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e******g
发帖数: 461 | 2 no, if the i-v is not linear, then it's not ohmic. |
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S****d
发帖数: 298 | 3 尝试着讨论一下，欢迎补充或斧正。
1.串联的意思是直流时开路，一般的silicon是达不到开路的，并联表示直流时
substrate是一个电阻。高频时接近短路是dielectric的特性，位移电流。但是我觉得C
-V测试应该用不到那么高的频率，最多MHz吧，RFIC里的电感模型倒是包括substrate的
RC。电化学里面电解质的等效电路就是RC并联。
2.Depletion cap我猜是先测好accumulation时的Cox和inversion的Ctot，再extract出
来。我觉得应该有直接测量Cd的方法，但是不熟悉。Contact cap在Schottky contact
时肯定有，但是对于MOS，一般要做成Ohmic contact，应该没什么电容了。如果是
contact resistance，可以做contact chain，用总电阻除以contact的个数。还可以在
半导体上制备不同间距的金属电极，测量相互间电阻之后利用传输线模型得到contact
resistivity，这个要复杂一点。
3.如果应力过大破坏了insulator肯定不行，insulator里面的缺陷... 阅读全帖 |
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c***u
发帖数: 843 | 4 个人工作过的领域:
1. Ohmic and Schottky contacts to wide band-gap semiconductors,p-n junctions
.
2. Degradation mechanism study of GaN based HEMTs
3. low-frequency noise, phase noise,and microwave properties of GaN based
HEMTs
4. Ferroelectric material BaSrTiO 3 based phase shifters and capacitors.
5. Ion implantation, defect study and p-type doping of wide band-gap
semiconductor zinc oxide (ZnO).
6. GaN based power electronics.
万分感谢! |
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j********1
发帖数: 628 | 5 欧当年搞欧莱德的时候，这个导电层一般是pss-pedot.emissive layer 直接放在ITO上
，有dewetting的问题，要有中间层解决这个问题。同时emissive layer的polymer或
small molecules导电性不好，跟ITO不能形成ohmic contact，也要有一个导电中间层
。貌似pss-pedot可以提高ITO的work function,有利孔穴注入emissive layer （欧一
直怀疑）。 |
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