r**********e
发帖数: 273 | 1 不知道在这里发合不合适，lz小白，求指教：）
1. Which direction has slowest etch rate for Si? Why
2. Why you do not want H in RIE? |
s*******y
发帖数: 130 | 2 111
H can go deep in Si
【在 r**********e 的大作中提到】
: 不知道在这里发合不合适，lz小白，求指教：）
: 1. Which direction has slowest etch rate for Si? Why
: 2. Why you do not want H in RIE?
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r**********e
发帖数: 273 | 3 多谢，111是因为这个面上原子密度最大吗?
H是指氢气？最破坏深层Si结构？求详解
【在 s*******y 的大作中提到】
: 111
: H can go deep in Si
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b********d
发帖数: 720 | 4 嗯，你看一下晶格图就懂了
第二个问题不知道，感觉不对啊，理论我没想过，不过实际操作的时候，SF6,CF4也可
以用来etch啊，没有用到H啊，你确定你没弄错？
【在 r**********e 的大作中提到】
: 多谢，111是因为这个面上原子密度最大吗?
: H是指氢气？最破坏深层Si结构？求详解
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r**********e
发帖数: 273 | 5 应该没错吧，在glassdoor看到的问题：）
http://www.glassdoor.com/Interview/GLOBALFOUNDRIES-Senior-Proce
【在 b********d 的大作中提到】
: 嗯，你看一下晶格图就懂了
: 第二个问题不知道，感觉不对啊，理论我没想过，不过实际操作的时候，SF6,CF4也可
: 以用来etch啊，没有用到H啊，你确定你没弄错？
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a*******i
发帖数: 11664 | 6 http://web.utk.edu/~prack/Thin films/Etching.pdf
H will form HF with fluoride thus reduce etch rate.
【在 r**********e 的大作中提到】
: 应该没错吧，在glassdoor看到的问题：）
: http://www.glassdoor.com/Interview/GLOBALFOUNDRIES-Senior-Proce
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r**********e
发帖数: 273 | 7 I see. So it seems H2 is utilized for controlling the etching rate?
【在 a*******i 的大作中提到】
: http://web.utk.edu/~prack/Thin films/Etching.pdf
: H will form HF with fluoride thus reduce etch rate.
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a*******i
发帖数: 11664 | 8 And selectivity
【在 r**********e 的大作中提到】
: I see. So it seems H2 is utilized for controlling the etching rate?
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r**********e
发帖数: 273 | 9 I see. Thanks:)
【在 a*******i 的大作中提到】
: And selectivity
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c*********5
发帖数: 5813 | 10 I don't understand the second question either, H2 plasma is widely used in
Si RIE as H can control F/C ratio and promote Polymer deposition..Also HBr
is used in Si gate etching by forming SiBr4 volatile , how can you don't
want H in Si RIE?
【在 b********d 的大作中提到】
: 嗯，你看一下晶格图就懂了
: 第二个问题不知道，感觉不对啊，理论我没想过，不过实际操作的时候，SF6,CF4也可
: 以用来etch啊，没有用到H啊，你确定你没弄错？
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o****n
发帖数: 348 | 11 Second this
【在 c*********5 的大作中提到】
: I don't understand the second question either, H2 plasma is widely used in
: Si RIE as H can control F/C ratio and promote Polymer deposition..Also HBr
: is used in Si gate etching by forming SiBr4 volatile , how can you don't
: want H in Si RIE?
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a*******i
发帖数: 11664 | 12 我猜是那个人复述的时候记错题了，或者这道题还有什么前提条件
【在 c*********5 的大作中提到】
: I don't understand the second question either, H2 plasma is widely used in
: Si RIE as H can control F/C ratio and promote Polymer deposition..Also HBr
: is used in Si gate etching by forming SiBr4 volatile , how can you don't
: want H in Si RIE?
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