a*****e
发帖数: 4577 | 1 GaAs，中子散射测出来的LO是285 cm -1
但红外反射测出来的是292 cm-1
请问两者为啥会有这个差别？
谢谢 | m**n
发帖数: 9010 | 2 1. 一般做中子散射的人不太会认为285 cm -1与292 cm-1是有差别的.
2. GaAs我不了解, 一般的材料, 如果真的中子的结果与其他结果
有差别(排除测量错误), 那么首先考虑的就是表面与bulk的差别.
【在 a*****e 的大作中提到】
: GaAs，中子散射测出来的LO是285 cm -1
: 但红外反射测出来的是292 cm-1
: 请问两者为啥会有这个差别？
: 谢谢
| a*****e
发帖数: 4577 | 3 你的意思是，中子散射的测量误差比较大？这两者的差别有接近3%
如果有差别，那么哪个的结果更reliable呢？
我对中子散射不太懂，你说的表面和bulk的区别，到底是中子散射是表面，还是其他测
量，比如IR是表面？
【在 m**n 的大作中提到】
: 1. 一般做中子散射的人不太会认为285 cm -1与292 cm-1是有差别的.
: 2. GaAs我不了解, 一般的材料, 如果真的中子的结果与其他结果
: 有差别(排除测量错误), 那么首先考虑的就是表面与bulk的差别.
| q*d
发帖数: 22178 | 4 好歹每个数据给个errorbar啊
【在 a*****e 的大作中提到】
: 你的意思是，中子散射的测量误差比较大？这两者的差别有接近3%
: 如果有差别，那么哪个的结果更reliable呢？
: 我对中子散射不太懂，你说的表面和bulk的区别，到底是中子散射是表面，还是其他测
: 量，比如IR是表面？
| m**n
发帖数: 9010 | 5 一般的中子散射测phonon, 在这个能量范围, 误差在1 meV左右很正常.
中子当然是bulk probe.
此外, 具体IR的测量我不清楚, 但大部分这一类靠photon的测量(Raman, ARPES...),
都是surface sensitive的.
【在 a*****e 的大作中提到】
: 你的意思是，中子散射的测量误差比较大？这两者的差别有接近3%
: 如果有差别，那么哪个的结果更reliable呢？
: 我对中子散射不太懂，你说的表面和bulk的区别，到底是中子散射是表面，还是其他测
: 量，比如IR是表面？
| a*****e
发帖数: 4577 | 6 多谢提醒
中子散射是285.5+-6.5
红外 291.5+-1.2，我是取的好几个不同文献的平均值。
基本上红外的结果在中子散射的上限。
【在 q*d 的大作中提到】
: 好歹每个数据给个errorbar啊
| a*****e
发帖数: 4577 | 7 多谢！
【在 m**n 的大作中提到】
: 一般的中子散射测phonon, 在这个能量范围, 误差在1 meV左右很正常.
: 中子当然是bulk probe.
: 此外, 具体IR的测量我不清楚, 但大部分这一类靠photon的测量(Raman, ARPES...),
: 都是surface sensitive的.
| b****h
发帖数: 274 | 8 the penetration depth of IR light at far IR range should not be too small
compared to the lattice constants, and IR should have better resolution.
But 1 meV difference is really nothing...
【在 m**n 的大作中提到】
: 一般的中子散射测phonon, 在这个能量范围, 误差在1 meV左右很正常.
: 中子当然是bulk probe.
: 此外, 具体IR的测量我不清楚, 但大部分这一类靠photon的测量(Raman, ARPES...),
: 都是surface sensitive的.
| a*****n
发帖数: 136 | 9 红外和拉曼只能得到布里渊区中心Gamma（k=0）点的声子频率，一种振动模式对应一个
频率值。
而中子散射很难测精确的得到Gamma点的值，但是却能得到测到整个色散曲线，一般同
一种振动模式在不同的k，有不同的频率值。
所以，在比较中子和红外的测量结果的时候，他们的测量结果很有可能不是在色散曲线
上的同一个点。 |
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