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话题: 电容话题: ldo话题: 220uf话题: evm话题: 电流
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1 (共1页)
s******l
发帖数: 472
1
我们用的OFDM RF芯片对模拟电源的jitter比较敏感,TX EVM在3.5% -
6.5%中间变化,感觉不太稳定,我加个大电容 (220uF)后,EVM
稳定在4%以下,但是220uF体积太大,不可能用在production上,
各位大拿有没有别的cost effective的solution可以解决这个问题?
有大包子感谢。
a*****s
发帖数: 6260
2
要求的电压和电流?

【在 s******l 的大作中提到】
: 我们用的OFDM RF芯片对模拟电源的jitter比较敏感,TX EVM在3.5% -
: 6.5%中间变化,感觉不太稳定,我加个大电容 (220uF)后,EVM
: 稳定在4%以下,但是220uF体积太大,不可能用在production上,
: 各位大拿有没有别的cost effective的solution可以解决这个问题?
: 有大包子感谢。

s******l
发帖数: 472
3
电压2.8V, 电流不太清楚,datasheet上好像是300mA左右。

【在 a*****s 的大作中提到】
: 要求的电压和电流?
a*****s
发帖数: 6260
4
这弄个好一点的LDO行不?感觉要求不高啊。

【在 s******l 的大作中提到】
: 电压2.8V, 电流不太清楚,datasheet上好像是300mA左右。
w*****w
发帖数: 104
5
LDO 是一个好的选择,但是效率极低,ofdm的PAPR 是infinite。所以,ldo在back off
region 的效率极其糟糕。
另外的办法,是用 switching mode DCDC ,但是 narrow BW。
高效,高BW,参考ET or EER。

【在 s******l 的大作中提到】
: 我们用的OFDM RF芯片对模拟电源的jitter比较敏感,TX EVM在3.5% -
: 6.5%中间变化,感觉不太稳定,我加个大电容 (220uF)后,EVM
: 稳定在4%以下,但是220uF体积太大,不可能用在production上,
: 各位大拿有没有别的cost effective的solution可以解决这个问题?
: 有大包子感谢。

M*******c
发帖数: 4371
6
如果电流小,可以加个pi filter
r*********r
发帖数: 2
7
还可以尝试一下一个大电容(uF级)并一个小电容(nF级)(甚至再加一个再小点的电
容)滤波。小电容靠近RF芯片,大电容靠近电源
t*******e
发帖数: 216
8
对,这招很管用,我通常是10uF+0.01uF.
另外,有那种贴片的三端稳压器,楼主可以试试行不行,我以前试过,不过没比较过这
两种那种更好。还有就是10uF+0.01uF+regulator

【在 r*********r 的大作中提到】
: 还可以尝试一下一个大电容(uF级)并一个小电容(nF级)(甚至再加一个再小点的电
: 容)滤波。小电容靠近RF芯片,大电容靠近电源

b*********y
发帖数: 830
9
楼上都靠铺, 大小电容还不行就上pi 滤波, pi中间用那种inductor bead
s******l
发帖数: 472
10
我们用的OFDM RF芯片对模拟电源的jitter比较敏感,TX EVM在3.5% -
6.5%中间变化,感觉不太稳定,我加个大电容 (220uF)后,EVM
稳定在4%以下,但是220uF体积太大,不可能用在production上,
各位大拿有没有别的cost effective的solution可以解决这个问题?
有大包子感谢。
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a*****s
发帖数: 6260
11
要求的电压和电流?

【在 s******l 的大作中提到】
: 我们用的OFDM RF芯片对模拟电源的jitter比较敏感,TX EVM在3.5% -
: 6.5%中间变化,感觉不太稳定,我加个大电容 (220uF)后,EVM
: 稳定在4%以下,但是220uF体积太大,不可能用在production上,
: 各位大拿有没有别的cost effective的solution可以解决这个问题?
: 有大包子感谢。

s******l
发帖数: 472
12
电压2.8V, 电流不太清楚,datasheet上好像是300mA左右。

【在 a*****s 的大作中提到】
: 要求的电压和电流?
a*****s
发帖数: 6260
13
这弄个好一点的LDO行不?感觉要求不高啊。

【在 s******l 的大作中提到】
: 电压2.8V, 电流不太清楚,datasheet上好像是300mA左右。
w*****w
发帖数: 104
14
LDO 是一个好的选择,但是效率极低,ofdm的PAPR 是infinite。所以,ldo在back off
region 的效率极其糟糕。
另外的办法,是用 switching mode DCDC ,但是 narrow BW。
高效,高BW,参考ET or EER。

【在 s******l 的大作中提到】
: 我们用的OFDM RF芯片对模拟电源的jitter比较敏感,TX EVM在3.5% -
: 6.5%中间变化,感觉不太稳定,我加个大电容 (220uF)后,EVM
: 稳定在4%以下,但是220uF体积太大,不可能用在production上,
: 各位大拿有没有别的cost effective的solution可以解决这个问题?
: 有大包子感谢。

M*******c
发帖数: 4371
15
如果电流小,可以加个pi filter
r*********r
发帖数: 2
16
还可以尝试一下一个大电容(uF级)并一个小电容(nF级)(甚至再加一个再小点的电
容)滤波。小电容靠近RF芯片,大电容靠近电源
t*******e
发帖数: 216
17
对,这招很管用,我通常是10uF+0.01uF.
另外,有那种贴片的三端稳压器,楼主可以试试行不行,我以前试过,不过没比较过这
两种那种更好。还有就是10uF+0.01uF+regulator

【在 r*********r 的大作中提到】
: 还可以尝试一下一个大电容(uF级)并一个小电容(nF级)(甚至再加一个再小点的电
: 容)滤波。小电容靠近RF芯片,大电容靠近电源

b*********y
发帖数: 830
18
楼上都靠铺, 大小电容还不行就上pi 滤波, pi中间用那种inductor bead
w********t
发帖数: 5586
19
another option is Switching regulator + LDO which can take care of both
ripple requirement and voltage regulation.
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