m*******2
发帖数: 293 | 1 最近测了一批LDMOS, 发现不同时期的管子的threshhold voltage有不小的差别。 但是
管子的性能仍旧很接近。大家说说看是什么引起了管子阈值电压的变化，还有为什么阈
值变化了，管子的射频性能却没多少变化？ |
r*****e
发帖数: 620 | 2 process variation，temperature都会影响阈值
你说的是哪方面的射频性能？
【在 m*******2 的大作中提到】
: 最近测了一批LDMOS, 发现不同时期的管子的threshhold voltage有不小的差别。 但是
: 管子的性能仍旧很接近。大家说说看是什么引起了管子阈值电压的变化，还有为什么阈
: 值变化了，管子的射频性能却没多少变化？
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m*******2
发帖数: 293 | |
m*******2
发帖数: 293 | |
p**********y
发帖数: 13 | 5
if Vgs has changed, how can IV curves remain the same?
【在 m*******2 的大作中提到】
: IV曲线 增益 输入输出阻抗 效率等等
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w******3
发帖数: 30 | 6 IV curve is not RF characteristic. Also, How can you have same IV curve with
different Vgs? |
ET
发帖数: 10701 | 7 啥叫不同时期？
你的vth咋量的？
【在 m*******2 的大作中提到】
: 最近测了一批LDMOS, 发现不同时期的管子的threshhold voltage有不小的差别。 但是
: 管子的性能仍旧很接近。大家说说看是什么引起了管子阈值电压的变化，还有为什么阈
: 值变化了，管子的射频性能却没多少变化？
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m*****o
发帖数: 6598 | 8 It depends on your vdd. With a high Vdd the process variation would not
affect the performance that much but in low vdd, especially close to Vt, the
performance would be changed hugely. You can use monte carlo simulation to
find out. |
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