b********d
发帖数: 720 | 1 MIS=metal-insulator-semiconductor
我工程知识不行，有几个问题不懂
看paper里测CV的时候，最后分析电路基本都是按照附件里的电路图来分析的，有几个
部分，C(I)代表insulator的contribution,C(D) is the contribution from
depletion region between insulator and semiconductor, C(B) is for the bulk
semiconductor, R(C)is for the contact between semiconductor and metal
electrode
下面是我不懂的几个点：
1.为什么R(B)和C(B)画出来是并联的而不是串联的呢？
2.depletion 和contact的电容怎么测？
3.还有一个比较相关的问题---我看很多device里面insulator可能挺薄的，只有几个纳
米，可是shadow mask镀上去的metal contact却挺厚，几十到一百纳米，那这个shadow
mask读金属的时候不会对接触点的insulator有影响性的破坏吗，比如让它有crack or
defect了？
谢谢
请不要喷我或者笑我问的问题傻叉，是的，我不懂的很多，所以要学习 呵呵 |
S****d
发帖数: 298 | 2 尝试着讨论一下，欢迎补充或斧正。
1.串联的意思是直流时开路，一般的silicon是达不到开路的，并联表示直流时
substrate是一个电阻。高频时接近短路是dielectric的特性，位移电流。但是我觉得C
-V测试应该用不到那么高的频率，最多MHz吧，RFIC里的电感模型倒是包括substrate的
RC。电化学里面电解质的等效电路就是RC并联。
2.Depletion cap我猜是先测好accumulation时的Cox和inversion的Ctot，再extract出
来。我觉得应该有直接测量Cd的方法，但是不熟悉。Contact cap在Schottky contact
时肯定有，但是对于MOS，一般要做成Ohmic contact，应该没什么电容了。如果是
contact resistance，可以做contact chain，用总电阻除以contact的个数。还可以在
半导体上制备不同间距的金属电极，测量相互间电阻之后利用传输线模型得到contact
resistivity，这个要复杂一点。
3.如果应力过大破坏了insulator肯定不行，insulator里面的缺陷太多容易在电应力下
形成breakdown，dangling bond还会形成fixed charge影像threshold voltage。至于
怎样制备薄膜和进行热处理能够减小破坏，估计就是专利了吧。 |
b********d
发帖数: 720 | 3 非常感谢
有句话怎么说来着? 听君一席话，胜读十年书！
有时候自己一个人闷着头看书看几天可能也不见得有听别人说的懂，你说的第一第二两
点对我的帮助就是这样的。网上的paper经常都只是给出结果，不会告诉你为什么这么
做，很多细的东西也不见得能google找到答案 呵呵
第三点呢，我之所以想这个问题是因为我做过一个proposal，polymer dielectrics的
，如果是比较厚的呢，比如几十个纳米，感觉应该问题不会很大的，可是有些组,他们
做过monolayer的dielectrics，dielectrics的厚度可能才1,2个纳米，然后我就想，这
么薄，又是软材料，你这个metal contact怎么弄上去啊，可是他们这些人report的
gate leaking又还可以，比如10^-7, 10^-8的漏电水平，也还好，paper里一般说到实
验部分都是一句话带过：the metal contact was evaporated using shadow mask。。
。 我就不大能够想象这个怎么能镀上去不会让他的polymer dielectrics坏掉呢？ 呵呵
嗯，大概就是这样的
谢谢你，我继续想想看
得C
contact
contact
【在 S****d 的大作中提到】
: 尝试着讨论一下，欢迎补充或斧正。
: 1.串联的意思是直流时开路，一般的silicon是达不到开路的，并联表示直流时
: substrate是一个电阻。高频时接近短路是dielectric的特性，位移电流。但是我觉得C
: -V测试应该用不到那么高的频率，最多MHz吧，RFIC里的电感模型倒是包括substrate的
: RC。电化学里面电解质的等效电路就是RC并联。
: 2.Depletion cap我猜是先测好accumulation时的Cox和inversion的Ctot，再extract出
: 来。我觉得应该有直接测量Cd的方法，但是不熟悉。Contact cap在Schottky contact
: 时肯定有，但是对于MOS，一般要做成Ohmic contact，应该没什么电容了。如果是
: contact resistance，可以做contact chain，用总电阻除以contact的个数。还可以在
: 半导体上制备不同间距的金属电极，测量相互间电阻之后利用传输线模型得到contact
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S****d
发帖数: 298 | 4 以我有限的经验，没觉得dielectric那么容易坏。PVD几种常见金属的多晶薄膜，XRD都
没有看到明显的strain，也许这个厚度的金属不是问题。 |
