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问offer 比较请教career path
Intel portland的D1D process engineer不收没有绿卡的中国人吗? Intel says it fabricates SRAM using 0.09-mic
求助offer比较:Applied Materials的Process Engineering 与 SanDisk 的Sr. Devices engineeringIntel详谈45nm:原生四核再等下一代
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话题: intel话题: sandisk话题: phd话题: oracle话题: pay
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1 (共1页)
a*****x
发帖数: 12
1
EE做半导体器件的背景,做fab,测试,也做点模拟和modeling。PhD做的是non-
volatile memory相关。现在有3个offer,快到deadline了,非常犹豫不决,希望有人
能指点迷津。
1. Intel, emerging non-volatile memory reliability engineer, R&D
和PhD做的比较相关。可是听说reliability有些枯燥?而且肯定不是Intel的核心技术组
了。是做后端,又是做emerging memory这种前途未卜的内容,对以后的发展心里比较
没底。pay的是3个里面最高的。
2. SanDisk, senior device engineer, 做flash R&D
所在的组是SanDisk的前端核心技术组,内容是3个里面相比最感兴趣的。但concern就
是SanDisk相比起来公司可能未来不够稳定,SanDisk不知道前途如何...而且pay的没有
Intel高.
3. Oracle, embedded SRAM design, production
PHD没有电路相关的背景...他们可能没有特别在意相关经验吧,看我其他背景还不错就
还是给offer了。因为对电路不熟悉,不知道这个方向算不算好?发展如何?觉得能跳
出Device的火坑转电路似乎以后机会会更多一点。但对这领域不熟悉,不知道自己能不
能做好。心里没底。Oracle家听说bonus很少,所以他pay的base比intel稍微高一点,
但如果不算bonus就不如intel了。
以上是3个offer,不知道从工作内容,公司发展和个人发展几方面比较,哪个会比较推
荐?谢谢!
i*********e
发帖数: 1010
2
if life and money and Green card is main concern, of course you go with
Intel. Particularly if it is in Oregon. It is also fairly easy to switch job
within Intel and you keep you job grade level most of the time.
If work is main concern, just follow your heart.
r******o
发帖数: 1851
3
首先恭喜楼主
觉得楼主背景肯定很不错,3个offer其实都不错呢。其实是幸福的烦恼。
下午看到时,就想应该也考虑pay和location吧。刚才又看了一遍,发现提到了pay了。
一般来说,做半导体的去Intel应该算比较大公司比较不错的,但是好像reliability是
稍微枯燥一点,或者听起来没那么高级。而且我没猜错的话,这个site好像在 Boise,
Idaho?是不是稍微偏僻一点?
Oracle以前应该是很牛的公司,只是不知道现在怎么样了? Production是什么意思?
生产?还是custom design?Sandisk现在应该也很活跃吧。
不知道Intel里面内部跳容易不容易?
除了pay和location,还有 就是也参考你去onsite时的感觉,整个公司,manager和组
内的人给你的整体感觉。哪个让你觉得可能更舒服一点。

【在 a*****x 的大作中提到】
: EE做半导体器件的背景,做fab,测试,也做点模拟和modeling。PhD做的是non-
: volatile memory相关。现在有3个offer,快到deadline了,非常犹豫不决,希望有人
: 能指点迷津。
: 1. Intel, emerging non-volatile memory reliability engineer, R&D
: 和PhD做的比较相关。可是听说reliability有些枯燥?而且肯定不是Intel的核心技术组
: 了。是做后端,又是做emerging memory这种前途未卜的内容,对以后的发展心里比较
: 没底。pay的是3个里面最高的。
: 2. SanDisk, senior device engineer, 做flash R&D
: 所在的组是SanDisk的前端核心技术组,内容是3个里面相比最感兴趣的。但concern就
: 是SanDisk相比起来公司可能未来不够稳定,SanDisk不知道前途如何...而且pay的没有

s********k
发帖数: 6180
4
fab当然去INTEL,这个今后是intel独门绝技了,CPU设计啥的现在亚洲公司也能搞了,
你看看今后几个能搞FAB,尤其3D之后
a*****x
发帖数: 12
5
非常感谢你的建议! Intel那个是在Santa clara,不过的确需要常飞Boise. 这3个地方
都在湾区,所以location没有任何区别。
Oracle那个不算R&D,做产品,所以可能会比较忙。我是那个意思。
SanDisk现在的确不错,可是NAND能走多远实在不好说。总之各有利弊,可能最后还是
哪个pay的高就去哪个了。。。

【在 r******o 的大作中提到】
: 首先恭喜楼主
: 觉得楼主背景肯定很不错,3个offer其实都不错呢。其实是幸福的烦恼。
: 下午看到时,就想应该也考虑pay和location吧。刚才又看了一遍,发现提到了pay了。
: 一般来说,做半导体的去Intel应该算比较大公司比较不错的,但是好像reliability是
: 稍微枯燥一点,或者听起来没那么高级。而且我没猜错的话,这个site好像在 Boise,
: Idaho?是不是稍微偏僻一点?
: Oracle以前应该是很牛的公司,只是不知道现在怎么样了? Production是什么意思?
: 生产?还是custom design?Sandisk现在应该也很活跃吧。
: 不知道Intel里面内部跳容易不容易?
: 除了pay和location,还有 就是也参考你去onsite时的感觉,整个公司,manager和组

a*****x
发帖数: 12
6
可去Intel不是做FAB。。。要是我也不犹豫了。。。

【在 s********k 的大作中提到】
: fab当然去INTEL,这个今后是intel独门绝技了,CPU设计啥的现在亚洲公司也能搞了,
: 你看看今后几个能搞FAB,尤其3D之后

g****t
发帖数: 31659
7
如果没有绿卡,则需要先把绿卡政策弄清楚.

【在 a*****x 的大作中提到】
: EE做半导体器件的背景,做fab,测试,也做点模拟和modeling。PhD做的是non-
: volatile memory相关。现在有3个offer,快到deadline了,非常犹豫不决,希望有人
: 能指点迷津。
: 1. Intel, emerging non-volatile memory reliability engineer, R&D
: 和PhD做的比较相关。可是听说reliability有些枯燥?而且肯定不是Intel的核心技术组
: 了。是做后端,又是做emerging memory这种前途未卜的内容,对以后的发展心里比较
: 没底。pay的是3个里面最高的。
: 2. SanDisk, senior device engineer, 做flash R&D
: 所在的组是SanDisk的前端核心技术组,内容是3个里面相比最感兴趣的。但concern就
: 是SanDisk相比起来公司可能未来不够稳定,SanDisk不知道前途如何...而且pay的没有

P**********c
发帖数: 3417
8
去Intel.
这么多年下来也证明Intel是跟的上通胀的。以前他们pay的不算高,现在在Semi里面就
算很高的了。When in doubt, 去钱多的地方。

【在 a*****x 的大作中提到】
: EE做半导体器件的背景,做fab,测试,也做点模拟和modeling。PhD做的是non-
: volatile memory相关。现在有3个offer,快到deadline了,非常犹豫不决,希望有人
: 能指点迷津。
: 1. Intel, emerging non-volatile memory reliability engineer, R&D
: 和PhD做的比较相关。可是听说reliability有些枯燥?而且肯定不是Intel的核心技术组
: 了。是做后端,又是做emerging memory这种前途未卜的内容,对以后的发展心里比较
: 没底。pay的是3个里面最高的。
: 2. SanDisk, senior device engineer, 做flash R&D
: 所在的组是SanDisk的前端核心技术组,内容是3个里面相比最感兴趣的。但concern就
: 是SanDisk相比起来公司可能未来不够稳定,SanDisk不知道前途如何...而且pay的没有

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intel的PTD-process development engineer有关Asynchronous FIFO和Dual port SRAM
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