j****n
发帖数: 3465 | 1 好像这个材料系挺讨厌的，跟很多chemical都不compatible，因而在选择dry etch
mask上很受局限，不知道各位有经验的前辈们都是用什么材料做etching mask的？ |
w********o
发帖数: 10088 | 2 SiN SiO2
你做干刻，这材料还不是一抓一把？
你这个材料湿刻也行吧
【在 j****n 的大作中提到】
: 好像这个材料系挺讨厌的，跟很多chemical都不compatible，因而在选择dry etch
: mask上很受局限，不知道各位有经验的前辈们都是用什么材料做etching mask的？
|
j****n
发帖数: 3465 | 3 干刻完之后如何去掉SiNx, SiO2呢？用HF/BOE泡掉？HF/BOE不是也attack AlGaAs吗？
【在 w********o 的大作中提到】
: SiN SiO2
: 你做干刻，这材料还不是一抓一把？
: 你这个材料湿刻也行吧
|
w********o
发帖数: 10088 | 4 可以干刻去
【在 j****n 的大作中提到】
: 干刻完之后如何去掉SiNx, SiO2呢？用HF/BOE泡掉？HF/BOE不是也attack AlGaAs吗？
|
j**y
发帖数: 7014 | 5 我印象中好像用Cl2 strip SiNx
【在 w********o 的大作中提到】
: 可以干刻去
|
j**y
发帖数: 7014 | 6 你查一下HF对SiNx/AlGaAs的selectivity
我印象中还是可以用的
【在 j****n 的大作中提到】
: 干刻完之后如何去掉SiNx, SiO2呢？用HF/BOE泡掉？HF/BOE不是也attack AlGaAs吗？
|
j****n
发帖数: 3465 | 7 什么叫“Cl2 strip SiNx”？你是说用Cl2刻蚀掉SiNx？
【在 j**y 的大作中提到】
: 我印象中好像用Cl2 strip SiNx
|
j**y
发帖数: 7014 | 8 对，我印象中是用的这个
【在 j****n 的大作中提到】
: 什么叫“Cl2 strip SiNx”？你是说用Cl2刻蚀掉SiNx？
|
j****n
发帖数: 3465 | 9 刻SiO2、SiNx不是都要用含F的气体吗？Cl2怎么能刻蚀SiO2, SiNx呢?
【在 j**y 的大作中提到】
: 对，我印象中是用的这个
|
j**y
发帖数: 7014 | 10 记错了
那应该是CF4，SF6之类的好像
【在 j****n 的大作中提到】
: 刻SiO2、SiNx不是都要用含F的气体吗？Cl2怎么能刻蚀SiO2, SiNx呢?
|
|
|
w********o
发帖数: 10088 | 11 SF6
【在 j**y 的大作中提到】
: 记错了
: 那应该是CF4，SF6之类的好像
|
H*****l
发帖数: 702 | 12 加了cl2还有什么吃不掉？
Cr都被吃掉了，不用说SiNx了
【在 j****n 的大作中提到】
: 刻SiO2、SiNx不是都要用含F的气体吗？Cl2怎么能刻蚀SiO2, SiNx呢?
|
j****n
发帖数: 3465 | 13 你这么说就有点纯抬杠了，别说加Cl2，你就是纯用Ar打，也能吃掉SiNx啊
【在 H*****l 的大作中提到】
: 加了cl2还有什么吃不掉？
: Cr都被吃掉了，不用说SiNx了
|
b*******h
发帖数: 2585 | 14 不明白, Cl2本来是用来刻GaAs, SiN 用来做harmask,就是抵御
Cl2的.
现在你反而用Cl2来去harmask,GaAs怎么办?
用很软的SF6去SiN 或者SiO2很常见
【在 H*****l 的大作中提到】
: 加了cl2还有什么吃不掉？
: Cr都被吃掉了，不用说SiNx了
|
j****n
发帖数: 3465 | 15 这其实是个selectivity的问题，不存在绝对不被etch的材料。即使是用来做hardmask
的SiNx,SiO2也是多少能被Cl2刻蚀的，只不过与此同时，GaAs被Cl2 etch得更快些。
【在 b*******h 的大作中提到】
: 不明白, Cl2本来是用来刻GaAs, SiN 用来做harmask,就是抵御
: Cl2的.
: 现在你反而用Cl2来去harmask,GaAs怎么办?
: 用很软的SF6去SiN 或者SiO2很常见
|
a*******e
发帖数: 121 | 16 SiNx，BOE
★ 发自iPhone App: ChineseWeb - 中文网站浏览器
【在 w********o 的大作中提到】
: SiN SiO2
: 你做干刻，这材料还不是一抓一把？
: 你这个材料湿刻也行吧
|
s**********2
发帖数: 305 | 17 Hi
我们实验室有RIE, 我刚刚还用CF4刻蚀了Si3N4 的膜，大概几百个nm吧应该（具体不清
楚，老板给你wafer，Si3N4 on SiO2.）这个刻蚀应该看 具体参数设置吧。
只是会用RIE，具体理论，还不太清楚，没做这方面research。
希望能有帮助。
hardmask
【在 j****n 的大作中提到】
: 这其实是个selectivity的问题，不存在绝对不被etch的材料。即使是用来做hardmask
: 的SiNx,SiO2也是多少能被Cl2刻蚀的，只不过与此同时，GaAs被Cl2 etch得更快些。
|
m*****n
发帖数: 166 | 18 depending on what thickness you want to etch, you can even use regular
photoresist to do the dry etch. Some photosensitive polymers, such as bcb,
polyimide, are also good choices.
All about selectivity!!!!
You can use CH4 and hydrogen to etch III-V materila typically. Ar can always
be added to stablize plasma and add some directionality in etching.
Using Cl2 and Ar can get very unisotropic profile. |
m*****n
发帖数: 166 | 19 you sue oxygen plasma to ash the organic masks. |
