S***l
发帖数: 383 | 1 Job Description: Sr. ASIC DFT Engineer
As part of the Central DFT group, you will be responsible for architect,
implementation, verification, and lab bring-up of the DFT and DFM solutions
for the advanced and comprehensive Design for Test/Manufacturing (DFT/DFM)
features for the system on a chip integrated in the industry leading edge
network products.
Core Responsibilities:
• ASIC DFT lead to top level architect, implement and verification of
DFT features including MBIST, Logic BIST,... 阅读全帖 |
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t****a
发帖数: 3544 | 2 曾经做过两年的DFT开发, 来说说我的看法.
作为第一性原理的最大的一支, DFT在物理上最大的用途, 还是在于具体材料的计算.
也就是说, 单纯靠DFT来揭示新的物理, 还是很少见的. 往往是对某个物理问题有了理
论上的模型,这个模型可以解释一类问题. 然后当应用这个模型到具体的物理材料时, 里
面的参数就可以用DFT来进行定量计算了. 这也是为什么DFT在材料,化学,甚至生物学科
取得越来越广泛应用的原因. 可以预见, DFT将来会得到更加广泛的应用, 也将产生更加
深远的影响.
但是, DFT永远不能取代其他的物理模型. 因为物理是多层次的,多方面的.物理思想也
是体现在这些模型里的. 这也是我为啥转做模型的原因.
BCS |
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f**********r
发帖数: 61 | 3 我对你说的每个观点都持不同意见。
最近一年我开始研究有机超导和铁基超导，对你说的第一个问题再熟悉不过了。1. BCS
理论计算超导温度的公式中有两个参数。一个是在费米处的能态密度，一个是声子和电
子的耦合强度。假如说rigid band成立的话（按你的隐含条件），即使费米能态密度比
较小，如果耦合强度比较大的话也有可能产生高的转变温度。K3C60的N(Ef)就在峰顶的
右侧，但其有30K的Tc。
2. rigid band在铁基超导中一定成立吗？我的经验是否定的。
3. 如果你抱着一些人先入为主带来的观点，你会遇到很大的问题。比如，在iron
pnictides中bcs理论不管用，但是在新发现的iron selenides中，一样的结构却有千差
万别。
gaphene是很罕见的一种结构简单但物理复杂的系统，但是也就是因为结构简单，所以
很多搞理论的人可以在里面玩更多超越一般dft的多体物理。但是我还是认为，即使你
用tight-binding理论，如果你的结构不处于一个稳定态，你所计算的结果里就是在一
个stretched or compressed的外在条件产生的,这就像你在高压下测... 阅读全帖 |
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m*****r
发帖数: 3822 | 4 DFT说到底还是工具，这里面有两类人，一类是开发工具，一类是使用工具的。
Louie这种就属于两个都做的，但是现在DFT对于大多数计算都已经非常成熟了。
所以看上去这些大牛也就是‘低层次’的算算。这些人其实也一直在发展DFT，
只不过现在文章看上去不怎么fancy，我觉得还处在积累阶段，这个基本上和
高温超导这个老牛肉差不多。DFT一个很有意思的事情是像LDA这种很ugly的东西，
居然在大部分情况下都挺work的，搞成hybrid改进并不明显。
对于把DFT当做工具的，懂底层原理和不懂的差别还是很明显的，而且真正
的大牛也主要是在想物理，code本身只不过是个实验工具。照STM和测光谱的水平
还有差别呢。
还有个好玩的事情，PR系列里前十引用的paper有6个是和DFT能带计算有关的，
top10另外还有两个RMP的。
算.
里
更加
想也 |
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x*z
发帖数: 381 | 5 DTFT的output是个连续量
DFT的output是个离散量，若DFT长度为N，则DFT_output是DTFT_ouput在【0，2pi】
范围内2pi*k/N,k=0,1,..N-1的sample值
FT除以T得DTFT，DTFT通过rectangular window之后变成DTFT_w,然后再按上一段所述在
2pi*k/N上取值得到长度为n的DFT的值。
可选用其它window来降低rippling（坏处是其它window会增加smearing，也就是主峰宽
度）.Hanning(0.5),Hamming(0.54),Blackman(0.42)
之所以DFT之后需要乘2除N是因为rectangular window后的DTFT_w会乘上一个系数L/2.
另外由FT变成DTFT时候多除了T，所以需要补回来，因此总共需2*T/L=2/N |
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a*****e
发帖数: 4577 | 6 【 以下文字转载自 NanoST 讨论区 】
发信人: abalone (hope), 信区: NanoST
标 题: 用DFT算纳米材料光学性质的疑问
发信站: BBS 未名空间站 (Fri Dec 11 14:31:37 2009, 美东)
这些年似乎很流行用密度泛函（DFT）算纳米材料光学性质
以碳纳米管(CNT)为例
普遍流行的做法是DFT算能带和波函数，然后用Fermi's golden rule算imaginary part
of dielectric function，然后用Kramer-Kronig transform算real part
首先这个算法就很不准，因为DFT本来就只能算清楚基态的能量，对于vitural orbital
的计算本来就不准确。现在有一些新的计算方法可以引入many body effect
第二，纳米尺度的dielectric function的定义本身就有问题，dielectric function是
D/E，但是电位移的定义本来就是在微观大的条件下定义的。在原子尺度定义的介电常
数有什么实际意义呢？这个介电常数如何和宏观的光吸收进行比较呢 |
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m*****r
发帖数: 3822 | 7 这个东西现在算发展的比较成熟，除非针对一些特殊的体系。算法优化比如现在GPU
之类的专门有搞数学的来。你可以把DFT看成一个实验仪器，你就是它来‘测’一些
东西。当然从原理上掌握比较好，做出来的结果也更好更可靠。这个其实和做实验
是一样的，同样的仪器不同组做出来质量也不一样。DFT也是这样，基本就是那几个
祖师爷门派下面的比较靠谱。不过搞DFT比较杯具的是不像做实验比较容易转
industry，又不像理论的可以去搞quant，也就是说搞DFT出了门基本什么都不是。 |
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w***o
发帖数: 1806 | 8 【 以下文字转载自 EE 讨论区 】
发信人: wodoo (福), 信区: EE
标 题: DFT/verification engnieer
发信站: BBS 未名空间站 (Mon Jun 1 14:15:32 2015, 美东)
Bay area big company needs ASIC DFT(design for test) engineer who
understands DFT, digital IC testing and gate level simulation, any level.
Please email me ASAP: [email protected]
/* */ |
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b*******s
发帖数: 4 | 9 Apple（我所在的组）招 ASIC DFT/DV Engineer.
非常希望国人加入！如果感兴趣请发简历至 [email protected]/* */ 简历楼主会筛选
一下，如果没问题可以直接递给hiring manager.
Key Qualifications
The ideal candidate will have 3+ years of DFT DV experience, leading DFT DV
efforts for large processor and/or SOC designs
The ideal candidate will have relevant experience including: MBIST, ATPG,
JTAG, 1500.
Experience with verification language such as SystemVerilog is a plus
Experience with Verilog is a plus
Knowledge of IEEE 1500/IEEE 1149
Experience ... 阅读全帖 |
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p*****n
发帖数: 93 | 10 【 以下文字转载自 JobHunting 讨论区 】
发信人: pineyan (攀岩), 信区: JobHunting
标 题: 招DFT Engineer
发信站: BBS 未名空间站 (Tue Apr 22 22:38:31 2008), 转信
公司在Santa Clara，CA，规模5000人，做半导体芯片设计
教育背景只要是EE 微电子相关就行，本科及以上
最重要的要求是聪明，刻苦，能自己钻研，有不解决问题不罢休的劲头
刚毕业，有经验都行
有DFT背景最好
绿卡之类的应该来了就能开始办，绝不在这方面卡人
待遇应该也不错
发在bbs上主要想能多招几个同胞，改善部门的族裔比例 :)
有意请给我发message，或者发email到p*****[email protected]
Job description:
The DFT engineer need to work all the way from plan definition, clocking,
memory/io bist design/verification, scan insertion/ |
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S***l
发帖数: 383 | 11 my department has one opening for fresh graduate (PhD preferred) in the area
of ASIC DFT (Design for Test).
========================================================
Requirements:
- MS/PHD thesis on test related topics
- clear understanding of key VLSI test topics, such as scan, ATPG,
compression technologies
- programming skills: Verilog/VHDL, Unix scripting(tcl, perl, shell)
Job location is San Jose, CA. Inbox me for details if you are interested.
Need to fill ASAP.
============================... 阅读全帖 |
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p*****x
发帖数: 17 | 12 Marvell at Colorado is looking for experienced ASIC design and DFT engineers
. Send me resume if you are interested. Positions will be filled shortly.
For DFT engineer:
Responsible for system-on-chip (SoC) test architecture definition, scan
insertion, test IP design, scan pattern generation, verification and ATE
debug
BSEE with 6+ years or MSEE with 4+ years experience in ASIC design
development
Must be familiar with
DFT Methodologies: Scan, Transition-Defect Fault, BIST and JTAG
Synopsys or Men |
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a*****e
发帖数: 4577 | 13 这些年似乎很流行用密度泛函（DFT）算纳米材料光学性质
以碳纳米管(CNT)为例
普遍流行的做法是DFT算能带和波函数，然后用Fermi's golden rule算imaginary part
of dielectric function，然后用Kramer-Kronig transform算real part
首先这个算法就很不准，因为DFT本来就只能算清楚基态的能量，对于vitural orbital
的计算本来就不准确。现在有一些新的计算方法可以引入many body effect
第二，纳米尺度的dielectric function的定义本身就有问题，dielectric function是
D/E，但是电位移的定义本来就是在微观大的条件下定义的。在原子尺度定义的介电常
数有什么实际意义呢？这个介电常数如何和宏观的光吸收进行比较呢？
想请教一下大家对这个问题的理解
谢谢 |
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K*****k
发帖数: 1611 | 14 DFT主要是不适于Mott insulators.因为它们是中强电子关联系统，而DFT说道底，还是
基于单电子
图像。 另外，PW你是指GW吗？
。。。。。
但是对于insulator，就不能忽略。所以对于insulator来讲，传统的dft基
本上就歇菜了，算出来的东西基本上是不对的。我们也熟知有很多实验把Si,Ge的一些
吸收谱的exitonic effect研究的还蛮仔细的。
解决方案，
1. PW method，很费时间，算出来的东西很准，对于band gap计算比quantum monte
carlo还好。 |
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C**R
发帖数: 1047 | 15 这位同学也对dft一知半解吧。dft的创立是基于hogenberg-kohn定理的。根本的问题就
是他算的
是ground state。如果要算exited stated，那就必须要考虑quasiparticle的产生，这
个理
论本身就没有这个term。最简单的讲，electron-hole interaction对任何材料都是存
在的，
即使是金属，区别只是life time的问题。对于insulator来讲，这个life time很长，
所以对吸
收谱有很大的影响。所以必须要搞bethe-salpeter那套东西。
另外就是，dft是kohn-sham把single particle interaction单独搞了出来，把所有的
many body effect都放在了exchange-correlation term 里面。in principle 如
果这个exchange-correlation term可以正确的得到的话。那么就可以完全正确的算出
任何材料
的ground state properties. 说说mott insulators的问题。mott insula |
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K*****k
发帖数: 1611 | 16 呵呵。赞一下你的口气。
DFT是在自洽的方式下，利用单电子薛定谔方程得到系统的基态电子分布。所以是个平
均场理论。它的的
局限是基态和电子弱关联系统。用它来讨论激发问题,如band gap，谱学问题，强关联
系统，就比较勉
强，甚至是不对的。
我主要是觉得，你说DFT碰到insulator就歇菜，有点夸张了。DFT在非强关联的
insulator的基态性
质的应用还是广泛存在和得到认可的的。 |
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m*****r
发帖数: 3822 | 17 发文章还是相对做实验容易些，当然现在PRL不好混了，PRB/APL还可以。就像下面
这位兄弟说的，如果没有实验结合的工作基本没人care。
如果你是说用DFT做一些材料模拟，最近一个例子是graphane的，大概07年DFT predict
这个东西发在PRB上，后来别人做实验直接就是Science。但是DFT一般来说trash比较多
。。。
如果是搞方法发展的话水太深，基本和搞凝聚态理论差不多了，要跟大牛混。 |
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m*****r
发帖数: 3822 | 18 搞DFT计算80年代那批大牛实际上非常厉害，很多detailed的东西可能很多所谓
搞高层次的理论家觉得档次很低，但是没有那个时期那么多大牛也不会有现在
那么好用的DFT。搞DFT的大牛一般都横跨各个领域，从MD到strongly-correlated通吃。
很简单的普通物理也可以搞出很好的paper。
phase |
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w*s
发帖数: 60 | 19 We have 3 DFT (design for test) engineer positions (from junior to SMTS) in
a big semiconductor company in bay area. Simple requirements:
1. General DFT knowledge
2. Have ATPG tooling experiences
3. Some mixed-signal design experience as plus |
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p*****n
发帖数: 93 | 20 【 以下文字转载自 JobHunting 讨论区 】
发信人: pineyan (攀岩), 信区: JobHunting
标 题: 招DFT Engineer
发信站: BBS 未名空间站 (Tue Apr 22 22:38:31 2008), 转信
公司在Santa Clara，CA，规模5000人，做半导体芯片设计
教育背景只要是EE 微电子相关就行，本科及以上
最重要的要求是聪明，刻苦，能自己钻研，有不解决问题不罢休的劲头
刚毕业，有经验都行
有DFT背景最好
绿卡之类的应该来了就能开始办，绝不在这方面卡人
待遇应该也不错
发在bbs上主要想能多招几个同胞，改善部门的族裔比例 :)
有意请给我发message，或者发email到p*****[email protected] |
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S***l
发帖数: 383 | 21 【 以下文字转载自 JobHunting 讨论区 】
发信人: Snail (fff), 信区: JobHunting
标 题: ASIC DFT engineer position for fresh graduate
发信站: BBS 未名空间站 (Thu Jan 10 01:32:16 2013, 美东)
my department has one opening for fresh graduate (PhD preferred) in the area
of ASIC DFT (Design for Test).
========================================================
Requirements:
- MS/PHD thesis on test related topics
- clear understanding of key VLSI test topics, such as scan, ATPG,
compression technologies
- programming skills: Verilog/VH... 阅读全帖 |
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c****r
发帖数: 1960 | 22 现有Elsevier旗下一个杂志的审稿机会，涉及高分子制备和DFT计算。需要一个懂DFT的
人审稿，他/她最好也懂液晶
如果觉得符合条件，请私信我，注明expertise。如果背景不能完全符合，不保证一定
能拿到这个审稿机会。
谢谢关注 |
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k*****c
发帖数: 5 | 23 这个问题本身提得比较模糊。但一般来说，我们在实际采样时不可能
也不必要使离散信号的时间长度是该信号周期的整数倍。在利用DFT
分析时间序列时，实际上存在着两个采样的过程：第一个采样过程是
时域采样。在这个过程中我们通常在做两件事，一是数据加窗，窗长
和窗的类型决定了信号频谱的分辨率（设窗常为tp秒，那么矩形窗的
频域分辨率是2/tp赫兹，hamming and
hanning窗是4/tp赫兹，blackman窗是6/tp赫兹；二是时间序列的离
散化，考虑nyquist定理的要求就可以了。第二个采样过程是频域采
样，这个过程决定了我们要用如何精细的程度观察信号的频谱。这个
观察的精细程度可以通过对信号补零从而改变DFT的点数进行调整。z
zr提到问题实际上是假定了时域采样和频域采样的点数相同。但是在
这种情况下，取离散信号的时间长度是该信号周期的整数倍更加不适
当，因为这样会出现频谱是孤零零两条秃线的很misleading的情形。 |
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z*****n
发帖数: 7639 | 24 You are talking about DFT for digital signals.
In this case, the first thing is the sameples
you take from analog signals. If the samples taken
is not periodic, it will make "frequency leaking"
when applying DFT.
In the case the number samples is the a common
multiplier of two individual input sequences,
you will see clearly two spikes on spectrum. |
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s******g
发帖数: 157 | 25 【 以下文字转载自 JobHunting 讨论区 】
发信人: striling (anti cnn), 信区: JobHunting
标 题: 问个DFT的问题
发信站: BBS 未名空间站 (Sun Feb 22 01:24:03 2009)
DFT 和 discrete radon transform，那个是information lossless的？ 或者两者都是
lost information?
谢了啊 |
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u*****y
发帖数: 21 | 26 我的理解是：DTFT: in time domain, the sample has infinite discrete points,
so in frequency domain, DTFT is continuous. DFT: in time domain, the sample
has finite discrete points and suppose the points repeat in time domain, so
in frequency domain, DFT is also discrete.
哪位指导指导 |
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w***o
发帖数: 1806 | 27 Bay area big company needs ASIC DFT(design for test) engineer who
understands DFT, digital IC testing and gate level simulation, any level.
Please email me ASAP: [email protected]
/* */ |
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y*****x
发帖数: 3291 | 28 假设有 a， b两个 polynomials, 每个都是 degree from 0 to n,
padding n trailing zeros , get A(2N+1) B(2N+1),
用DFT求得A(2N+1), B(2N+1)的 vector,
假设 A l is the l th element of DFT A(2N+1), also for B l
Provide a constant time algorithm to evaluate the
expression
1/(2n+1)^2 * ( sum of (A l) * sum of (B l) ) |
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m*****r
发帖数: 3822 | 29 我自己没具体搞过这个。但是感觉上metal的话在外界干扰的情况下，电子态
变化比较大，也就是说会有激发态出来。所以可能实验测的是激发态的能谱，
而DFT是算的基态，这个时候可能需要用TD-DFT。
半导体可能这种电子relaxation比较不显著。不过对CNT来说，貌似它meta和semi
差别不太明显。不过这方面最近的实验应该不少，查查看？ |
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C**R
发帖数: 1047 | 30 IM(1/epsilon)是对光子吸收的几率。对光子吸收的cross section，就像你说的，使用
来算。排除exchange-correlation的近似外，dft计算的是ground state，而
且计算的不是真正的wave function。这个dft算出来的single electron k-s orbitals
，严格讲只对charge density 有意义，本身没有实际的物理意义。但是经验上发现，k
-s orbitals的能级和实验上可以吻合，所以可以暂时认为有意义。
好，再回到光子吸收的问题上，这个时候实际上是个exitation的问题。如果你还记得
hartree-fock的话，你就知道，当你把某个electron放个位置的话（比如2p放到3d)，
实际上你的core electron是要重新relax的（如果core hole/exciton life time足够
长的话）。这就是说,你的光子吸收，probe的不是ground state valence band to
conduction band的hopping问题，而是有excit |
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C**R
发帖数: 1047 | 31 我是做实验的，对dft稍有涉猎，经常和dft theorists聊天合作。
我们的technique对于low energy exitation可以达到1-3nm左右的resolution，测的是
Im(1/epsilon). energy resolution可以达到0.1eV。这个spatial resolution,你用光
子是做不到的。但是我们的technique也有我们问题，比如chrenkov radiation就通常
无法避免，这样的话测的就不是真正的Im(1/epsilon)。 |
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m*****r
发帖数: 3822 | 32 DFT本身是严格的，当然实际用方程是个单电子方程，但是和平均场还是有区别的。
他说的是激发态性质，DFT算semiconductor非占据态经常有问题。 |
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J*******3
发帖数: 1651 | 33 单纯的搞DFT 看来是没的好混的。如果纯粹理论预言，没试验backup。估计连篇小文章
也难发的。
那可咋办呢？ 本来是搞解析的，觉得解析局限性太大没什么出路。想暗暗学点DFT---
它似乎更powerful。
看来也是玩完耶。 |
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c********e
发帖数: 70 | 34 是否需要优化结构是一件有争议的事。是这样的，计算的目的是由结构解释物理现象，
最好的结果当然是用实验结构解释实验现象，但是不是总能做到。比如说实验结构不清
楚，这时就需要优化，这里假定的是DFT能够重复实验结构。另一种情况是用实验结构
得出错的结果，优化后正确了，这时就有争议了。
真正的DFT行家是很少优化结构的，除非迫不得已。优化结构是层次比较低的只会比较
总能的user喜欢用的。
then |
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f**********r
发帖数: 61 | 35 为什么动不动就要谈到层次呢？看你说的这些话只能显出你的层次。
比如说要计算声子或电声相互作用，如果结构不是局部最优化的，怎么可能算出声子？
还有一点，dft的计算并不是完全first principle的，其中还是有很多参数(energy
cutoff, density of k-grid, choice of pseuodopotential)，还有很多假设(LDA or
GGA)。这时候模拟当然和实验有误差，比如说LDA给出的晶格常数总是小于实验值。那
么我问你，如果你要用LDA算体系的弹性模量，晶格常数要用实验值还是优化值？显然
使用实验值会给出离谱的结果。
DFT的计算结果是0K时系统的局部最优化。这是一个很大的缺陷，如果要考虑温度，化
学环境，激发态等因素，需要很多额外的手段。但这并不意味着，你拿着实验结构模拟
就是高层次的水平。 |
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t****t
发帖数: 540 | 36 如果你有上过DFT（Design for Testification/Testing）的课或者类似经验，想要职
位的详细信息。可以站内短信我。
:) |
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S***l
发帖数: 383 | 37 my department has one opening for fresh graduate (PhD preferred) in the area
of ASIC DFT (Design for Test).
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Requirements:
- MS/PHD thesis on test related topics
- clear understanding of key VLSI test topics, such as scan, ATPG,
compression technologies
- programming skills: Verilog/VHDL, Unix scripting(tcl, perl, shell)
Job location is San Jose, CA. Inbox me for details if you are interested.
Need to fill ASAP. |
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S***l
发帖数: 383 | 38 my department has one opening for fresh graduate (PhD preferred) in the area
of ASIC DFT (Design for Test).
========================================================
Requirements:
- MS/PHD thesis on test related topics
- clear understanding of key VLSI test topics, such as scan, ATPG,
compression technologies
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Job location is San Jose, CA. Inbox me for details if you are interested.
Need to fill ASAP. |
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t****t
发帖数: 540 | 40 如果你有上过DFT（Design for Testification/Testing）的课或者类似经验，想要职
位的详细信息。可以站内短信我。
:) |
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z****n
发帖数: 31 | 41 好人，顶一个，虽然暂时没有换工作的打算，终于看到DFT职位了 |
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b*******s
发帖数: 4 | 42 我们还在招这个职位。面了几个老印，不大理想。
另外再招一个intern. 最好一年内毕业，我们一般会extend full-time offer when
internship is over.
如果有DFT background (course project etc) is a plus.
mbist/DV |
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c****o
发帖数: 515 | 44 DFT是什么的缩写？Density Function Theory? Discrete Fourier Transform? |
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f*******i
发帖数: 317 | 45 你好，我是做DFT（Density Functional Theory）的 |
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b****g
发帖数: 7311 | 46 是cisco吗，我认识2个东大的在cisco 做dft
area |
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J*******3
发帖数: 1651 | 47 请推荐一款Linux？
主要作密度泛函(DFT)计算用，要求有对Fortran 95, 和C 99很好的支持.如果附带有一
些画图的软件,那就更好了。
希望它的体积尽可能的小.
3X! |
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l***q
发帖数: 208 | 48 Where can I get the manual for Vasp DFT?
Thx |
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c**r
发帖数: 51 | 49 对于一个c2v对称性的分子，比如CH2处于1B_2的电子态，这个态似乎只能从(a1)1 (b2)
1的组态构造出来，没有单Slater行列式的表示。这种情况，以及其他一些singlet
diradical的电子态，在原则上怎么用Kohn-Sham DFT处理呢？ |
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l***q
发帖数: 208 | 50 Where can I get the manual for Vasp DFT?
Thx |
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