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y*z
发帖数: 3244 | 2 真的要雄起了？
AMD Zen架构大曝光：
32核心+8通道DDR4内存，
使用14nm FinFET工艺制作，
同频性能会比现在的AMD处理器提高40%，
支持SMT超线程，
支持PCI-E 3.0 |
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a***e
发帖数: 27968 | 3 Finfet
★ 发自iPhone App: ChineseWeb 13 |
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t******e
发帖数: 673 | 4 已经买了。$750
http://laptopmedia.com/review/asus-fx502vm-review-an-outcast-republic-of-gamers-laptop/
review shows similar performance as 6GB version.
The graphics card is based on the GP106 chip built on the 16nm FinFET
manufacturing process from TSMC paired with up to 6GB GDDR5 VRAM clocked at
8000 MHz effective on a 192-bit interface but this particular model sports
3GB of GDDR5. On contrary to the desktop 3GB variant, this one utilizes the
full 1280 CUDA cores intrinsic to the GP106. The GPU als... 阅读全帖 |
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s********k
发帖数: 6180 | 7 Berkeley出了好多把，从早期的RAID，BSD，到现在的Caffe，Spark，RISC-V，还有芯
片工艺重大突破的FinFET,俺觉得当之无愧EECS世界第一牛学校。都是做出对产业贡献
巨大的。 |
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d*******3
发帖数: 148 | 8
07年,传统的以SiO2为基础的MOSFET走到尽头，取而代之的是高介电常数，俗称high-k
材料，以HfO2为代表，moore's 得以继续延续，65nm 到 45nm, 再到 32nm,以及今年的
22nm，不过这些都是基于2-D结构，但要再scaling到22nm以下，2-D结构也要到了头，
面临严重的short channel effect.于是最近呼声甚大的3-D MOSFET 摆上的桌面
所谓的3-D MOSFET结构也已经研发了十多年了，主要是以Intel为代表的Tri-gate 和
其他公司的 FinFET.
EUV光刻在22nm以下技术的是关键中的关键... |
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s****y
发帖数: 24 | 9 美国华裔科学家胡正明（ChenmingHu）周一宣布，成
功研制出一种全世界最细小、供电脑晶片用的半导体晶体管。新的
晶体管小得只有一百个原子阔度，但由于这种连肉眼也看不见的晶
体管能够大量装置在电脑晶片内，令晶片的储存量比现时多出四百
倍，未来电脑晶片的价钱更加便宜，运算速度更快。
据香港《苹果日报》报道，取得这项被誉为半导体发展三十年来最
大突破的专家，是来自美国加州大学柏克莱分校
（UniversityofCalifornia，Berkeley）电机工程及电脑科学系胡
正明教授。
来自台湾的胡正明称，这个名叫FinFET的新型晶体管的体积，已
「创出了新的世界纪录」，将会令晶片技术朝向运算速度更快和更
便宜的方向走。
他表示，新晶体管的详情将于下月七日在华盛顿举行的国际电子仪
器会议公布。尽管如此，从加州大学柏克莱分校发布的新闻稿中，
也略知晶体管的大概。
新闻稿指出，新突破的出现，是由于研究人员改变了传统晶体管中
控制电 |
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d*****a
发帖数: 10 | 10 大家好，小弟刚刚是ph.d第二年，专业方向是finfet的compact modeling，曾经试着在
一些网站上找相关工作信息，但是真的是不多，不知道坛子里有没有前辈也是做类似方
面的，请不吝赐教。多谢 |
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t**o
发帖数: 1030 | 11 这个说实话，太前沿了
以前看过FinFET方面三篇paper，不禁感慨：到底是神的领域啊，不是我们一般人能玩
的！ |
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t**o
发帖数: 1030 | 12 搞device，特别是搞FinFET这种state of the art的device，现今还没有应用，当然不
如玩电路画出图来流片好啊 |
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d*****a
发帖数: 10 | 13 我是做compact modeling的，Finfet只是其中的一个应用，原则上讲可以引入到传统的
mosfet里面。坛子没有做compact modeling的吗？ |
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N**D
发帖数: 37 | 14 你这样说法已经提了很多年了，CMOS还不是到了现在，而且还能继续下去。至少Intel
是保持乐观的。除了单纯的scaling down,现在还有别的option来提高device
performance,比如strain silicon, Si-Ge, FinFET, multi-gate MOSFET, nanowire
MOSFET, even III-V on Si...这些都是可能的出路。现在还没有集中力量做，是因为
还没有到那一步，planar CMOS scaling down 还能继续。除了CMOS logic, memory 也
是一个很大的产业，而且由于memory本身的特点，相比于logic CMOS, 其device比较多
样，也有更多的创新，比如 innovative silicon 的single transistor DRAM,3-D
memory, phase change memory(当然，这不是基于CMOS)...总之，会有新的技术，新的
应用，新的产品出现，让这个行当继续下去。个人觉得，在solid state electronics
这个范围内， |
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H*****l
发帖数: 702 | 15 I know there are at least 2000 guys in the payroll of AMAT Sunfab group
and AMAT c-Si solar business group and renewable energy group (MOCVD)
are interviewing people every day....
but too many experineced engineers just ask for too high a paycheck which is
the most impossbile thing in this shitty market.
But I still confirmly believe that III-V MOSFET on Silicon, nanoscale FinFET
, and silicon memory are much much better than solar in the view of career
growth.
Since i am not clever at all, can |
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a******e
发帖数: 331 | 16 看看这个20纳,又是Double patterning 又 cut poly, FinFet,...
MASK SET 就10M, 真是不让人活了 |
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S****d
发帖数: 298 | 17 Through-Silicon-Via技术现在有，Micron自称出了产品，多个chip堆叠。2009年CEA-
LETI写
了一篇IEDM文章，讲low temperature bonding，做了两个堆叠在一起的晶体管，中间
用类似SOI
的技术隔离。这个密度应该比TSV的更高，但是不知道做多个器件还能不能保证质量。
既然FinFET上
了，nanowire不知道会不会跟进。
层叠加？ |
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H*****l
发帖数: 702 | 18 这个3d的tri gate难道不就是某种fin gate吗
至于Finfet还没哪一个大厂真正做logic吧
当然你memory cell都是垂直下去的floating gate.
3d memory 早就量产好多年了 |
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q****e
发帖数: 793 | 19 要是能用异质结做FinFET结构的tunneling fet倒是有点希望
不过这玩意儿也太难做了 |
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H***F
发帖数: 2501 | 20 tsmc当年不是早在做finfet了吗，现在还没出来？
Wow, this is huge - it significantly Strengthens intel's leadership role
compared to competitors, definitely intel will use
this advance to break in the low power market.
Iii-v has lower density of states, and combined with its worse interface, so
far nobody demonstrated advantage
compared to si, but as intel has so many resources on this, another big
surprise may come soon. This trigate news
probably will make IBM alliance pretty nervous.
和倒数第2页） |
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h*********9
发帖数: 20 | 21 At least for 20-22, news says tsmc will use conventional structure, and they
plan to make 14 node with finfet, even on
450 mm wafer.
so |
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k*l
发帖数: 2574 | 22 5年之后analog design多大市场很难说啊。
5年之后都hit brick wall了，大家上finfet了吧
除了PMIC之类多用IO的，前景难料啊
这个时候还不如继续呆着，有时间考虑是否需要转行呢吧。 |
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s***d
发帖数: 15421 | 24 你不好好炒股 别在这丢人了 intel 这两年为了finfet 可是招兵买马 要大干一场 干
完之后 moore估计走到头了就
★ 发自iPhone App: ChineseWeb - 中文网站浏览器 |
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s*****t
发帖数: 987 | 25
FinFET能搞到几个nm？ 以后有没有其他的替代材料或者替代技术？ |
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h**********l
发帖数: 410 | 27 对这行还不太懂,但是感觉还是很多工作还是靠scaling维持的.过两年就16nm finfet了
,scaling真的很快就完蛋了.那ASIC还能撑多久?
大部分工作到底是怎么创造出来的?难道工艺不变的话也能有那么多design的创新来维
持ASIC这些人来打杂吗?学术界accelerator倒是炒的很热,不知道能不能成为维持数字
行业的技术.
大家觉得还能撑多久?还是跟社会有关的行业经久不衰一些,例如金融.可惜木有绿卡,英
语也不占优势... cs估计会死的晚一点,毕竟得device,asic, architecture都死了才轮
到cs.... |
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Z**n
发帖数: 95 | 28 蓝光LED的意义是告别了爱迪生的白炽灯时代，开启了新时代。是划时代的。
FinFET 使得摩尔定律继续延伸，“尚看不到限制”。 |
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m*****t
发帖数: 3477 | 29 都高，一边是要求density和yeild，一边是要求performence和reliability。
抛开FinFET之类的不说，感觉一般的pure digital flow，着重在process eng，而
analog/power/RF需要较多的device eng。当然，除了少数专玩Proc, MEM，DSP的，大
多数IC会用mixed-signal flow，后端工作最多的integration。
不过我纯数字的接触不多，说的不见得准确。 |
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发帖数: 1 | 30 各位EE前辈，在下是某州立大学的微电子博士生，现在第五年ing。明年我们学校
Graduate School提供Ph.D.学生做Summer Research Intern Fellowship项目，从2016
年5月-8月，资金由学校出，并包括医疗保险，跟学校Fellow待遇一样。
因临近毕业（大概2016年12月博士毕业）老板对我做summer实习也比较支持。不知道有
没有相关公司、Research Lab、R&D Center的前辈愿意接受？最好是跟以下我的Ph.D.
从事的领域结合，因为要相关的Intern才能被学校批准
- NAND Flash, Non-Volatile Memory, VLSI Physical Design, TCADs
- Device Simulation, FinFET, Leakage Mechanism, Device Circuit Interaction
- Fabrication tools: CVD, Etching, Phase-Shift Mask, Computation Lithography
欢迎感兴趣的前辈站内联系，我也会把... 阅读全帖 |
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m******g
发帖数: 621 | 31 摩尔定律虽然看起来只跟FOUNDRY有关，实际上是整个行业的标杆。
肯定和设计有关系，比如布线，散热控制之类的。
当时FinFET 22nm出现的时候，EDA公司也花了很长时间进行调整和适应 |
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x****l
发帖数: 22 | 32 组内招人，提供内推。 造福还在为工作和H1B发愁的EE同胞。
Fresh graduates are welcome, 1-2 year-experience is better.
Perfect candidates should have :
1. Strong VLSI physical design background OR analog layout design background;
2. Strong Back-end EDA tool experience;
3. Proficiency in Perl/Python and shell programing;
4. Familiar with Spice syntax;
5. Familiar with FinFet processing.
H1-B/Greencard supported.
有意请站内，谢谢! |
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x****l
发帖数: 22 | 33 组内招人，提供内推。 造福还在为工作和H1B发愁的EE同胞。
Fresh graduates are welcome, 1-2 year-experience is better.
Perfect candidates should have :
1. Strong VLSI physical design background OR analog layout design background;
2. Strong Back-end EDA tool experience;
3. Proficiency in Perl/Python and shell programing;
4. Familiar with Spice syntax;
5. Familiar with FinFet processing.
H1-B/Greencard supported.
公司在湾区，有意请站内，谢谢! |
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w********o
发帖数: 10088 | 34 那个是得先有数据吧,我就是想画一个类似FinFET的东西 |
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