•Power Systems Engineer (DC/DC) - San Jose, CA
•Application Engineer (LED and Battery Chargers) - Sunnyvale, CA
•Director of Marketing - Power ICs and RFPAs - Sunnyvale, CA
•Design Manager, Power Management - Sunnyvale, CA
•AC/DC Power Supply Design Engineer - San Jose, CA
•Sr Application Engineer (power ICs) - San Jose, CA
•Analog Power IC Design engineer - San Jose, CA... 阅读全帖 |
|
B****S
发帖数: 597 | 35 激光器，光集成芯片等，是不是和Si的MoSFET一样到头了？ |
|
b********d
发帖数: 720 | 36 MOSFET工作岗位还是很多的
激光半导体位置就蛮少 |
|
h*******d
发帖数: 1530 | 37 Fairchild的MOSFETs做的还是不错的，属于业界TOP level的 |
|
w******3
发帖数: 5 | 38 求审稿。本人工作和phd方向为III-V and Si device, 包括memory device, mosfet,
photodetecor, RF/microwave devices, 以及characterization, device modeling,
fabrication. 审稿快，请站内联系。 |
|
m*****t
发帖数: 3477 | 39 这下我也糊涂了。你这个device level是指什么？
discrete power MOSFET，IGBT?
PMIC design?
IPM?
还是板级的Power Module design? |
|
g******u
发帖数: 3060 | 40 应该找个低压logic level power mosfet就能带动了吧。100k应该还可以。 |
|
f******g
发帖数: 147 | 41 大家好, 本人今年年底(Dec. 2014) EE硕士MS毕业, 目前在找一份电力电子的工作. 本
人有超过四年的电力电子经验, 主要非常熟悉电力电子的硬件仿真, 设计, 以及测试.
做过好几个industry sponsor的和NSF的projects. 对GaN 和SiC非常熟悉, 也有过在
在某业内大公司的暑期实习经验. 总结下来我的qualification有:
1. 4+ years’ experience in power electronics hardware design and testing
2. In depth understanding of power devices (MOSFET/IGBT), gate drive design,
and protection design
3. In depth understanding of wide bandgap devices (SiC and GaN)
and their applications in power
electronics circuits
4. Comprehe... 阅读全帖 |
|
f******g
发帖数: 147 | 42 大家好, 本人今年年底(Dec. 2014) EE硕士MS毕业, 目前在找一份电力电子的工作. 本
人有超过四年的电力电子经验, 主要非常熟悉电力电子硬件的仿真, 设计, 以及测试.
做过好几个industry sponsor的和NSF的projects, 都是有电路分析, 硬件设计和实验
的. 对GaN 和SiC非常熟悉, 也有过在在某业内大公司的暑期实习经验. 总结下来我的
qualification有:
1. 4+ years’ experience in power electronics hardware design and testing
2. In depth understanding of power devices (MOSFET/IGBT), gate drive design,
and protection design
3. In depth understanding of wide bandgap devices (SiC and GaN) and
their applications in power electronics ... 阅读全帖 |
|
s*****2
发帖数: 42 | 43 I have more than 9 years of R&D and product development in semiconductor
devices, especially on high-power and high-temperature device field: MOSFET,
JBS, IGBT, JFET, BJT, MPS, SBD, PiN, GTO
Ask for paper review on semiconductor device modeling, processing and
characterization, especially on power device. |
|
s*********r
发帖数: 265 | 44 recruiter发来的信息，非内推，有意的朋友可直接联系recruiter或者Cree的人 :)
FAE – Power Products; Req # 2015-2418
Responsibilities
We currently have an opening for a Field Application Engineer within our
Power Sales group. This position
will be stationed at our Americas headquarters facility in Research Triangle
Park (Durham), NC USA.
The position reports to the Americas Sales Manager.
Experience as a Design Engineer or Apps Engineer for SiC power products (ie.
IGBTs, MOSFETs, Schottky
Diodes, etc) into Industrial ... 阅读全帖 |
|
m******g
发帖数: 621 | 45 留学生毕业后去做尖端前瞻性(10NM, 7NM) MOSFET FABRICATION/SIMULATION/DESIGN有
没有身份或者CLEARANCE方面的问题？
小弟先行谢过 |
|
m******g
发帖数: 621 | 46 留学生毕业后去做尖端前瞻性(10NM, 7NM) MOSFET FABRICATION/SIMULATION/DESIGN有
没有身份或者CLEARANCE方面的问题？
小弟先行谢过 |
|
y****y
发帖数: 179 | 47 清华大学微电子所钱鹤教授组招收博士后和研究员，面向有意回国发展的同学，薪资向
美国博后和国内公司看齐。
组里的研究方向包括：新型存储器（阻变存储器，3D NAND）芯片、神经形态器件和类
脑计算芯片、信息安全芯片、用于无人机、行走机器人的芯片、二维材料、高迁移率沟
道材料、纳米MOSFET器件涨落等。器件、电路、材料，物理等背景的都可以申请，博士
的研究课题已是相关领域的就更好了。
先说博士后吧。提供解决北京户口，国内博士后的户口、住房、公积金等福利就不多说
了，尤其是全家北京户口这一点现在已经不好用金钱来衡量了。如果申请者毕业于排名
前100的大学，可以申请学校的博士后人才计划，每年有30万RMB的工资，比绝大多数美
国学校都高，这个需要提前半年申请，成功率还是非常高的。申请普通的博士后，学校
大概提供每月4000多的工资，组里也额外每月加4000-5000的奖金，如果表现出色，也
可以再加，每篇论文也有额外几千元的奖励。
再说说研究员和工程师，除了上述研究方向以外，也招几位电路设计和测试工程师，需
要有过电路设计和测试经验的，待遇是跟国内企业看齐的，比如同类型同资历的人在公
司里是... 阅读全帖 |
|
g*********h
发帖数: 18 | 48 个人感觉这个组是为数不多的做有用的纳米技术的组之一。
1. Post-doc Position in Nanoscale Transistors and Nanofabrication
NanoStructure Laboratory at Princeton University has a post-doc opening in
the area of advanced nanoscale Si transistors and nanofabrication. The
candidate should have a PhD and have demonstrated abilities in design,
fabrication and characterization of nanoscale MOSFETS or nanofabrication or
equivalent. The interested candidates should email their CV, research
statement and list of 3 references to Prof. |
|
m*******e
发帖数: 119 | 49 FET is the general name for all field-effect devices, such as MOSFET, MESFET
, JFET, thin-film transistor, etc. HEMT, also called MODFET, is a sub-group
of FET. All FET devices uses electric field created by gate voltage to
control the conduction level between source and drain (that's why they are
called field effect transistor).
In traditional FET devices, the channel region is doped with impurities.
Carrier mobility is reduced due to scattering by the impurity ions. To
enhance carrier mobility |
|
M*********m
发帖数: 2024 | 50 Just consider the dominant pole response of the front end. It will be -20dB/
dec after it passes the 3dB bandwidth. It's the determined by response of
the MOSFET/HEMT electronics. Typical bandwidth of the spectrum analyzer is 0
-2GHz, some 10GHz. In military, you do have 100GHz spectrum analyzer. But
you need to consider the absorption curves of the atmosphere. Range of THz
signal is limited by this absorption. The transparent window of the air is
around 2GHz and 40GHz if I remember correctly.
Y |
|
