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EE版 - 请问刻蚀出来的沟槽宽度比预期的窄,是什么原因?
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d*******2
发帖数: 340
1
用尼康i12投影光刻,刻蚀出来的沟槽宽度比预期的窄,请问一般是什么原因?曝光显
影不足吗?先谢了!
s*****3
发帖数: 1673
2
positive tone or negative tone photoresist ?
A lot of parameters can affect the CD. Dose, focus offset, develop etc...

【在 d*******2 的大作中提到】
: 用尼康i12投影光刻,刻蚀出来的沟槽宽度比预期的窄,请问一般是什么原因?曝光显
: 影不足吗?先谢了!

a*******n
发帖数: 10
3
chemistry不合适,pressure太大,PR太厚,PR reflow。
暂时只能想到这几个原因
b********d
发帖数: 720
4
有很多可能的因素,PR pattern, etching process
你可以在做好PR pattern, etch之前先characterize一下你的PR pattern,看看和你的
预期值一样不
如果一样,再考虑etching process,比如是不是etching时间不够等

【在 d*******2 的大作中提到】
: 用尼康i12投影光刻,刻蚀出来的沟槽宽度比预期的窄,请问一般是什么原因?曝光显
: 影不足吗?先谢了!

r******t
发帖数: 8967
5
曝光显影不足还是最常见的。加长曝光时间?调整Developer的浓度和温度?

【在 d*******2 的大作中提到】
: 用尼康i12投影光刻,刻蚀出来的沟槽宽度比预期的窄,请问一般是什么原因?曝光显
: 影不足吗?先谢了!

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