g***h
发帖数: 28 | 1 今天开会时，提到Drive Strength, 发现自己很无知。
我用的芯片可设置Drive Strength (2mA to 16mA, 2mA step).我知道驱动重负载时用
high drive strength来减少rise time.但我不知道在芯片里是怎么设定Drive
Strength的。输出电阻和Drive Strength的确切关系是什么。哪儿内部电路可参考。谢
谢。 |
c*******l
发帖数: 4801 | 2 设16mA，就是最大的drive strength
其实说的就是最大可以输出多大电流。当然是输出电阻越低，drive strength越大
【在 g***h 的大作中提到】
: 今天开会时，提到Drive Strength, 发现自己很无知。
: 我用的芯片可设置Drive Strength (2mA to 16mA, 2mA step).我知道驱动重负载时用
: high drive strength来减少rise time.但我不知道在芯片里是怎么设定Drive
: Strength的。输出电阻和Drive Strength的确切关系是什么。哪儿内部电路可参考。谢
: 谢。
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c*******h
发帖数: 4883 | 3 芯片的开发软件应该可以设置的吧，翻翻manual看
【在 g***h 的大作中提到】
: 今天开会时，提到Drive Strength, 发现自己很无知。
: 我用的芯片可设置Drive Strength (2mA to 16mA, 2mA step).我知道驱动重负载时用
: high drive strength来减少rise time.但我不知道在芯片里是怎么设定Drive
: Strength的。输出电阻和Drive Strength的确切关系是什么。哪儿内部电路可参考。谢
: 谢。
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g***h
发帖数: 28 | 4 谢谢大家的解答. 其实我所迷惑是: Microstrip 50ohm trace真的可以开作
distributed model吗？为什么在我的电路板上50ohm trace象lumped capacitor呢？
Trace长很多之后，rise time变得特慢。而书上说如果是distributed model，长度并
不影响rise time。为保持一定的rise time, 到底drive strength和50ohm trace长度
有何确切(定量)关系. 哪位再指点指点. |
c*******l
发帖数: 4801 | 5 不能。除非你的frequency 是微波的，否则一般的analog都是lumped
【在 g***h 的大作中提到】
: 谢谢大家的解答. 其实我所迷惑是: Microstrip 50ohm trace真的可以开作
: distributed model吗？为什么在我的电路板上50ohm trace象lumped capacitor呢？
: Trace长很多之后，rise time变得特慢。而书上说如果是distributed model，长度并
: 不影响rise time。为保持一定的rise time, 到底drive strength和50ohm trace长度
: 有何确切(定量)关系. 哪位再指点指点.
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m***l
发帖数: 1 | 6 I had the same confusion about this before. Got it figured out. It turns out
both rise time increase for long trace and rise time doesn't change for
transmission line are correct.
I put how to calculate rise time of a trace and driving strength vs. source
impediance in my blog. Please refer to following for details.
http://www.ecvale.com/index.php?main_page=user_blogs_info&upar=173255541&blgspar=14
http://www.ecvale.com/index.php?main_page=user_blogs_info&upar=173255541&blgspar=13 |
