R*****o
发帖数: 204 | 1 一般来讲，input referred flicker noise是怎么随着工艺变化的，比如说0.5um的
和0.13um的transistor，他们的input referred flicker noise和cornor frequency哪
个高哪个低。 |
ET
发帖数: 10701 | 2 回答这个问题，两个model 参数你可以看一下，
一个是af, 一个是kf.af 一般近似为1. 剩下的就是kf.
flick noise power 是正比与kf.
但是在<100nm， flicker noise power的计算公式有变化。
这个问题的严格问法应该是在何种条件下，一个channel length显然不够。 因为flick
er noise 反比与transistor area w*L.
同时，也是current的函数。
如果你问，在同样transistor area的情况下，which techhnology has better flicke
r noise performance? 或在同样的current 流过transistor下，flicker noise perfo
rmance..
corner frequency随着featured size decrease 而increase dramatically.
比如90nm下的corner frequency可以到MHZ ～ 10MHz. 65nm以下可能接近GHz.
而0.5um可能只是在hundr
【在 R*****o 的大作中提到】
: 一般来讲，input referred flicker noise是怎么随着工艺变化的，比如说0.5um的
: 和0.13um的transistor，他们的input referred flicker noise和cornor frequency哪
: 个高哪个低。
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s*****o
发帖数: 22187 | 3 可能还有考虑Cox的不同。我觉得最好的办法是看看他们的document，一般都有对flick
noise的测试结果。
flick
flicke
perfo
【在 ET 的大作中提到】
: 回答这个问题，两个model 参数你可以看一下，
: 一个是af, 一个是kf.af 一般近似为1. 剩下的就是kf.
: flick noise power 是正比与kf.
: 但是在<100nm， flicker noise power的计算公式有变化。
: 这个问题的严格问法应该是在何种条件下，一个channel length显然不够。 因为flick
: er noise 反比与transistor area w*L.
: 同时，也是current的函数。
: 如果你问，在同样transistor area的情况下，which techhnology has better flicke
: r noise performance? 或在同样的current 流过transistor下，flicker noise perfo
: rmance..
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R*****o
发帖数: 204 | 4 嗯，很有道理
那么我想知道，一般的说，就好比是design一个LNA，我们知道channel length越小
的工艺，会提供更高的ft，因而会有更好的NF。那么对于design一个low frequency的
amplifier，flicker noise是不是也能得到同样的结论呢？
flick
flicke
perfo
【在 ET 的大作中提到】
: 回答这个问题，两个model 参数你可以看一下，
: 一个是af, 一个是kf.af 一般近似为1. 剩下的就是kf.
: flick noise power 是正比与kf.
: 但是在<100nm， flicker noise power的计算公式有变化。
: 这个问题的严格问法应该是在何种条件下，一个channel length显然不够。 因为flick
: er noise 反比与transistor area w*L.
: 同时，也是current的函数。
: 如果你问，在同样transistor area的情况下，which techhnology has better flicke
: r noise performance? 或在同样的current 流过transistor下，flicker noise perfo
: rmance..
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ET
发帖数: 10701 | 5 为什么有更高的ft有更好的nf呢？
design for high speed, design for low noise本来也不同。
【在 R*****o 的大作中提到】
: 嗯，很有道理
: 那么我想知道，一般的说，就好比是design一个LNA，我们知道channel length越小
: 的工艺，会提供更高的ft，因而会有更好的NF。那么对于design一个low frequency的
: amplifier，flicker noise是不是也能得到同样的结论呢？
:
: flick
: flicke
: perfo
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s*****o
发帖数: 22187 | 6 According to Thomas Lee, Fmin=1+A*(f/ft), where Fmin is the minimum noise
figure. However, I dont understand why yet.
【在 ET 的大作中提到】
: 为什么有更高的ft有更好的nf呢？
: design for high speed, design for low noise本来也不同。
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ET
发帖数: 10701 | 7 听起来应该没啥关系呀？
>1GHz, flicker noise 不用考虑了吧。
【在 s*****o 的大作中提到】
: According to Thomas Lee, Fmin=1+A*(f/ft), where Fmin is the minimum noise
: figure. However, I dont understand why yet.
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s*****o
发帖数: 22187 | 8 在一定频率下，Fmin随ft增大而减小，应该和flicker noise关系不大，用的都是
thermal noise的公式。反正thomas lee这一部分我就从来没看懂过。
【在 ET 的大作中提到】
: 听起来应该没啥关系呀？
: >1GHz, flicker noise 不用考虑了吧。
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x***g
发帖数: 454 | 9 For MOS corner frequency, roughly,
it's inverse proportional to the square of L.
So as channel L shrinks, the corner frequency will be pushed out
further and further. |
r*******r
发帖数: 1014 | 10 自己删掉吧。还有baseband ...
【在 ET 的大作中提到】
: 听起来应该没啥关系呀？
: >1GHz, flicker noise 不用考虑了吧。
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ET
发帖数: 10701 | 11 baseband都用》1GHz了？
vco 还有flicker noise upconversion呢。
我们在讨论lna.
【在 r*******r 的大作中提到】
: 自己删掉吧。还有baseband ...
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r*******r
发帖数: 1014 | 12 hehe, you know what I mean: 1/f needs to be considered in RF such as
baseband and pll.
so if we know the right objects:
(1) like vco, how to reduce/optimize 1/f?
(2) like adc (low quant-error such as sigma-delta), is device noise (1/f +
thermal) important to take care?
【在 ET 的大作中提到】
: baseband都用》1GHz了？
: vco 还有flicker noise upconversion呢。
: 我们在讨论lna.
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ET
发帖数: 10701 | 13 我对rfic知之甚少，你也能用这个机会帮我更新下。
1）现在的cad tool里，对于vco里的phase noise, 能simulate 1/f upconversion con
tribution? 我知道cadence 5.0之前都没这个model.
2) integrated analog ic里，device noise无论用在那里都需要考虑。更别说在adc了
。
【在 r*******r 的大作中提到】
: hehe, you know what I mean: 1/f needs to be considered in RF such as
: baseband and pll.
: so if we know the right objects:
: (1) like vco, how to reduce/optimize 1/f?
: (2) like adc (low quant-error such as sigma-delta), is device noise (1/f +
: thermal) important to take care?
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r*******r
发帖数: 1014 | 14 (1)cadence spectreRF 在 phase noise 上还是有些人品的.
5.0前没有的原因可能是bell lab的 phase noise 的牛paper前8年才出来。
(2)1/f is still difficult to verify at transient level if you care your time
-domain waveform distortion. if quant-error is small then it's an issue for
adc.
(3)how ot optmize for design it is still unknown; how to model it beyond 40nm is also unknown recently.
con
了。
【在 ET 的大作中提到】
: 我对rfic知之甚少，你也能用这个机会帮我更新下。
: 1）现在的cad tool里，对于vco里的phase noise, 能simulate 1/f upconversion con
: tribution? 我知道cadence 5.0之前都没这个model.
: 2) integrated analog ic里，device noise无论用在那里都需要考虑。更别说在adc了
: 。
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ET
发帖数: 10701 | 15 bell lab的？
不是stanford的hajimiri (?) (with caltech now) 整出来的close form equation？
我说的1/f upconversion那部分。
(3) optmize for design是啥意思？ 是知道transistor level flicker noise info，
如何用它来设计opamp?
ucb ee240 那方法不介绍的挺好？ 从dynamic range ,output swing, 选ota topology
, 计算noise factor, 最后确定transistor size
time
for
40nm is also unknown recently.
【在 r*******r 的大作中提到】
: (1)cadence spectreRF 在 phase noise 上还是有些人品的.
: 5.0前没有的原因可能是bell lab的 phase noise 的牛paper前8年才出来。
: (2)1/f is still difficult to verify at transient level if you care your time
: -domain waveform distortion. if quant-error is small then it's an issue for
: adc.
: (3)how ot optmize for design it is still unknown; how to model it beyond 40nm is also unknown recently.
:
: con
: 了。
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c***u
发帖数: 843 | 16 大家能否推荐一些关于noise的书籍或者paper? 有没有关于HEMT里面phase noise的书
？ MOSFET的书也行？
多谢！！ |
T******T
发帖数: 3066 | 17 ET = NIU BI :)
flick
flicke
perfo
【在 ET 的大作中提到】
: 回答这个问题，两个model 参数你可以看一下，
: 一个是af, 一个是kf.af 一般近似为1. 剩下的就是kf.
: flick noise power 是正比与kf.
: 但是在<100nm， flicker noise power的计算公式有变化。
: 这个问题的严格问法应该是在何种条件下，一个channel length显然不够。 因为flick
: er noise 反比与transistor area w*L.
: 同时，也是current的函数。
: 如果你问，在同样transistor area的情况下，which techhnology has better flicke
: r noise performance? 或在同样的current 流过transistor下，flicker noise perfo
: rmance..
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