v****o
发帖数: 189 | 1 【八阕】1. 南京大学：南京大学相比较中国其他几所顶尖大学而言，一向低调，秉承
老中央大学的衣钵，最近几年稳中有进，理科方面的科学研究在整个中国大陆始终位居
前列。2006年在《科学》《自然》等国家权威科学刊物发表文章数全中国大陆的高校中
最多，何况，闵乃本院士领导的课题组关于介电超晶格方面的工作，积三十年的积累极
有可能获得国家三大奖中最难的自然科学一等奖。
2. 清华大学：北大清华的大学精神几乎意味着就是中国大学的信仰和标杆，其在中国
的饿所获得的成功无须多说。在整个2006年里，相比较北京大学层出不穷的学术丑闻，
情华大学几乎可以算是一片平静的沃土，在北大数学系出现的田刚与丘成桐关于“长江
学者”作假之争后，清华大学校长顾秉林先生有勇气向大众宣布，清华并没有类似情况
，足以安慰国人内心中剩下的对大学的一点尊敬。
3. 西安交通大学：在它的姐妹校上海交通大学出现的陈进芯片造假案的时候，西安交
通大学年轻的郑南宁校长在西安交大西迁50周年的校庆上豪言状语，希望能把西安交大
建成全中国最受尊敬的大学之一，并且学习香港中文大学的书院制，组建了中国大陆上
千所大学里第一个按书院制培养人才的 |
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e****x
发帖数: 692 | 2 其实光确实快，电缆介电常数比较大，波速确实慢不少。 |
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t****t
发帖数: 6806 | 3 差得也没这么多, 一般光纤的反射系数也有1.5以上的. 介电常数开个根号也就是2左右. |
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e****x
发帖数: 692 | 4 是的，估计将来介电常数还得降。
新材料不知道什么时候出来。
右. |
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r****o
发帖数: 105 | 5 本文献给YL
（九） 沉淀，沉淀，沉淀
上一部分我匆匆提到了用硫酸氨沉淀来去掉PEI(Polyethyleneimine）的步骤。
不常做生化的同学可能对硫酸氨沉淀的方法不熟悉。但其实这种沉淀是蛋白质纯化中
及其重要的一种方法。说实话我过去也很少接触，但是在这个课里面，四组实验中有
三个都用到了这个方法，可见其重要性。
硫酸氨沉淀是怎么做的呢？其实很简单，把磨细了的硫酸氨粉末往样品溶液里
倒就行了，蛋白就会相继沉淀下来。由于不同的蛋白，在不同的硫酸氨浓度下被分
别沉淀下来，这种方法把蛋白质样品粗粗的分离一下。这种方法对大量样品尤其好
用，因为比较方便快捷便宜。硫酸氨沉淀的优点是什么呢？最大的优点是这东西虽
然能让蛋白质沉淀下来，但是不会让蛋白质变性，所以沉淀下来的蛋白质一般可以
重新溶解。
其实沉淀蛋白质的方法有很多种，但是对于娇贵的蛋白质来说，很多常用方法
都太harsh了。我举两个例子把：TCA沉淀大家都熟悉的。TCA是个强酸，施放出
来的质子中和了蛋白质的负电荷，只留下正电荷与TCA形成不溶物，从而变性。
丙酮沉淀，通过改变介电常数来降低蛋白质的溶解度，从而沉淀， |
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d*******3
发帖数: 148 | 6
07年,传统的以SiO2为基础的MOSFET走到尽头，取而代之的是高介电常数，俗称high-k
材料，以HfO2为代表，moore's 得以继续延续，65nm 到 45nm, 再到 32nm,以及今年的
22nm，不过这些都是基于2-D结构，但要再scaling到22nm以下，2-D结构也要到了头，
面临严重的short channel effect.于是最近呼声甚大的3-D MOSFET 摆上的桌面
所谓的3-D MOSFET结构也已经研发了十多年了，主要是以Intel为代表的Tri-gate 和
其他公司的 FinFET.
EUV光刻在22nm以下技术的是关键中的关键... |
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b********d
发帖数: 720 | 7 下午查文献的时候发现一个很奇怪的事，没有发现PGMA做SAM dielectrics的
这是为什么呢？这个epoxide如果能有比较好的介电性质，它应该是个很好的organic
SAM dielectric呀
这货从分子结构看跟PMMA挺接近的啊，PMMA就是一个研究还挺多的organic dielectric啊
有人知道它的band gap多少麽 |
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g****y
发帖数: 188 | 8 中科院电工所百人计划徐菊课题组诚邀有意向长期在北京发展，喜欢科研的志同道合者
加盟，职位为博士后或助理研究员或副研究员不限，要求1）无机非金属材料专业，有
超导、热电、磁性、介电质功能材料研究背景优先。2）符合中科院对所申请职位要求
，有发展潜力的博士以上学历者，特别优秀者可申请所内人才创新基金或协助申报国家
人才计划，可达年薪40万以上，并提供所内周转房，所内有超过150平米免费职工健身
中心，及羽毛球、篮球场。有意向请直接发简历[email protected] 注明申请的职
位。 |
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c*****n
发帖数: 1877 | 9 需不需要匹配和总线的速度也是有关系的。100MHZ的信号在介电常数为3的电路板中传播
，波长也有1米，而一般电路板中总线的长度远小于波长，所以匹配是不需要的，特别是
对于慢速总线，比如I2C,McASP这种总线。 |
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c*******l
发帖数: 4801 | 10 不知道你要做嘛
不过你可以烧点氧化铝，如果是粉末的话，用tape一粘贴上去行么？
teflon
法。 |
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q*****q
发帖数: 40 | 11 多谢了，我想做一个共振线圈,希望它的衰减系数小一点。
氧化铝粉末我倒是可以找到现成的买，不过不知道什么样的胶水衰减系数比较小，再给
一点建议可以吗？ |
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I*S
发帖数: 203 | 15 在光频段可以的
新鲜问题。不知道
金属还有介电常数确实没听过 |
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a*****e
发帖数: 4577 | 16 【 以下文字转载自 Physics 讨论区 】
发信人: abalone (hope), 信区: Physics
标 题: 换project了，向各位前辈请教一下
发信站: BBS 未名空间站 (Mon Feb 16 09:50:33 2009), 转信
现在由于老板的要求，要转到计算电磁场方向
具体的就是要计算一些nm-um尺度的二维材料的有效介电常数
现在自己也不懂，组里也没人懂
除了本科学的一点电动力学之外完全不了解其他相关的东西了
因为计算电磁场方向似乎很杂（很多是电子系的人在做）
不知道我这个方向具体应该看些什么类型的书籍或者综述
麻烦各位给推荐几本书或相关文献
谢谢先 |
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e********y
发帖数: 38 | 17 RF上面决定电流不是你这样算的。先算出pcb上面microstrip的特征阻抗（由width，频
率，depth，介电常数）决定。如果能够达到匹配就可以算出电流。如果不匹配就要算
出反射系数，然后才能决定电流 |
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p*****t
发帖数: 966 | 18 这么讲吧
LZ是1W带internal matching的PA,记住，是输出口已经匹配到50 Ohms的。 那么你在设
计输出端的传输线的时候，特征阻抗就是50 ohms.但是如果只是给出特征阻抗，那会有
无数种的设计，你可以设计成很细，也可以很粗。要是用CPW的话，也会有很多设计。
和介质的厚度，介电常数等都有关，当这些确定的时候，就可以考虑power density.
一般PCB的power density和金属层的厚度关系最大。如 100微米厚，7毫米宽的铜层可
以通过10安培的电流。
然后就是估算你的电流。LZ现在考虑的是1W的输出级上的电流，那个可能不是最重要的
。从你的片子来看的话，频率肯定在10G以内。假设是CLASS AB的PA，drain
efficiency是20%的话，那射频功率和耗散功率之和为5watts,假设是5V的drain
biasing, 那power supply上的电流大概在1A左右。RF输出级的RF电流会很小，就几百
个毫安，具体的，你可以用反射系数和电流的公式在MATLAB里plot一下，找出峰值电流
就可以。但是我觉得对于你的设计，完全没有必要 |
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F*********n
发帖数: 52 | 19 hehe,谢谢各位大侠的回答，mitbbs果然藏龙卧虎阿。
其实做得是板级的布线，但是因为做在高介电常数的材料上，射频传输线线宽只有
10mil(250um),所以有点担心。主要的直流损耗是通过比较宽的布线引入的，另外板子
下面加了heat sink，应该没有问题。
DC |
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g******s
发帖数: 733 | 20 两篇论文，一篇是（力/ 电压^2)，另一篇是（力*距离/电压^2)，请问是不是其中一个
错了，还是两个都对？
先谢了！ |
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M***y
发帖数: 2252 | 23 第一个 F/m = J/V^2*m = N*m / V^2*m = N/V^2
第二个不知道为啥多了一个m |
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ET
发帖数: 10701 | 24 normalized过了吧？
标准的应该是F/m |
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a******e
发帖数: 36306 | 29 纳米介电？不算糟糕啊。另外，要是专业方向不好，那就只好拼出身了 |
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N******2
发帖数: 436 | 30 连微波传输的3维波导都能模拟，32KHz当然没问题了。
你去参加seminar,他们会给你一个小册子，上面有些入门介绍。你这个问题很简单的，
就是按照实际的形状做好一个真实尺寸的截面，然后把这个2维截面往z方向延伸到1万
尺，两万尺，按你需要的长度。把各个区域的导电性，介电常数等等什么的设好，边界
条件设好，源端把32KHz的激励信号加上，就可以模拟了，如果要在不同的地方加负载
，那就按需要加。读读comsol的文档和例子，讲的挺不错的。
这个问题在专门做FEA的人那里太简单了，不值一提。我估计是comsol技术支持的人是
搞软件的，不懂具体的专业问题，所以胡乱回答。你看mitbbs有没有FEA版或者科学计
算板，要么在国内找个人做做，无数的人都用这个。你先模拟一下就知道情况怎么样了
，无需费那么多事做实验，最多是模拟完验证一下而已。
型。 |
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l********0
发帖数: 372 | 31 有道理。这就是理论和应用的差异。
其实现在我们更倾向于说permittivity，而不是dielectric constant，因为介电率并
不是一个constant，它随温、湿度，电压，气压等条件变化。dielectric constant只
是一个历史习惯称呼。
以SiN为例，不同条件下得到的只是Si(x)N(y), x，y随制备条件的变化而变化，所得到
的产物的permittivity当然也不同。其实对材料而言，是没有perefect，纯净的。还以
Si3N4为例，如果用PECVD生成，即使你设计了完美前驱物比例，在气象前驱物混合之初
和depostion快结束的不同阶段肯定生成物的defects的种类和数目都不同，其产物的
permittivity就会不同 -- 实际上最终所得产物是由各个permittivity不同的产物层叠
加而成。
想实际测量1-5nm的thin film的capacitance还是有办法的，如果你再有defects的种类
和数量的数据，你就可以建立模型了。如果想模拟纯净材料的permittivity，可以从分
子结构，电负性进行计算，这都有现成的模型。p... 阅读全帖 |
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b********d
发帖数: 720 | 32 【 以下文字转载自 Chemistry 讨论区 】
发信人: brightmood (努力过好自己的每一天，开开心心的), 信区: Chemistry
标 题: PGMA为什么不能做organic dielectrics
发信站: BBS 未名空间站 (Sun Nov 10 21:39:16 2013, 美东)
下午查文献的时候发现一个很奇怪的事，没有发现PGMA做SAM dielectrics的
这是为什么呢？这个epoxide如果能有比较好的介电性质，它应该是个很好的organic
SAM dielectric呀
这货从分子结构看跟PMMA挺接近的啊，PMMA就是一个研究还挺多的organic dielectric啊
有人知道它的band gap多少麽 |
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j*********g
发帖数: 3179 | 33 充放电要对电介质做功，非理想电容充放电会有热损耗。所以最后虽然电压是开始的一
半，但是能量却只有原来的一半。
这个在中国的大学物理系的讲介电质的时候也许会讲，电子系一般不会讲这么深。不过
其实高中生算算也知道最后的储存能量只有原来的一半。
压。 |
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c***r
发帖数: 4631 | 34
降低介电常数。
反射特定波长的光。
artificial tissue 的骨架。
做过滤膜。
吸附某些分子，例如乳糖，病毒。
做催化剂，提高表面积。 |
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E*******r
发帖数: 370 | 37 应该可以用带空洞的材料
加热或其他条件下一些基团能分解，在材料中形成空洞
就像有某种低介电常数的材料一样 |
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n*******e
发帖数: 2057 | 38 最近看介电谱图，讲alpha movement是micro-brownian motion of chain segment, 与
glass transition有关，讲beta movement是 local motion of chain segment. 这个所
谓的微布朗运动是不是segment整体可以移动？ |
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m*****t
发帖数: 2800 | 39 介电势垒等离子体激励器（Dielectric-Barrier plasma actuator）应用在流体的主动
控制上有不少工程研究，但基本只限于大气层内的气流问题，最多是同温层的高超音速
气流的控制，这些应用里面气体都属于连续态，分子平均自由程都能很小。
我想知道如果到了太空低轨道的地方，空气非常稀薄，占气体90%的氧原子已经成离散
态，但数量密度仍然有10e8个每立方厘米。这时宇宙飞船外表如果安装一个离子体激励
器，能否有效地将氧原子电离并通过电场力将其弹射出去呢？
对于等离子确实了解不多，请高手不吝指教。谢谢。 |
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a*****e
发帖数: 4577 | 40 对呀，一个很大的问题在于
DFT算出来的到底是什么？
介电常数这个概念如何在原子尺度下定义？ |
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M********5
发帖数: 11 | 41 会议网址：www.mscieng.com
类别：材料科学与工程
会议时间：2016年5月28-29日
会议地点：中国，杭州
征稿
2016材料科学与工程国际会议面向全球热衷于材料学科，材料工程研究的学者、专家、
科学家征集会议稿件：
征稿范围包括但不限于以下主题：
1. 电子材料：半导体材料、显示材料、电池材料、光电子材料、介电材料、铁电材
料、导电金属、合金材料、磁性材料等。
2. 结构材料：锻铁、铸铁、钢、不锈钢、铝、钢筋混凝土、砖石、木材、复合材料
等。
3. 材料化学：经典化学分析、仪器分析、光学分析、高分子科学、材料加工、结构
化学等。
4. 材料加工工程：冶金技术、高分子材料、聚合物加工、金属加工、铸造、焊接等。
投稿指南：
1. 投稿截止日期：2016年3月10日
2. 录用通知：投稿后15-30天
3. 会议接受优秀中文和英文稿件。
4. 投稿系统：http://www.tougao123.net/
如有任何问题，可以通过以下方式直接跟会议主办单位联系：
邮箱：[email protected]
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a*****e
发帖数: 4577 | 42 epsilon_infinity
请问用英文怎么说的？
多谢 |
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S*******e
发帖数: 85 | 43 不用电动力学。就是一个圆柱电容，介电常数是坐标函数，要是没理解错，就看成电容
并联，对X求积分。
) |
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d*b
发帖数: 21830 | 44 这是你的作业，当然留这你自己思考了。大的idea我已经给你了。你如果这个都不能思
考的话，我看你干脆还是跟花儿姐一起跳楼算了。
还有更trick的，比如算入射光的极化变化的。大致也一样。从电容组入手算总电容，
然后反算介电常数。再用电动力学算极化。 |
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a*****e
发帖数: 4577 | 45 现在由于老板的要求，要转到计算电磁场方向
具体的就是要计算一些nm-um尺度的二维材料的有效介电常数
现在自己也不懂，组里也没人懂
除了本科学的一点电动力学之外完全不了解其他相关的东西了
因为计算电磁场方向似乎很杂（很多是电子系的人在做）
不知道我这个方向具体应该看些什么类型的书籍或者综述
麻烦各位给推荐几本书或相关文献
谢谢先 |
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a*****e
发帖数: 4577 | 47 1.我假设的是graphene排成的阵列
2.见wiki，在光学波段，半导体是interband transition, 这样的，金属的话自由电子
应该是主要的 |
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F**D
发帖数: 6472 | 48 2的推论不敢苟同，对于gold nanosphere来说，在400-700nm band,
我的计算表明interband electrons对dielectric function贡献比free electrons的大
很多。 |
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