发帖数: 1 | 1 看点：
9月6日消息，华为今天发布海思旗下新一代麒麟处理器，型号是麒麟990
9月19日他们还将带来年度旗舰Mate 30系列，其会首发刚刚新麒麟处理器。
特点:
1, 延续麒麟980上的A76架构，不过他们会对这个架构进行进一步的调整,提高性能
2，Mate 30系列使用外，今年要上市的另外一款重磅折叠屏手机Mate X，也将使用这个
处理器
3， 采用台积电的7nm FinFET Plus EUV工艺（极紫外光刻），性能提高20%，功耗却下
降20%。
4，集成了5G基带，封装了AP（应用处理器）和BP（基带处理器）。提升手机的续航力。
5，支持5G SA独立及NSA非独立组网，向下兼容2/3/4G网络
6，NPU采用自家的达芬奇架构，在最新工艺加持下，可以进一步强化其AI能力 |
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f***y
发帖数: 4447 | 2 还有一年机会抛弃台湾代工厂
https://laoyaoba.com/html/news/newsdetail?source=pc&news_id=734976
集微网消息（文/Oliver），11月21日，中芯国际全球销售与市场资深副总裁彭进在
ICCAD年会上发表主题为《创新成就百年老店》的演讲，他解释了为何中芯国际当下产
能如此紧张，并谈到了Foudry眼中的设计企业需要如何创新。
虽然今年1780家中国设计公司的销售额有望达到3084.9亿元，但彭进强调，这仅与高通
和博通这两家美国公司今年的销售额大致持平。中国设计业依然任重道远，还需要脚踏
实地，持续创新。
不过，彭进也表示，中国的IC设计公司已经取得了一定的进步。5年前，这些公司还在
临摹别人的产品。今天，中国IC设计公司已经开始供应华为、OPPO、苹果等国内外大品
牌。
根据中芯国际第三季度财报，其产能利用率高达97%。对此，彭进指出，中芯国际从8英
寸到12英寸，从180nm到28nm的产能都十分紧张，主要得益于过去几年持续以客户为中
心，与客户一同定义了一些平台，对长期合作的客户给予支持。另外，中美贸易问题使
得中国... 阅读全帖 |
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t******e
发帖数: 2504 | 3 以前早就有人说到了物理极限， 这个SB问题已经重复了多少年了.
很早就有极限说了，但出来个finFet,超越所谓极限进入20nm以下; 近年来又说7nm是物
理极限， 这不，5nm马上就要出来了; 又说5nm就是物理极限， 前几天三星的3nm芯
片样品也出来了。 |
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t******e
发帖数: 2504 | 4 看看，又说物理尺寸了。
现在的x nm制程，早与物理尺寸脱钩了，我以前就说过了，仅仅代表迭代， 晶体管数
量加倍，但是朝立体化场效应方向发展，现在还是finFet结构是主流，到3nm，就要换
结构了，三星报道的是GAA新结构，台积电选的新结构现在还没公开报道，但据说是研
发顺利。 |
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t******e
发帖数: 2504 | 5 三星那个3nm GAAFet样品，号称比5nm finFet性能提高35%，功耗降低了50%，芯片面积
缩小45%.
至于开销，的确，越是新的制程，代工花费越大，只有不在乎钱的大客户才会紧跟，比
如财大气粗的苹果，还有国家支持的华为。
但能做的也少，目前也只有台积电和三星2家，其它要么财力不允许，要么技术不行，
或both。 另外， 利润率也高，市场也不愁，目前台积电5/7nm产能都饱和了，不得不
砍一些需求不迫切客户的单子。 |
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y****1
发帖数: 671 | 6 根据中芯国际联席CEO梁孟松博士所示，N+1工艺和14nm相比，性能提升了20%，功耗降
低了57%，逻辑面积缩小了63%，SoC面积减少了55%。
N+1之后还会有N+2，这两种工艺在功耗上表现差不多，区别在于 性能及成本，N+2显然
是面向高性能的，成本也会增加。
至于备受关注的EUV光刻机，梁孟松表示在当前的环境下，N+1、N+2代工艺都不会使用
EUV工艺，等到设备就绪之后，N+2工艺可能会有几层光罩使用EUV，之后的工艺才会大
规模转向EUV光刻工艺。
现在最关键的是中芯国际的7nm何时量产，最新消息称中芯国际的N+1 FinFET工艺已经
有客户导入了（不过没公布客户名单），今年Q4季度小规模生产 |
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y****1
发帖数: 671 | 7 根据中芯国际联席CEO梁孟松博士所示，N+1工艺和14nm相比，性能提升了20%，功耗降
低了57%，逻辑面积缩小了63%，SoC面积减少了55%。
N+1之后还会有N+2，这两种工艺在功耗上表现差不多，区别在于 性能及成本，N+2显然
是面向高性能的，成本也会增加。
至于备受关注的EUV光刻机，梁孟松表示在当前的环境下，N+1、N+2代工艺都不会使用
EUV工艺，等到设备就绪之后，N+2工艺可能会有几层光罩使用EUV，之后的工艺才会大
规模转向EUV光刻工艺。
现在最关键的是中芯国际的7nm何时量产，最新消息称中芯国际的N+1 FinFET工艺已经
有客户导入了（不过没公布客户名单），今年Q4季度小规模生产 |
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f*l
发帖数: 22 | 9 楼上的既然已经提到finfet, wikipedia一把不就行了。随便买个50nm以下的DRAM,学过
EE, 准保懂其中的技巧。大哥花好几年的时间，好是好，非高价货(或垄断货）如CPU不
值。好多更便宜的办法在22nm以上还可救急。
好好注意细节：这个3D只是说MOFET上的transistor现在不再是平的了。因为source和
drain只有22nm，容易漏电。 只好把一条直线撤弯，总路程不就长了。20多年前MIT就
有非常精细的PhD 论文device. 只是太贵用于生产 |
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f*l
发帖数: 22 | 10 楼上的既然已经提到finfet, wikipedia一把不就行了。随便买个50nm以下的DRAM,学过
EE, 准保懂其中的技巧。大哥花好几年的时间，好是好，非高价货(或垄断货）如CPU不
值。好多更便宜的办法在22nm以上还可救急。
好好注意细节：这个3D只是说MOFET上的transistor现在不再是平的了。因为source和
drain只有22nm，容易漏电。 只好把一条直线撤弯，总路程不就长了。20多年前MIT就
有非常精细的PhD 论文device. 只是太贵用于生产 |
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f*l
发帖数: 22 | 11 楼上的既然已经提到finfet, wikipedia一把不就行了。随便买个50nm以下的DRAM,学过
EE, 准保
懂其中的技巧。大哥花好几年的时间，好是好，非高价货(或垄断货）如CPU不值。好多
更便宜的办法在
22nm以上还可救急。
好好注意细节：这个3D只是说MOFET上的transistor现在不再是平的了。因为source和
drain只有
22nm，容易漏电。 只好把一条直线撤弯，总路程不就长了。20多年前MIT就有非常精细
的PhD 论文
device. 只是太贵用于生产 |
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c****x
发帖数: 6601 | 12 【 以下文字转载自 Military 讨论区 】
发信人: cccpwx (flg政庇小学生), 信区: Military
标 题: 规模大赚钱就是好公司？政府要推动最基础的大国重器
发信站: BBS 未名空间站 (Fri Aug 31 01:09:58 2018, 美东)
https://user.guancha.cn/main/content?id=35310&page=0
不久前，观察者网科工力量专栏采访了中微半导体董事长尹志尧博士，并刊登了经尹博
士审定的采访全文（点击阅读）。中微半导体是国家集成电路产业基金（大基金）成立
后投资的第一家公司，也是美国《确保美国在半导体产业的长期领导地位》报告中唯一
提到名字的中国公司。2015年，因中微半导体开发的国产等离子体刻蚀设备达到世界先
进水平，美国商务部解除了这类设备持续几十年的出口管制。
当天，尹志尧博士还为我们做了长达近2小时的科普，讲解的内容涉及半导体微观加工
设备、数码产业格局、中国制造业升级战略等许多方面。限于篇幅，此前没有在观察者
网报道中全文刊出。现经仔细编校，并由尹博士本人修改审定，我们在微信公众号刊出
这些内容（... 阅读全帖 |
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发帖数: 1 | 13 各位EE, ECE专业同学，在下是一州立大学的微电子博士生，现在第五年ing。学校Ph.D
. program排名15左右，自己发了4篇Journal, 还有过一次领域内较好会议的talk。明
年我们学校Graduate School提供Ph.D.学生做Summer Research Intern Fellowship项
目，从2016年5月-8月，资金由学校出，并包括医疗保险，跟学校Fellow待遇一样。
因临近毕业（大概2016年12月博士毕业），老板对我明年做实习也比较支持。不知道有
没有相关公司、National Lab、R&D Center的前辈愿意接受？最好是跟以下我的Ph.D.
从事的领域结合，因为要相关的Intern项目才能被学校批准
- NAND Flash, Non-Volatile Memory, VLSI Physical Design, TCADs
- Device Simulation, FinFET, Leakage Mechanism, Device Circuit Interaction
- Fabrication tools: CVD, Etchin... 阅读全帖 |
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x****l
发帖数: 22 | 14 组内招人，提供内推。 造福还在为工作和H1B发愁的EE同胞。
Fresh graduates are welcome, 1~2-year experience is better.
Perfect candidates should have :
1. Strong VLSI physical design background OR analog layout design background;
2. Strong Back-end EDA tool experience;
3. Proficiency in Perl/Python and shell programing;
4. Familiar with Spice syntax;
5. Familiar with FinFet processing.
H1-B/Greencard supported.
有意请站内，谢谢! |
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x****l
发帖数: 22 | 15 组内招人，提供内推。 造福还在为工作和H1B发愁的EE同胞。
Fresh graduates are welcome, 1~2-year experience is better.
Perfect candidates should have :
1. Strong VLSI physical design background OR analog layout design background;
2. Strong Back-end EDA tool experience;
3. Proficiency in Perl/Python and shell programing;
4. Familiar with Spice syntax;
5. Familiar with FinFet processing.
H1-B/Greencard supported.
公司在湾区，有意请站内，谢谢! |
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b*******0
发帖数: 546 | 16 好不容易看到个半导体的，我也来说说
GF Melta 那个site是Fab8，大部分是以前IBM Team的人。那个Fab看起来很高上大，其
实很大部分是空的。。他家14nm FinFET是三星的技术，这个前面有人说了。不过以前
IBM做FD-SOI还可以，而且现在要求ultra low power，FD-SOI有相对优势。不过，GF背
后是中东资金，不够稳固是不争事实，LZ如果要去需做好准备。还有一个问题是，我了
解的GF里老印不少，他家CEO貌似就是以前球康老印过去的。Albany生活环境还OK，最
多就是冬天冷点，这个工资可以生活的比较舒服。
KLA严格说不是半导体公司，而是设备供应商，和Applied, LAM属一个性质。但看来LZ
博士是偏分析方面的，在KLA不知道会不会做的是一些“打杂活”？（没有冒犯的意思
）当然，加州的天气、吃喝、以及上司是亚裔都算是优势。
此外，Intel虽然在裁员，有些组还是可以的，尤其如果LZ看中technology方面。
Samsung Austin 这个做的也不错。但这种组一般压力都不小，仅供参考。
最后说转行的，我觉得可以省省了。我自己包括认... 阅读全帖 |
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s***d
发帖数: 15421 | 17 你们数字靠节点吃饭 10年以前vlsi基本没工作机会 感谢intel 搞出finfet 才工作多
起来。那时候也就我们模拟勉强能找到。 |
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a**********g
发帖数: 48 | 18 BEOL integration manager (Ref: S1322)
BEOL integration manager position is located in Taiwan. This position is
responsible for managing the next generation (1x node) FINFET BEOL projects.
Specific responsibilities include:
1. Next generation (1x node) BEOL baseline process integration, test pattern
design and WAT data analysis.
2. SRAM yield improvement on BEOL issue.
3., BEOL process reliability Qualification
Qualification:
1. Ph.D. in Electrical Engineering or Materials Science and Engineering... 阅读全帖 |
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a**********g
发帖数: 48 | 19 BEOL integration manager (Ref: S1322)
BEOL integration manager position is located in Taiwan. This position is
responsible for managing the next generation (1x node) FINFET BEOL projects.
Specific responsibilities include:
1. Next generation (1x node) BEOL baseline process integration, test pattern
design and WAT data analysis.
2. SRAM yield improvement on BEOL issue.
3., BEOL process reliability Qualification
Qualification:
1. Ph.D. in Electrical Engineering or Materials Science and Engineering... 阅读全帖 |
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c*****2
发帖数: 225 | 20 中芯国际再两三年就要赶上Intel, 要量产14nm FinFET? 看了令我不支倒地...
仅中芯国际一家就有１２吋晶圆线４条。我记得IBM的半导体部门不过是一条而已。业
界大佬，台积电，台联电都纷纷”反攻大陆”，工厂盖的象不要钱一样。张江一圈走下
来，我大概明白美国的半导体是没戏了。论技术水平，国内比美国仅仅差个两三年而已
。而人力成本是３０００人民币对６０００美元，这个产业在美国还有什么活路？ |
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C*********g
发帖数: 918 | 21 关于Ivy Bridge在超频时温度大大高于Sandy Bridge这一点早已被证实。至于具体原因
此前分析大概有两种说法，一种是Ivy Bridge制程升级导致核心面积变小后和顶盖接触
面积变小，能量/面积的密度提高；另外一种说法直接把矛头指向Intel 22nm FinFET/
tri-gate技术。OverClockers在日前给出了一份看似合理的解释：矛头直接指向了
Intel新一代封装工艺。
NordicHardware网站才看到这个报道之后给Intel发出了公函，并很快得到了Intel的官
方答复，全文如下：
“我们确实在22nm制造工艺的第三代Core处理器中采用了全新的散热封装技术，但由于
22nm制造工艺的热密度较高，所以用户在超频时候确实会遇到温度提高的情况，但这些
问题是在我们的设计考虑之内的，但CPU的质量依然是可以保证的。”
Intel的这个回复充满了“官方”味道，扯了一大堆就是没有提到重点，他们承认更换
了散热封装技术，也承认CPU温度高了，但就是不告诉你CPU温度提升的原因究竟在哪里
，更别提为什么要更换散热封装技术了。
另外针对散热封装技术的改变导致CP... 阅读全帖 |
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m***8
发帖数: 1786 | 22 电动车平均1KWH走4迈，如果一小时开40迈耗电10千瓦时，250瓦占2.5%。一般电动车空
调耗电是3-5KW。
另外250瓦是基于Drive PX2。你看看下一代xavier的功耗吧：
https://blogs.nvidia.com/blog/2016/09/28/xavier/
Packed with 7 billion transistors, and manufactured using cutting-edge 16nm
FinFET process technology, a single Xavier AI processor will be able to
replace today’s DRIVE PX 2 configured with dual mobile SoCs and dual
discrete GPUs — at a fraction of the power consumption. |
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发帖数: 1 | 23 各位EE, ECE专业同学，在下是一州立大学的博士生，现在第五年ing。学校Ph.D
. program排名15左右，自己发了4篇Journal, 还有过一次领域内较好会议的talk。明
年我们学校Graduate School提供Ph.D.学生做Summer Research Intern Fellowship项
目，从2016年5月-8月，资金由学校出，并包括医疗保险，跟学校Fellow待遇一样。
因临近毕业（大概2016年12月博士毕业），老板对我明年做实习也比较支持。不知道有
没有相关公司、National Lab、R&D Center的前辈愿意接受？最好是跟以下我的Ph.D.
从事的领域结合，因为要相关的Intern项目才能被学校批准
- NAND Flash, Non-Volatile Memory, VLSI Physical Design, TCADs
- Device Simulation, FinFET, Leakage Mechanism, Device Circuit Interaction
- Fabrication tools: CVD, Etching, ... 阅读全帖 |
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d******1
发帖数: 349 | 24 会议脚本，很长，形势不乐观啊
Qualcomm Incorporated (NASDAQ:QCOM)
Q2 2015 Earnings Conference Call
April 22, 2015 04:45 PM ET
Executives
Warren Kneeshaw - Vice President, Investor Relations
Steve Mollenkopf - Chief Executive Officer
Derek Aberle - President
George Davis - Executive Vice President and Chief Financial Officer
Analysts
Tim Long - BMO Capital Markets
Mike Walkley - Canaccord Genuity
Ehud Gelblum - Citigroup
Blaine Curtis - Barclays
Kulbinder Garcha - Credit Suisse
Stacy Rasgon - Bernstein
James Fa... 阅读全帖 |
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f*******2
发帖数: 341 | 25 三星S7处理器代号猫鼬 单核性能提升45%
2015年，三星旗下两款旗舰S6和S6 edge热卖的同时，也让三星自家处理器Exynos 7420
为更多的人熟知。其强大的性能令人印象深刻，然而有外媒报道称
，三星下代旗舰S7即将搭载的处理器（代号为猫鼬）已在研发中。
三星S7处理器代号猫鼬
目前，三星S6和S6 edge所搭载处理器Exynos 7420仍然采用标准的Cortex A53/A57架构
。据称，新处理器即将采用全新架构，单核性能相比Exynos 7420提升45%。根据目前已
知信息来看，猫鼬处理器将采用ARMv8指令集而且拥有高达2.3GHz的主频。当然，带来
性能提升的因素不止于此，该处理器很有可能采用和Exynos 7420一样的14nm FinFET工
艺。
三星S7处理器代号猫鼬
我们知道，高通810处理器性能确实强大，但是发热严重一直饱受诟病。因此，三星在
新处理器的研发上，也要注意性能和功耗的平衡。另有消息称，首款猫鼬处理器Exynos
M1将采用异构系统架构，这会是移动端科技一次令人兴奋的进步。
至于该处理器投入使用的时间，外媒称，首款猫鼬芯片将会在9到1... 阅读全帖 |
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f*******2
发帖数: 341 | 26 高通(Qualcomm)因三星电子(Samsung Electronics)Galaxy S6搭载自家Exynos移动AP，
取代Snapdragon 810而导致业绩下滑。2015年上半仅靠乐金电子(LG Electronics)的G
Flex 2与G4支撑移动AP事业，而下半年除了继续加强与乐金的合作关系，能否与三星电
子恢复合作关系，将是改善获利的关键。
据韩媒IT Today报导，高通2015年第1季营收为69亿美元，虽比前一年同期成长8%，但
营业利益比前一年同期减少33%，仅13亿美元，显示失去主要客户三星电子的影响很大。
高通现在只能倚靠乐金电子，让高阶Snapdragon 810透过G Flex 2上市。另一款
Snapdragon 808则获G4搭载，在全球市场销售。高通董事长Paul E. Jacobs也在纽约为
G4上市站台。
然而乐金电子的全球市占率与销售量毕竟不及三星电子。三星电子2015年第1季手机销
售量达9,900万支，其中智能型手机约占85%；同期乐金电子智能型手机销售量仅1,540
万支。
二家公司旗舰机种Galaxy S系列与G系列的销售量也有颇大... 阅读全帖 |
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d******1
发帖数: 349 | 27 为什么手机厂商都来加码芯片业务？
2015-05-07
如果说年初时三星 S6 确定不再继续像之前一样于部分市场采用高通骁龙处理器，而全
面改用自家的 Exynos 7420，是三星给高通的切肤之痛的话，那么近日三星则又补了一
刀——其自有架构处理器 Exynos M1 已经问世在即，并有望搭载在下一代旗舰 S7 上。
三星的处理器发展史很长，最早在 Windows Mobile 时代就开始做，进入智能手机爆发
初期之时，由于英特尔的战略失误，三星成为 iPhone 的首席芯片提供方，并且还推出
了当时代表顶尖水准的“蜂鸟”处理器。而一路走来，到当下最新的 Exynos 7420，三
星不仅在 14nm FinFET 工艺与性能上领先了台积电和高通，困扰三星多年的基带问题
也终于在 Exynos 7420 得到了圆满解决。
而有关代号为 “Mongoose”Exynos M1，据称其据称其在 GeekBeanch 3 跑分中单核成
绩达到 2200，比 Exynos 7420 还要多出 45%。可见其性能已经是行业顶级的了。
其实为芯片而奔走的不仅仅是三星一家，除了高通、联发科、英特尔... 阅读全帖 |
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a*****8
发帖数: 261 | 28 http://www.businesswire.com/news/home/20151111006526/en/Samsung
SEOUL, South Korea--(BUSINESS WIRE)--Samsung Electronics Co., Ltd., a world
leader in advanced semiconductor technology, today announced the newest
member of its Exynos family of application processors, the Exynos 8 Octa
8890. This chip is Samsung’s second premium application processor built on
14nm FinFET process technology. Unlike the previous Exynos 7 Octa 7420, the
Exynos 8 Octa is an integrated one-chip solution that features t... 阅读全帖 |
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f*******2
发帖数: 341 | 29 高通发布最新骁龙820芯片 手机明年上半年推出
腾讯科技 郭晓峰 12月11日报道
今日下午，美国高通公司在华发布其全新旗舰芯片骁龙820。目前，基于骁龙820的终端
产品已有超过70款正在设计中，涉及三星、索尼、华为、小米、LG等品牌，预计最快将
于2016 年上半年上市。
高通公司高级副总裁兼大中华区首席运营官罗杰夫在会上表示，到2019年全球智能手机
累计出货量将达到85亿部，装机量增长高达53%。高通在移动设备领域的芯片保持着良
好增长，2015年全球芯片出货量为9.32亿片，平均每天约250万片。
产品方面，骁龙820采用面向异构计算而设计的高度优化定制64位CPU——Qualcomm
Kryo。Kryo采用最新14纳米FinFET工艺制程，支持最高达单核2.2GHz的处理速度。Kryo
是定制Krait CPU的延续——Krait CPU支持骁龙 800、801和 805处理器。高通称，与
骁龙810处理器相比，Kryo CPU和骁龙820将带来最高达两倍的性能提升及功效提升。
对用户而言，功耗是最为关心的问题。高通称，骁龙820整体功耗降低30%。其GPU采用
Adren... 阅读全帖 |
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p***e
发帖数: 1318 | 30 It is nothing new le. Not really 3D anyway. nothing to do with moore's
law. Intel guys just like to entertain the public using moore's law. it
isn 't really worth the hype. just a finfet TSMC prototyped a few years
ago.
look how ARM price plummet 2- 3 days ago. just like the old saying,
死诸葛吓走生仲达.
as said, if Intel turns around, it can easily knock out ARM/TSMC. it is
just not profitable for it to do that now.
another |
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k*l
发帖数: 2574 | 31 做到20nm左右就差不多了，后面就上finfet了。
先期投资这么大，全球也就3，5家。 |
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J****o
发帖数: 54 | 32 FinFET也要用类似的process和inspection tools吧。感觉半导体生产的投入太高了，
一台机器就几百万或者上千万 |
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k*l
发帖数: 2574 | 33 如果都是原创的话，这篇是迄今最有意思的一篇了。lz不会是做工艺的吧。
写历史之后写写finfet之类什么前景吧
硬件还有几年可活 |
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k*l
发帖数: 2574 | 34 HiK不丢脸。28nm以下都HiK了，结果gate leakage大减，又解决一大难题。
finfet是解决光刻极限还是Quantum tunnelling? |
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p***e
发帖数: 1318 | 35 房黑之余, 接着讲讲俺们硅谷的故事.
上次说到, Intel一心一意要维护自己在硅工艺技术上的领先形象, 可是由于它强烈
的risk aversion, 实际上常常是走在技术研发的后端.(除了铜工艺, strained
silicon, SOI, finfet都是由别人先发表出来.) 在这种时候, intel总是顾左右而
言它, 而私底下一定是拼命追赶, 到2001年, intel终于在0.13um工艺上使用了铜互连.
落后IBM四年多, 落后Jerry Sanders的AMD一年多.
当时Intel的一位fellow说, "工艺不是最重要的, 体系结构更能决定芯片性能". 于是就
在这时候, intel在体系结构上也栽了大跟头. 其辉煌程度只会有过之而无不及. 如果说
在铜工艺上的落后是一个disaster, 那么intel在体系结构上的错误会被证明是一个
catastrophe. 很难想象, 换了是另一个公司会能够度过如此昂贵的灾难.
这就是我要说的第三次论战: 64位对64位, IA-64 vs x86-64.
到90年代后期, 很明显32位系统的4G内存限制已经满足不了高端计算... 阅读全帖 |
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a***e
发帖数: 27968 | 36 铜工艺还有的说
这个strained silicon还是intel大拿，
ibm/amd用的两层技术根本不靠谱，最后都还回到intel的方式
SOI根本就是个工艺hype,好处有限，贼贵还对后期工艺有一堆限制
HKMG，finfet这俩，intel还是比其他的先进一代以上
ibm这些年是越来越不靠谱了
连.
是就
果说 |
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p***e
发帖数: 1318 | 37 房黑之余, 接着讲讲俺们硅谷的故事.
上次说到, Intel一心一意要维护自己在硅工艺技术上的领先形象, 可是由于它强烈
的risk aversion, 实际上常常是走在技术研发的后端.(除了铜工艺, strained
silicon, SOI, finfet都是由别人先发表出来.) 在这种时候, intel总是顾左右而
言它, 而私底下一定是拼命追赶, 到2001年, intel终于在0.13um工艺上使用了铜互连.
落后IBM四年多, 落后Jerry Sanders的AMD一年多.
当时Intel的一位fellow说, "工艺不是最重要的, 体系结构更能决定芯片性能". 于是就
在这时候, intel在体系结构上也栽了大跟头. 其辉煌程度只会有过之而无不及. 如果说
在铜工艺上的落后是一个disaster, 那么intel在体系结构上的错误会被证明是一个
catastrophe. 很难想象, 换了是另一个公司会能够度过如此昂贵的灾难.
这就是我要说的第三次论战: 64位对64位, IA-64 vs x86-64.
到90年代后期, 很明显32位系统的4G内存限制已经满足不了高端计算... 阅读全帖 |
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l*********y
发帖数: 3447 | 38 真是大嘴一张，什么都敢说。你以为moore几十年前说一句每两年node减小一半，剩下
的就是体力活了？为了实现摩尔定律，工艺比以前不知道复杂了多少，设备技术更新和
工艺创新始终关联在一起，大概每十八个月半导体设备就得有一次大的upgrade,同时工
艺也不一样，更别说现在各种各样的3D技术，其中包括finfet,整个gate都竖起来,对工
艺的精度要求大大提高。还5年根10年没啥变化，你如果10 年前离开intel，别说工艺
技术现在进去连他们用的什么材料都没听说过。
技术和利润是两码事， IC 收入比不过网络技术是因为iC技术进展太快，好比一个人自
己勒自己的脖子。 |
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c*********5
发帖数: 5813 | 39 Euv是做出来了不过现在流行做3d, trigate，finfet,不再一味scale down,估计狠影响
光刻机的销量 |
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发帖数: 1 | 40 各位EE, ECE专业同学，在下是一州立大学的微电子博士生，现在第五年ing。学校Ph.D
. program排名15左右，自己发了4篇Journal, 还有过一次领域内较好会议的talk。明
年我们学校Graduate School提供Ph.D.学生做Summer Research Intern Fellowship项
目，从2016年5月-8月，资金由学校出，并包括医疗保险，跟学校Fellow待遇一样。
因临近毕业（大概2016年12月博士毕业），老板对我明年做实习也比较支持。不知道有
没有相关公司、National Lab、R&D Center的前辈愿意接受？最好是跟以下我的Ph.D.
从事的领域结合，因为要相关的Intern项目才能被学校批准
- NAND Flash, Non-Volatile Memory, VLSI Physical Design, TCADs
- Device Simulation, FinFET, Leakage Mechanism, Device Circuit Interaction
- Fabrication tools: CVD, Etchin... 阅读全帖 |
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发帖数: 1 | 41 各位EE, ECE专业前辈，在下是一州立大学的博士生，现第五年ing。学校Ph.D.
program排名15左右，自己目前发了4篇Journal, 还有过一次领域内较好会议的talk
。明年我们学校Graduate School提供Ph.D.学生做Summer Research Intern
Fellowship项目，从2016年5月-8月，资金由学校出，并包括医疗保险，跟学校Fellow
待遇一样。
因临近毕业（大概2016年12月博士毕业），老板对我明年做实习也比较支持。不知道有
没有相关公司、National Lab、R&D Center的前辈愿意接受？最好是跟以下我的Ph.D.
从事的领域结合，因为要相关的Intern项目才能被学校批准
- NAND Flash, Non-Volatile Memory, VLSI Physical Design, TCADs
- Device Simulation, FinFET, Leakage Mechanism, Device Circuit Interaction
- Fabrication tools: CVD, Etching, ... 阅读全帖 |
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B******1
发帖数: 9094 | 42 发信人: perse (盐), 信区: SanFrancisco
标 题: 硅谷公司的兴亡 (五下).
发信站: BBS 未名空间站 (Sat Jun 25 06:51:45 2011, 美东)
房黑之余, 接着讲讲俺们硅谷的故事.
上次说到, Intel一心一意要维护自己在硅工艺技术上的领先形象, 可是由于它强烈
的risk aversion, 实际上常常是走在技术研发的后端.(除了铜工艺, strained
silicon, SOI, finfet都是由别人先发表出来.) 在这种时候, intel总是顾左右而
言它, 而私底下一定是拼命追赶, 到2001年, intel终于在0.13um工艺上使用了铜互连.
落后IBM四年多, 落后Jerry Sanders的AMD一年多.
当时Intel的一位fellow说, "工艺不是最重要的, 体系结构更能决定芯片性能". 于是就
在这时候, intel在体系结构上也栽了大跟头. 其辉煌程度只会有过之而无不及. 如果说
在铜工艺上的落后是一个disaster, 那么intel在体系结构上的错误会被证明是一个
catastrophe. 很难想... 阅读全帖 |
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m**a
发帖数: 464 | 43 我刚看了engadget的新闻，感觉除了把SNB上很烂的集成显卡性能提高了很多以外，这
个CPU本身没有什么太多的进步呀。10%不到的提升似乎没什么升级意义吧
新工艺带来的功耗下降是肯定的，这是一个实实在在的进步。我觉得这个IVB的意义更
多的在于第一个量产了finfet技术吧。这可领先于全球所有同行了。
说到底，我觉得intel还是赢在marketing和工艺了。这个IVB，真没啥特别的新意。也
不怪NV这么嚣张的说“Kepler puts Ultra in the ultrabook”了 |
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g******i
发帖数: 581 | 44 杨振宁 国立西南联合大学-学士(1942),硕士(1944)
1957年以中华民国公民身份获得诺贝尔物理学奖，1986年获美国国家科学奖章，1993年
获本杰明.富兰克林奖章，1995年获 爱因斯坦奖章，与李政道提出弱相互作用中宇称不
守恒.与罗伯特·米尔斯一道提出了杨-米尔斯理论，即非阿贝尔规范理论，对基础物理
学产生了深远的影响，是粒子物理学的标准模型的基础
李政道 国立浙江大学物理系/国立西南联合大学-学士 芝加哥大学博士
1957年以中华民国公民身份与杨振宁以弱作用下宇称不守恒的的发现获得诺贝尔物理学奖
吴健雄 国立中央大学数学/物理学士，先后在国立浙江大学,中央研究院物理研究所工
作美国国家科学院院士 美国国家科学奖章获得者，沃尔夫奖获得者，曾任美国物理学
会会长
1957年验证杨振宁李政道的“弱相互作用下的宇称不守恒”，1963年实验证明“β 衰
变在矢量流守恒定律”
在制造原子弹的“曼哈顿计划”中解决了链式反应无法延续的重大难题
被美国物理学会宣布为最伟大的实验物理学家之一
Madam Wu is arguably the most admired female sci... 阅读全帖 |
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c******n
发帖数: 16666 | 45 【 以下文字转载自 PDA 讨论区 】
发信人: llamania (Mama Mia, llamania), 信区: PDA
标 题: 驍龍 820 仍會過熱？三星力圖降溫
发信站: BBS 未名空间站 (Tue Oct 27 16:15:36 2015, 美东)
高通（Qualcomm Inc.）「驍龍（Snapdragon）810」處理器頻頻傳出過熱，問題到了次
世代的「驍龍 820」還是沒解決？韓媒傳出，三星電子（Samsung Electronics Co.）
為了降低處理器溫度，已忙得焦頭爛額。
Business Korea 27 日引述業界消息報導，為了解決驍龍 820 的過熱問題，三星打算
修改處理器的控制程式，希望在 10 月結束前提出修補方案。假如無法順利克服困難，
那麼三星將改而置入散熱管（radiating pipe），藉此預防過熱。也就是說，三星會卯
足全力，務求要讓次世代智慧型手機「Galaxy S7」順利搭載驍龍 820。
三星之前就是因為對驍龍 810 的表現不滿意，決定在 Galaxy S6 採用自家處理器「
Exynos 7420」。如今驍龍 82... 阅读全帖 |
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c***r
发帖数: 4631 | 46 intel上28nm了？不是直接上22nm finfet么？ |
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r******y
发帖数: 3838 | 47 本周初，台积电Fab 14晶圆厂的第六阶段(Phase 6)工厂在台湾的南部科学工业园区内
正式破土动工，未来将用于率先生产16nm FinFET工艺的300毫米晶圆。 Fab 14 Phase
6预计需要两年的建设和装备时间，2014年底或者2015年初投入批量生产，不过在2013
年底，16nm工艺的风险性试生产就会开始。 根据此前消息，台积电的20nm工艺已经完
成了50款代工芯片的样品，有望在明年晚些时候投产，地点就在Fab 14，16nm则会在其
一年多之后就跟着到来。业内人士认为，20/16nm将成为台积电争夺苹果处理器订单的
最强有力武器。Fab 14 Phase 6/5两部分工厂的洁净室总面积也将达到8.7万平方米，
是典型300毫米晶圆厂的四倍多，更将成为台积电全球竞争力的核心力量。 Fab 14是继
Fab 12 Phase 1之后，台积电的第二座300毫米晶圆厂，2004年批量投产，现在有Phase
1/2/3/4四个部分正在运转中，每季度可生产55万块300毫米晶圆，全球无可匹敌，
2011年收入达62亿美元，占公司总收入的42％。台积电希望Phase 5/6加... 阅读全帖 |
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n**l
发帖数: 2754 | 48 IB只是32nm到22nm的shrink，并没有大的架构改变。performance/Walt大概有15-20%的
提升，TDP的降低应该更有利于超频。如果比SB不是贵太多的话，还是不错的。
另外客普一下吧，3770K(Ivy Bridge)是2600k/2700k(Sandy Bridge)的后续版本，用的是22nm
FinFet的工艺。基本变化有诸如77W TDP，HD4000 graphic和native usb 3.0支持。 |
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n******h
发帖数: 2544 | 49 搞完回来。
看了combo主板价格都很坑爹，弄了个3450。咱也搞一把最新的22nm FINFET工艺。
Intel法螺吹的震天响，low leakage应该能省不少的功耗。
顺便搞了Corsair的8G DRAM，$32.99 after MIR。小二不错直接给了5% off。
回来装上了212神扇，真是一点没声音啊。贴上去都听不出啥。就是不知道应该把风扇
对着内存吹，还是对着rear fan吹。估计没啥差别。 |
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n******h
发帖数: 2544 | 50 是不是只有core device用的三维晶体管，其他IO还是regular cmos晶体管？
好奇的说？ |
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