R********n
发帖数: 3601 | 1 【 以下文字转载自 SanFrancisco 讨论区 】
发信人: FedexTN (Fedex), 信区: SanFrancisco
标 题: Broadcom要招人
发信站: BBS 未名空间站 (Sat Mar 27 20:48:27 2010, 美东)
现在Broadcom有一个组有几个opening，急需招人。主要是analog/mixed-signal
circuits。
要求是Master或者PhD，并不需要经验丰富。最低要求起码要会使用一些基本的design
tools。给的offer salary多少根据个人水平和经验来定。
有谁有兴趣的话给我发一份简历：c******[email protected]。我可以帮你直接refer给那
个组的manager。 |
l*****x
发帖数: 3431 | 2 赞
design
【在 R********n 的大作中提到】
: 【 以下文字转载自 SanFrancisco 讨论区 】
: 发信人: FedexTN (Fedex), 信区: SanFrancisco
: 标 题: Broadcom要招人
: 发信站: BBS 未名空间站 (Sat Mar 27 20:48:27 2010, 美东)
: 现在Broadcom有一个组有几个opening，急需招人。主要是analog/mixed-signal
: circuits。
: 要求是Master或者PhD，并不需要经验丰富。最低要求起码要会使用一些基本的design
: tools。给的offer salary多少根据个人水平和经验来定。
: 有谁有兴趣的话给我发一份简历：c******[email protected]。我可以帮你直接refer给那
: 个组的manager。
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s*******y
发帖数: 4173 | |
F*****N
发帖数: 15 | 4 更新一下，对于Master degree的同学：
必须是要working on a thesis related to analog/mixed signal/RF IC design。 假
如有tape out experience就更好。
master degree但不写thesis，或者thesis跟上述方向不相关的，很抱歉这次就暂时不
考虑了。 |
s**f
发帖数: 3 | 5 As far as I know, they require green card.
design
【在 R********n 的大作中提到】
: 【 以下文字转载自 SanFrancisco 讨论区 】
: 发信人: FedexTN (Fedex), 信区: SanFrancisco
: 标 题: Broadcom要招人
: 发信站: BBS 未名空间站 (Sat Mar 27 20:48:27 2010, 美东)
: 现在Broadcom有一个组有几个opening，急需招人。主要是analog/mixed-signal
: circuits。
: 要求是Master或者PhD，并不需要经验丰富。最低要求起码要会使用一些基本的design
: tools。给的offer salary多少根据个人水平和经验来定。
: 有谁有兴趣的话给我发一份简历：c******[email protected]。我可以帮你直接refer给那
: 个组的manager。
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a*m
发帖数: 6253 | 6 are you kidding?
【在 s**f 的大作中提到】
: As far as I know, they require green card.
:
: design
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s*******y
发帖数: 4173 | 7 真惨。
【在 s**f 的大作中提到】
: As far as I know, they require green card.
:
: design
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d**r
发帖数: 899 | 8 你咋知道的咧？
他们的网站上好像并没有写这条要求。
【在 s**f 的大作中提到】
: As far as I know, they require green card.
:
: design
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l**n
发帖数: 20 | 9 my friend got offer without green card. but he was intern previously
【在 s**f 的大作中提到】
: As far as I know, they require green card.
:
: design
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F*****N
发帖数: 15 | 10 有谁收到电话面试的话就给我发个站内邮件，好让我知道我的推荐有没有效果。 |
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s**f
发帖数: 3 | 11 不好意思，前一个帖子有点误导。
我实验室有个老印给他们内部的人打过电话，说这段时间不sponsor H1B，不一定就是
要绿卡。不知道他们是否接受transfer的H1B。这对我们刚毕业的可能不是个好消息。
不光他们，我知道现在很多公司都不帮办H1B。我投了他们简历，也没回音。谁有最新
消息麻烦更新一下，谢谢。（本人烂校Analog IC的fresh PhD.)
【在 s**f 的大作中提到】
: As far as I know, they require green card.
:
: design
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s***f
发帖数: 226 | 12 现在的IC市场基本是不帮办sponsorship，要security clearance。做design的还要至少2年以上的工作经验(这个还是Entry level的职位)，这些条件基本就是对海外fresh PhD/MS说 No.
【在 s**f 的大作中提到】
: 不好意思，前一个帖子有点误导。
: 我实验室有个老印给他们内部的人打过电话，说这段时间不sponsor H1B，不一定就是
: 要绿卡。不知道他们是否接受transfer的H1B。这对我们刚毕业的可能不是个好消息。
: 不光他们，我知道现在很多公司都不帮办H1B。我投了他们简历，也没回音。谁有最新
: 消息麻烦更新一下，谢谢。（本人烂校Analog IC的fresh PhD.)
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x****g
发帖数: 2000 | 13 I had an interview with them just now
I think I messed up, worst interview I ever had
They asked me about RF impedance matching,smith chart,transformer.....
I am more analog guy. I took one RF course years ago and I let it appears on
my CV.I knew these concepts but I couldn't detail them.
I was asked for the cascode structure, which contribute to more nonlinearity?
It is clear to me now the bottom transistor contributes more. But my head
stopped thinking after the RF questions.
Sad about that.
【在 s**f 的大作中提到】
: 不好意思，前一个帖子有点误导。
: 我实验室有个老印给他们内部的人打过电话，说这段时间不sponsor H1B，不一定就是
: 要绿卡。不知道他们是否接受transfer的H1B。这对我们刚毕业的可能不是个好消息。
: 不光他们，我知道现在很多公司都不帮办H1B。我投了他们简历，也没回音。谁有最新
: 消息麻烦更新一下，谢谢。（本人烂校Analog IC的fresh PhD.)
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c**e
发帖数: 5555 | 14 非线性当然是上面那个管子贡献多，它的影响要乘前级gain；noise相反，是下面的
common source贡献大，它的gain抑制后级的noise。
on
nonlinearity?
【在 x****g 的大作中提到】
: I had an interview with them just now
: I think I messed up, worst interview I ever had
: They asked me about RF impedance matching,smith chart,transformer.....
: I am more analog guy. I took one RF course years ago and I let it appears on
: my CV.I knew these concepts but I couldn't detail them.
: I was asked for the cascode structure, which contribute to more nonlinearity?
: It is clear to me now the bottom transistor contributes more. But my head
: stopped thinking after the RF questions.
: Sad about that.
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H***F
发帖数: 2501 | 15 why the botom transistor conributes more?
I had an interview with them just now
I think I messed up, worst interview I ever had
They asked me about RF impedance matching,smith chart,transformer.....
I am more analog guy. I took one RF course years ago and I let it appears on
my CV.I knew these concepts but I couldn't detail them.
I was asked for the cascode structure, which contribute to more nonlinearity?
It is clear to me now the bottom transistor contributes more. But my head
stopped thinkin
【在 x****g 的大作中提到】
: I had an interview with them just now
: I think I messed up, worst interview I ever had
: They asked me about RF impedance matching,smith chart,transformer.....
: I am more analog guy. I took one RF course years ago and I let it appears on
: my CV.I knew these concepts but I couldn't detail them.
: I was asked for the cascode structure, which contribute to more nonlinearity?
: It is clear to me now the bottom transistor contributes more. But my head
: stopped thinking after the RF questions.
: Sad about that.
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x****g
发帖数: 2000 | 16 前级的gain是一呀
假设两个nmos的size相等, gain＝gm1/gm2=1
【在 c**e 的大作中提到】
: 非线性当然是上面那个管子贡献多，它的影响要乘前级gain；noise相反，是下面的
: common source贡献大，它的gain抑制后级的noise。
:
: on
: nonlinearity?
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x****g
发帖数: 2000 | 17 cascode takes the current whatever it is fed.
The nonlinearity comes from the square law term of the bottom transistor.
that's my understanding
on
nonlinearity?
【在 H***F 的大作中提到】
: why the botom transistor conributes more?
:
: I had an interview with them just now
: I think I messed up, worst interview I ever had
: They asked me about RF impedance matching,smith chart,transformer.....
: I am more analog guy. I took one RF course years ago and I let it appears on
: my CV.I knew these concepts but I couldn't detail them.
: I was asked for the cascode structure, which contribute to more nonlinearity?
: It is clear to me now the bottom transistor contributes more. But my head
: stopped thinkin
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c**e
发帖数: 5555 | 18 ok, 这么说你是对的。CS的非线性是跨导非线性，CG是输出导纳非线性，在大多数工作
点下，跨导非线性更严重。
【在 x****g 的大作中提到】
: 前级的gain是一呀
: 假设两个nmos的size相等, gain＝gm1/gm2=1
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x****g
发帖数: 2000 | 19 嗯，看上去是这样
【在 c**e 的大作中提到】
: ok, 这么说你是对的。CS的非线性是跨导非线性，CG是输出导纳非线性，在大多数工作
: 点下，跨导非线性更严重。
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d*********r
发帖数: 227 | 20
on
nonlinearity?
涉及了Rf,还好都是些基本的问题，真的RF position可能就让你推导noise figure了。
Razavii的那本RF microelectronics吃透应该可以应付大部分RFIC的面食问题了
【在 x****g 的大作中提到】
: I had an interview with them just now
: I think I messed up, worst interview I ever had
: They asked me about RF impedance matching,smith chart,transformer.....
: I am more analog guy. I took one RF course years ago and I let it appears on
: my CV.I knew these concepts but I couldn't detail them.
: I was asked for the cascode structure, which contribute to more nonlinearity?
: It is clear to me now the bottom transistor contributes more. But my head
: stopped thinking after the RF questions.
: Sad about that.
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x****g
发帖数: 2000 | 21 我申的是analog/mixed signal的位子嘛
我把简历上microwave circuit design的course project删掉了，
就留了一个课程的名称在course list那儿.
话说当年我打算手算Thomas Lee书后的习题来着，
无奈找不到答案，算了两道题发现这样太慢，
干确放弃申请RFIC方向的工作,
主要找analog/mixed signal,好在analog的四本书，都能找到习题解答，
做做题对对答案，提高很快
对了，在这里求Thomas Lee的全套习题答案，可以cash支付，如果出版社有的话.
【在 d*********r 的大作中提到】
:
: on
: nonlinearity?
: 涉及了Rf,还好都是些基本的问题，真的RF position可能就让你推导noise figure了。
: Razavii的那本RF microelectronics吃透应该可以应付大部分RFIC的面食问题了
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l******C
发帖数: 93 | 22 the gain of the cascode stage is highly depended on input transistor, so the
input transisor should cause the main non-linearity.
【在 x****g 的大作中提到】
: cascode takes the current whatever it is fed.
: The nonlinearity comes from the square law term of the bottom transistor.
: that's my understanding
:
: on
: nonlinearity?
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ET
发帖数: 10701 | 23 啥是跨导非线性？啥是输出导纳非线性？
我觉得这个问题，理想情况下，
Vout/Vin = -1 这是理想线性关系。
= gm1*1/gm2 (2 是cascode transistor, 1是input transistor)
但实际是gm1/(gm2+gmb)
gm1= w/l*kncox(vgs - vth1)
gm2 = w/lkncox(vg-vs-vth2)
对于transistor 1.. vs = vb = 0, normally so vth 不和vsb相关
对于transistor 2, vb = 0, vs 是第一级的output, 就是在bias point, vth2 是f(vs
b), 这就带来了所谓的sqrt(vsb)的非线性
假设输入信号是sin.. 即使transistor biasing在gm最平的地方， 第一级的输出也是个
放大的sin..第2级的vth 就是第一级输出的函数。
所以我认为第2级，casscode transitor带来的影响大。
【在 c**e 的大作中提到】
: ok, 这么说你是对的。CS的非线性是跨导非线性，CG是输出导纳非线性，在大多数工作
: 点下，跨导非线性更严重。
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x***y
发帖数: 830 | 24
vs
you really need to review what is small signal analysis.....
【在 ET 的大作中提到】
: 啥是跨导非线性？啥是输出导纳非线性？
: 我觉得这个问题，理想情况下，
: Vout/Vin = -1 这是理想线性关系。
: = gm1*1/gm2 (2 是cascode transistor, 1是input transistor)
: 但实际是gm1/(gm2+gmb)
: gm1= w/l*kncox(vgs - vth1)
: gm2 = w/lkncox(vg-vs-vth2)
: 对于transistor 1.. vs = vb = 0, normally so vth 不和vsb相关
: 对于transistor 2, vb = 0, vs 是第一级的output, 就是在bias point, vth2 是f(vs
: b), 这就带来了所谓的sqrt(vsb)的非线性
|
ET
发帖数: 10701 | 25 哦。。愿听其详。
我的分析依据是razavi books nonlinear and mismatch chapter.
如果说尽信书不如无书，依照你的说法，
small signal analysis 是建立在biasing point上的，或者linear region， princip
ally, 我不认为我的分析有啥问题。
当然，我没学过cmos rf ic design, 如果那里对linearity有不同的定义，那conceptu
ally, 我可能就是不理解原问题。
【在 x***y 的大作中提到】
:
: vs
: you really need to review what is small signal analysis.....
|
i****e
发帖数: 170 | 26 pat pat
well, yes. the linearity usually can be find on the transconductance,
that's why we try to enlarge the constant range of the transconductance.
in a cascode structure, the transconductance is just the one on the
bottom transistor,which is very bad considering the linearity. usually
in order to achieve a high linearity, we use source degeneration,
feedback, current feedback, and so on, which decease the gain rapidly,
and might consume a lot power.
appears on
nonlinearity?
head
【在 x****g 的大作中提到】
: I had an interview with them just now
: I think I messed up, worst interview I ever had
: They asked me about RF impedance matching,smith chart,transformer.....
: I am more analog guy. I took one RF course years ago and I let it appears on
: my CV.I knew these concepts but I couldn't detail them.
: I was asked for the cascode structure, which contribute to more nonlinearity?
: It is clear to me now the bottom transistor contributes more. But my head
: stopped thinking after the RF questions.
: Sad about that.
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i****e
发帖数: 170 | 27 跨导非线性: Gm;
considering linearity, we usually consider the transconductance about the
circuit, find out what course the Gm to change (we hope a wide range,
constant one, as for the gain, of course, we hope Gm is also large). bias
can affect the linearity, Vth also contributes to the linearity, but many
other factor relate to this, so transistor is not a good linear device, a
resistor is usually a perfect one.
vs
【在 ET 的大作中提到】
: 啥是跨导非线性？啥是输出导纳非线性？
: 我觉得这个问题，理想情况下，
: Vout/Vin = -1 这是理想线性关系。
: = gm1*1/gm2 (2 是cascode transistor, 1是input transistor)
: 但实际是gm1/(gm2+gmb)
: gm1= w/l*kncox(vgs - vth1)
: gm2 = w/lkncox(vg-vs-vth2)
: 对于transistor 1.. vs = vb = 0, normally so vth 不和vsb相关
: 对于transistor 2, vb = 0, vs 是第一级的output, 就是在bias point, vth2 是f(vs
: b), 这就带来了所谓的sqrt(vsb)的非线性
|
ET
发帖数: 10701 | 28 可这你没解释为啥amplifier transistor contribute more non-linearity呀。
你也说了，transconductance是nonlinearity source,
amplifier的transcondutance, gm = f(vgs, vth), 即使考虑short channel effect,
vds, gm = f(vgs, vth, vds)
对于既定的biasing point, vgs, vth look quite constant for me.
即使vgs, vth变化，那对gm的影响也是线性变化 （level -1 model).
从输入到输入的gain可近似为gm1/(gm2+gmb2) ，如果考虑body effect of cascode tr
ansistor,
而vout = gain * vin 即使vin是small signal sin. 如果gain是个常数，或者线性变化
的，vout的变化也是线性的。
对gm1/(gm2+gmb2) 求导，with respect to bias. 带来影响的我只
【在 i****e 的大作中提到】
: 跨导非线性: Gm;
: considering linearity, we usually consider the transconductance about the
: circuit, find out what course the Gm to change (we hope a wide range,
: constant one, as for the gain, of course, we hope Gm is also large). bias
: can affect the linearity, Vth also contributes to the linearity, but many
: other factor relate to this, so transistor is not a good linear device, a
: resistor is usually a perfect one.
:
: vs
|
s*****o
发帖数: 22187 | 29 我猜icdane的意思是：
Gm=gm1本身就是非线性的，如果gain=GmRo，输入信号再小，到了输出端还是有变形的
（是否可以考虑成输入信号造成Vg变化）。如果加上degeneration，Gm=Ro/Rs，与gm1
无关了（近似），因为电阻是perfect线性的，所以得出degeneration有利于非线性的
结论。
如果不对，请指教。
,
tr
变化
【在 ET 的大作中提到】
: 可这你没解释为啥amplifier transistor contribute more non-linearity呀。
: 你也说了，transconductance是nonlinearity source,
: amplifier的transcondutance, gm = f(vgs, vth), 即使考虑short channel effect,
: vds, gm = f(vgs, vth, vds)
: 对于既定的biasing point, vgs, vth look quite constant for me.
: 即使vgs, vth变化，那对gm的影响也是线性变化 （level -1 model).
: 从输入到输入的gain可近似为gm1/(gm2+gmb2) ，如果考虑body effect of cascode tr
: ansistor,
: 而vout = gain * vin 即使vin是small signal sin. 如果gain是个常数，或者线性变化
: 的，vout的变化也是线性的。
|
ET
发帖数: 10701 | 30 他说的make perfect sense for me.
实际上，这也是提高线性性的办法之一。
但没有解释原问题。因为原问题是问amplifier & cascode 哪个contribute more nonl
inearity.
cascode 是low noise amplifier设计中用到的最多的，source degenerate个resistor
, 恐怕也会贡献不少noise.
不过这就是另外一个话题了。
我只是很好奇这个问题的答案究竟是什么？如果我的分析不对的话。
gm1
【在 s*****o 的大作中提到】
: 我猜icdane的意思是：
: Gm=gm1本身就是非线性的，如果gain=GmRo，输入信号再小，到了输出端还是有变形的
: （是否可以考虑成输入信号造成Vg变化）。如果加上degeneration，Gm=Ro/Rs，与gm1
: 无关了（近似），因为电阻是perfect线性的，所以得出degeneration有利于非线性的
: 结论。
: 如果不对，请指教。
:
: ,
: tr
: 变化
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ET
发帖数: 10701 | 31 举另外一个例子，一个大信号的sin. waveform 通过一个 sample/hold，sampling用一
个mos transistor来实现， 即使input waveform是perfect的没有harmonic, 过了这个
sample, 也会产生harmonic, 分析的办法和我提过的一样。
和small signal model有啥关系？
princip
conceptu
【在 ET 的大作中提到】
: 哦。。愿听其详。
: 我的分析依据是razavi books nonlinear and mismatch chapter.
: 如果说尽信书不如无书，依照你的说法，
: small signal analysis 是建立在biasing point上的，或者linear region， princip
: ally, 我不认为我的分析有啥问题。
: 当然，我没学过cmos rf ic design, 如果那里对linearity有不同的定义，那conceptu
: ally, 我可能就是不理解原问题。
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s*****o
发帖数: 22187 | 32 我个人认为，答案是非线性CS的贡献大。
vin->Id(gm1非线性)->vo(Id*Ro线性)所以非线性是第一级产生的。
nonl
resistor
【在 ET 的大作中提到】
: 他说的make perfect sense for me.
: 实际上，这也是提高线性性的办法之一。
: 但没有解释原问题。因为原问题是问amplifier & cascode 哪个contribute more nonl
: inearity.
: cascode 是low noise amplifier设计中用到的最多的，source degenerate个resistor
: , 恐怕也会贡献不少noise.
: 不过这就是另外一个话题了。
: 我只是很好奇这个问题的答案究竟是什么？如果我的分析不对的话。
:
: gm1
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d**r
发帖数: 899 | 33 一阶来看，输出电压为gm1*Rd*Vin，因此非线性主要由gm1的非线性引起。你说gm1的非
线性是由M1引起呢，还是由M2引起？;)
nonl
resistor
【在 ET 的大作中提到】
: 他说的make perfect sense for me.
: 实际上，这也是提高线性性的办法之一。
: 但没有解释原问题。因为原问题是问amplifier & cascode 哪个contribute more nonl
: inearity.
: cascode 是low noise amplifier设计中用到的最多的，source degenerate个resistor
: , 恐怕也会贡献不少noise.
: 不过这就是另外一个话题了。
: 我只是很好奇这个问题的答案究竟是什么？如果我的分析不对的话。
:
: gm1
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ET
发帖数: 10701 | 34 为啥Ro是线性的？
当然，我也意识到我gain的计算Rout是错的。
因为就不是1/（gm2)
【在 s*****o 的大作中提到】
: 我个人认为，答案是非线性CS的贡献大。
: vin->Id(gm1非线性)->vo(Id*Ro线性)所以非线性是第一级产生的。
:
: nonl
: resistor
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ET
发帖数: 10701 | 35 可。。Rd是啥？
【在 d**r 的大作中提到】
: 一阶来看，输出电压为gm1*Rd*Vin，因此非线性主要由gm1的非线性引起。你说gm1的非
: 线性是由M1引起呢，还是由M2引起？;)
:
: nonl
: resistor
|
s*****o
发帖数: 22187 | 36 如果电阻负载(RL)接在CG的drain上，这个电阻不大，所以Ro=RL，线性。
如果是电流源负载Ro~1/Id, Id*Ro还是线性。
不知道这么想对不对。
【在 ET 的大作中提到】
: 为啥Ro是线性的？
: 当然，我也意识到我gain的计算Rout是错的。
: 因为就不是1/（gm2)
|
h*******y
发帖数: 896 | 37 ?? gain = gm1*gm2*ro1*ro2 (if ignore load resistance --> infinity)
【在 d**r 的大作中提到】
: 一阶来看，输出电压为gm1*Rd*Vin，因此非线性主要由gm1的非线性引起。你说gm1的非
: 线性是由M1引起呢，还是由M2引起？;)
:
: nonl
: resistor
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d**r
发帖数: 899 | 38 Rd是cascode漏极接的负载电阻。我只考虑了最一般的情况，即Rd<
。
如果考虑非一般的情况，比如该放大器的负载竟然是一电流源。这时候Av=gm1*gm2*ro1
*ro2，如果M1 M2都在饱和区，则ro1, ro2不变(Ve*L/Id),则此时必须考虑gm1 gm2随着
vin的变化情况。考虑到gm=2*Id/(Vgs-Vth),这时候必须考虑M1 M2的Vgs随着Vin的变化
情况。对于M1, \Delta Vgs = vin; 由于此时M1的漏极电压为gm1*ro1*vin，因此对于M
2，\Delta Vgs = gm1*ro1*vin，也就是说vin导致gm2变得比gm1更多。因此这时候M2是
主要的非线性来源。
【在 ET 的大作中提到】
: 可。。Rd是啥？
|
i****e
发帖数: 170 | 39 good questions.
here I try to answer you, but may be wrong.
1. in Cascode structure: Iout=Gm*Ro (suppose we connect a resistor as
the load, we usually do this to achieve high linearity)=gm,amp*Ro. the
major non-lin is from gm,amp.
2. for gm,amp, we hope it would be constant in a range, not only a
point. so with a sin input (usually this input will have large amp, such
as 200mVp-p), the gm is actually changing, and can be varied very much,
please refer to ids-vin curve.
3. 从输入到输入的gain可近似为gm1/(gm2
【在 ET 的大作中提到】
: 可这你没解释为啥amplifier transistor contribute more non-linearity呀。
: 你也说了，transconductance是nonlinearity source,
: amplifier的transcondutance, gm = f(vgs, vth), 即使考虑short channel effect,
: vds, gm = f(vgs, vth, vds)
: 对于既定的biasing point, vgs, vth look quite constant for me.
: 即使vgs, vth变化，那对gm的影响也是线性变化 （level -1 model).
: 从输入到输入的gain可近似为gm1/(gm2+gmb2) ，如果考虑body effect of cascode tr
: ansistor,
: 而vout = gain * vin 即使vin是small signal sin. 如果gain是个常数，或者线性变化
: 的，vout的变化也是线性的。
|
ET
发帖数: 10701 | 40 single-ended lna topology有这个Rd吗？
如果有这个Rd, 可能问题的确简单了。
我以为就是2个transistor cascode在一起。。
【在 s*****o 的大作中提到】
: 如果电阻负载(RL)接在CG的drain上，这个电阻不大，所以Ro=RL，线性。
: 如果是电流源负载Ro~1/Id, Id*Ro还是线性。
: 不知道这么想对不对。
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|
s*****o
发帖数: 22187 | 41 有casocde啊，但它不改变Id
【在 ET 的大作中提到】
: single-ended lna topology有这个Rd吗？
: 如果有这个Rd, 可能问题的确简单了。
: 我以为就是2个transistor cascode在一起。。
|
ET
发帖数: 10701 | 42 第3 是我的错误。我没动手画一下这个topology，拿xikang的结果直接用了。
第1的假设不正确。因为没有告诉有这个Rd. 而且实际中，load的可能是current
mirror transistor...
【在 i****e 的大作中提到】
: good questions.
: here I try to answer you, but may be wrong.
: 1. in Cascode structure: Iout=Gm*Ro (suppose we connect a resistor as
: the load, we usually do this to achieve high linearity)=gm,amp*Ro. the
: major non-lin is from gm,amp.
: 2. for gm,amp, we hope it would be constant in a range, not only a
: point. so with a sin input (usually this input will have large amp, such
: as 200mVp-p), the gm is actually changing, and can be varied very much,
: please refer to ids-vin curve.
: 3. 从输入到输入的gain可近似为gm1/(gm2
|
s*****o
发帖数: 22187 | 43 LNA应该很少用current sourse load。
【在 ET 的大作中提到】
: 第3 是我的错误。我没动手画一下这个topology，拿xikang的结果直接用了。
: 第1的假设不正确。因为没有告诉有这个Rd. 而且实际中，load的可能是current
: mirror transistor...
|
ET
发帖数: 10701 | 44 不明白。。
什么叫不改变Id?
即使理解cascode是个V->I, I->V converter,但似乎并不解决原问题。。
【在 s*****o 的大作中提到】
: 有casocde啊，但它不改变Id
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ET
发帖数: 10701 | 45 我太懂。。不过不想go further..
如果说是Rd load的，这个问题似乎是没啥好讨论的。
简直是get no choice but 1st stage..
但我觉得一个resistor load也不靠谱。它的noise不直接反映到output了。
【在 s*****o 的大作中提到】
: LNA应该很少用current sourse load。
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s*****o
发帖数: 22187 | 46 Id是由1st stage决定的，Id的非线性也是1st stage决定的，cascode不改变Id，所以不造成非
线性。
我这么理解cascode的作用：减小vo对vin的影响，同时减小Cgd1的miller effect。
【在 ET 的大作中提到】
: 不明白。。
: 什么叫不改变Id?
: 即使理解cascode是个V->I, I->V converter,但似乎并不解决原问题。。
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ET
发帖数: 10701 | 47 好吧。就顺着你的理解。Id有它的非线性因素。 Id = Id0(1+ax+bx^2), 如果它乘以一
个线性的常数，那么的确是它contribution。
i->V, 还需要个R, R是主要由M2,
那么R是线性的还是非线性的呢？
以不造成非
【在 s*****o 的大作中提到】
: Id是由1st stage决定的，Id的非线性也是1st stage决定的，cascode不改变Id，所以不造成非
: 线性。
: 我这么理解cascode的作用：减小vo对vin的影响，同时减小Cgd1的miller effect。
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ET
发帖数: 10701 | 48 查了下wiki..
http://en.wikipedia.org/wiki/Cascode
so.. why r0 = (1/lammda+vds)/Id..
【在 ET 的大作中提到】
: 好吧。就顺着你的理解。Id有它的非线性因素。 Id = Id0(1+ax+bx^2), 如果它乘以一
: 个线性的常数，那么的确是它contribution。
: i->V, 还需要个R, R是主要由M2,
: 那么R是线性的还是非线性的呢？
:
: 以不造成非
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i****e
发帖数: 170 | 49 No, in high linearity circuit, we are trying to avoid using current source
as load, we try to use resistor. :)
【在 ET 的大作中提到】
: 第3 是我的错误。我没动手画一下这个topology，拿xikang的结果直接用了。
: 第1的假设不正确。因为没有告诉有这个Rd. 而且实际中，load的可能是current
: mirror transistor...
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s*****o
发帖数: 22187 | 50 不好意思，我似乎理解错了你的问题，如果是Rd，那就不讨论了。
如果是电流源负载，我也不太清楚怎么解释，等牛人来看看吧。
不过一般情况下，如果非线性很重要，那一般用电阻负载。（既然不用电流源负载，那也就没有讨论这种情况谁对非线性贡献大了，对吧。）
【在 ET 的大作中提到】
: 查了下wiki..
: http://en.wikipedia.org/wiki/Cascode
: so.. why r0 = (1/lammda+vds)/Id..
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x***y
发帖数: 830 | 51
那也就没有讨论这种情况谁对非线性贡献大了，对吧。）
没啥好讨论的，这种phone interview里没有很多限定条件的问题就是看看你有没有
common sense. 没提用什么load,就suppose是理想线性load. 至于哪个管子贡献大，公
式上能看出来，simulate过的人也知道。这种问题不是智力题，不会让你绕2个以上的
弯子。都是straight answer.
你要钻牛角尖找特例，那说明你外行，不知道人家为啥问这个问题，在什么场合需要解决
这个问题。
【在 s*****o 的大作中提到】
: 不好意思，我似乎理解错了你的问题，如果是Rd，那就不讨论了。
: 如果是电流源负载，我也不太清楚怎么解释，等牛人来看看吧。
: 不过一般情况下，如果非线性很重要，那一般用电阻负载。（既然不用电流源负载，那也就没有讨论这种情况谁对非线性贡献大了，对吧。）
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s*****o
发帖数: 22187 | 52 我外行，所以想提高，讨论有助于提高。谢谢指点。
解决
【在 x***y 的大作中提到】
:
: 那也就没有讨论这种情况谁对非线性贡献大了，对吧。）
: 没啥好讨论的，这种phone interview里没有很多限定条件的问题就是看看你有没有
: common sense. 没提用什么load,就suppose是理想线性load. 至于哪个管子贡献大，公
: 式上能看出来，simulate过的人也知道。这种问题不是智力题，不会让你绕2个以上的
: 弯子。都是straight answer.
: 你要钻牛角尖找特例，那说明你外行，不知道人家为啥问这个问题，在什么场合需要解决
: 这个问题。
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ET
发帖数: 10701 | 53 听起来象是大牛来了。
来给说说你说的公式是啥公式？ gm*Rd?
cascode被用到的scenior只有resistor load? 这里哪里算是特列？
解决
【在 x***y 的大作中提到】
:
: 那也就没有讨论这种情况谁对非线性贡献大了，对吧。）
: 没啥好讨论的，这种phone interview里没有很多限定条件的问题就是看看你有没有
: common sense. 没提用什么load,就suppose是理想线性load. 至于哪个管子贡献大，公
: 式上能看出来，simulate过的人也知道。这种问题不是智力题，不会让你绕2个以上的
: 弯子。都是straight answer.
: 你要钻牛角尖找特例，那说明你外行，不知道人家为啥问这个问题，在什么场合需要解决
: 这个问题。
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h*******y
发帖数: 896 | 54 大家不要生气，不要生气，生气会犯嗔戒地。 我来根据我的理解把这
个唐僧的详细说说吧。
以下分析以普通常见的case为例：
1）前面讨论的问题是在这样的：以NMOS为例，M1在最下面，也就是
连到ground上，M1的gate是真正的input；M2是cascode器件，其gate
被一个bias驱动。然后这种结构的load一般来说是PMOS current
mirror的结构，简单说就是两个PMOS cascode的连到一起，其gate都各
有自己的bias驱动(M4在上，M3在下）；或者是load是简单的电阻。楼
上xikang说问题是“which contribute to more nonlinearity”
2）要明确非线性是一个大信号问题，不属于小信号的范畴。而我们推导
的那些gain的公式都是以小信号为基础的。如果这4个MOS器件都仅仅
保持DC的bias而只在saturation区域工作是，是不会有任何非线性出现的。
只有当input swing（比如input是sine波形）开始增大，大到某个器件
开始进入linear区，非线性问题就产生了。那么谁先进入linear区呢 |
x****g
发帖数: 2000 | 55 大家讨论了这么久，看来我被整了一个很tricky的问题
面试官最后也得意洋洋告诉我，看，这个很tricky啦 :)
【在 h*******y 的大作中提到】
: 大家不要生气，不要生气，生气会犯嗔戒地。 我来根据我的理解把这
: 个唐僧的详细说说吧。
: 以下分析以普通常见的case为例：
: 1）前面讨论的问题是在这样的：以NMOS为例，M1在最下面，也就是
: 连到ground上，M1的gate是真正的input；M2是cascode器件，其gate
: 被一个bias驱动。然后这种结构的load一般来说是PMOS current
: mirror的结构，简单说就是两个PMOS cascode的连到一起，其gate都各
: 有自己的bias驱动(M4在上，M3在下）；或者是load是简单的电阻。楼
: 上xikang说问题是“which contribute to more nonlinearity”
: 2）要明确非线性是一个大信号问题，不属于小信号的范畴。而我们推导
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s*****y
发帖数: 897 | 56 Which business unit you are interviewing with?
【在 x****g 的大作中提到】
: 大家讨论了这么久，看来我被整了一个很tricky的问题
: 面试官最后也得意洋洋告诉我，看，这个很tricky啦 :)
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o*****a
发帖数: 24 | 57 Because of fixed gain bandwidth, active load is not usually used in high
frequency application. |
ET
发帖数: 10701 | 58 这个解释我觉得也有些概念性的问题，即使你的结论和我的曾经的结论一样， M2 cont
ribute more nonlinearity.
我觉得这个问题来自于LNA design, 有些同学已经回答了， LNA不太可能接一个curren
t mirror, 虽然我认为Rd会contribute noise, 不太可能接Rd, 但也有人回答了，就是
Rd在那里 - 可能这就是这个问题最没意思的地方。做过LNA design的可能最知道what'
s going on. 偏偏一堆在讨论的似乎都不是做LNA的。
这个问题我认为最后的结果还是在gain的所用到的公式里，最后简化的结果能看出什么
，因为gm1, gm2, ro1, ro2都有nonliear 变量在里面，而有些是可以cancel的。
所以最后我认为是M1的贡献大。
【在 h*******y 的大作中提到】
: 大家不要生气，不要生气，生气会犯嗔戒地。 我来根据我的理解把这
: 个唐僧的详细说说吧。
: 以下分析以普通常见的case为例：
: 1）前面讨论的问题是在这样的：以NMOS为例，M1在最下面，也就是
: 连到ground上，M1的gate是真正的input；M2是cascode器件，其gate
: 被一个bias驱动。然后这种结构的load一般来说是PMOS current
: mirror的结构，简单说就是两个PMOS cascode的连到一起，其gate都各
: 有自己的bias驱动(M4在上，M3在下）；或者是load是简单的电阻。楼
: 上xikang说问题是“which contribute to more nonlinearity”
: 2）要明确非线性是一个大信号问题，不属于小信号的范畴。而我们推导
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ET
发帖数: 10701 | 59 没啥tricky的，
只是答复的人都没做过而已。
【在 x****g 的大作中提到】
: 大家讨论了这么久，看来我被整了一个很tricky的问题
: 面试官最后也得意洋洋告诉我，看，这个很tricky啦 :)
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a******t
发帖数: 75 | 60 如果M1，M2 gm相同，ignore body effect.
M1 和M2 产生的non-linearity一样，因为M1 M2 的cross gate, source上的swing一样
。但是M2产生的non-linearity被M1的r0 degenerated,换句话说， M2的non linearity
circulated 在其device本身，没有走到output.
M1产生的non-linearity直接到了LNA output. 所以M1的non-linearity dominates.
R0产生的non-linearity都是second order，一般比较小。
某些情况下，noise performance不是非常critical的情况， current source或者Res
可以作为LNA load，因为可以节省一个inductor，很多die size.
cont
curren
what'
【在 ET 的大作中提到】
: 这个解释我觉得也有些概念性的问题，即使你的结论和我的曾经的结论一样， M2 cont
: ribute more nonlinearity.
: 我觉得这个问题来自于LNA design, 有些同学已经回答了， LNA不太可能接一个curren
: t mirror, 虽然我认为Rd会contribute noise, 不太可能接Rd, 但也有人回答了，就是
: Rd在那里 - 可能这就是这个问题最没意思的地方。做过LNA design的可能最知道what'
: s going on. 偏偏一堆在讨论的似乎都不是做LNA的。
: 这个问题我认为最后的结果还是在gain的所用到的公式里，最后简化的结果能看出什么
: ，因为gm1, gm2, ro1, ro2都有nonliear 变量在里面，而有些是可以cancel的。
: 所以最后我认为是M1的贡献大。
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x****g
发帖数: 2000 | 61 哇，赞师兄
linearity
Res
【在 a******t 的大作中提到】
: 如果M1，M2 gm相同，ignore body effect.
: M1 和M2 产生的non-linearity一样，因为M1 M2 的cross gate, source上的swing一样
: 。但是M2产生的non-linearity被M1的r0 degenerated,换句话说， M2的non linearity
: circulated 在其device本身，没有走到output.
: M1产生的non-linearity直接到了LNA output. 所以M1的non-linearity dominates.
: R0产生的non-linearity都是second order，一般比较小。
: 某些情况下，noise performance不是非常critical的情况， current source或者Res
: 可以作为LNA load，因为可以节省一个inductor，很多die size.
:
: cont
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l******C
发帖数: 93 | 62 这个是对的
gm1
【在 s*****o 的大作中提到】
: 我猜icdane的意思是：
: Gm=gm1本身就是非线性的，如果gain=GmRo，输入信号再小，到了输出端还是有变形的
: （是否可以考虑成输入信号造成Vg变化）。如果加上degeneration，Gm=Ro/Rs，与gm1
: 无关了（近似），因为电阻是perfect线性的，所以得出degeneration有利于非线性的
: 结论。
: 如果不对，请指教。
:
: ,
: tr
: 变化
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a*m
发帖数: 6253 | 63 ZAN.
这样的问题别绕弯。
linearity
Res
【在 a******t 的大作中提到】
: 如果M1，M2 gm相同，ignore body effect.
: M1 和M2 产生的non-linearity一样，因为M1 M2 的cross gate, source上的swing一样
: 。但是M2产生的non-linearity被M1的r0 degenerated,换句话说， M2的non linearity
: circulated 在其device本身，没有走到output.
: M1产生的non-linearity直接到了LNA output. 所以M1的non-linearity dominates.
: R0产生的non-linearity都是second order，一般比较小。
: 某些情况下，noise performance不是非常critical的情况， current source或者Res
: 可以作为LNA load，因为可以节省一个inductor，很多die size.
:
: cont
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w******t
发帖数: 369 | 64 非线性和噪音都是下面的管子贡献大, 非线性也可以类比为一个噪声源. 噪声下面的
管子贡献大不是因为上面的噪声贡献要除以 gain, 而是因为上面管子与他的噪声源并
联出现在放大电流通路中, 为维持电流守恒, 管子要产生相应的电流抵消掉自己产生的
噪声.
【在 c**e 的大作中提到】
: 非线性当然是上面那个管子贡献多，它的影响要乘前级gain；noise相反，是下面的
: common source贡献大，它的gain抑制后级的noise。
:
: on
: nonlinearity?
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a*******j
发帖数: 72 | |
