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w****j
发帖数: 237 | 2 请问，如何计算balanced LNA 电路的噪声？
电路如附件所示，两个LNA接着一个hybrid coupler,然后一个hybrid coupler用来重新
加和输出，那么如果假设两个LNA有同样的gain和Nf,应该如何计算整个电路的噪声系数
或温度了？
另外，匹配的两个电阻，如果温度比常温大，会增加噪声吗？如果是，应该如何计算? |
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s********k
发帖数: 6180 | 3 有几个对LNA不是太清楚的地方：
1.不论LNA性能设计再好，也会放大receiving noise。
2.如果用了LNA之后，再刻意lower down TX power之后，Tx 的range会减低，但是
receiving range还有carrier sense range也同样降低吗？（整个link budget都降低
了） |
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T**i
发帖数: 203 | 4 请问低频(100MHz以下，主要是FM用)LNA在设计上，和高频LNA(主要是手机用)有什么不
同吗？关于低频LNA有什么推荐的论文或者书吗？谢谢。 |
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l*a
发帖数: 2 | 5 本站ID: lna
NKBBS上的ID: lna
在南开的时间段: 1998-2002
院系专业: English
目前所在地 - Texas
其它(备注): Bless Nankai! |
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m******g
发帖数: 69 | 6 我们买了一种小的LNA,用了沉默一种miRNA,可是用什么样的条件才能transfect LNA到
cultured cell里面，来达到沉默miRNA. 谁做个相关的实验，有paper和protocol吗，
我是本科生，老板让我做这个，没什么头绪。 |
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s***d
发帖数: 15421 | 7 个人认为要impedance matching，这样LNA的gain能最大话，并且能够减小mixer 的NF，但是看了很多paper，貌似都没有考虑matchng，LNA输出都是按照50ohms matching的 |
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s***d
发帖数: 15421 | 8 我的理解是那如果两者之间直接ac couple，因为mixer 的 input impedemce 并不是
LNA output impedance 的 conjugate，所以LNA的 gain 肯定会有所降低吧，那么我们
有必要调整mixer 的size ，是gain 不至于太小吧，而且nf不太大，整个系统的 nf最
小？ |
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H***F
发帖数: 2501 | 9 mixer 也分passive和active，passive的话是current in，不用conjugate。active的
是voltage in, 也不用conjugate
我的理解是那如果两者之间直接ac couple，因为mixer 的 input impedemce 并不是
LNA output impedance 的 conjugate，所以LNA的 gain 肯定会有所降低吧，那么我们
有必要调整mixer 的size ，是gain 不至于太小吧，而且nf不太大，整个系统的 nf最
小？ |
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s****t
发帖数: 1049 | 10 LNA需要匹配的本质原因是如果末端电阻和传输线特征电阻不一样，电磁波会被反射
形成驻波。但GHz信号怎么也有几个毫米波长，远大于同一个片子上LNA和mixer的距离，
不会有驻波 |
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s***d
发帖数: 15421 | 11 这个我是知道的，ic的版图的尺寸远远小于lambda/4，所以不用匹配，但是我的问题是
，LNA的负载一般是个电感，还有本身的寄生电容，以及mixer的rg+cgs，为了最求max
gain，是不是有必要调的mixer的 rf input transistor 的 size 来调整rg+cgs，或者
可以干脆用matching 使之匹配。我跑了仿真，对于mixer
来说在2.4GHZ，的rf input 管子都有30左右以及1000+的虚部。当然我也可以调整
inductor的大小实现 LNA的 inductor load 和mixer的 cgs 谐振来实现gain最大。 |
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b********t
发帖数: 28 | 12 LNA是会放大noise，但它自身引入的white noise小，有利于整个Rx的NF。
在Rx加了LNA之后sensitivity会提高。 |
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f****3
发帖数: 502 | 13 当输入很大，使得LNA进入非线性区，例如在P1dB点上，LNA的NF如何变化？ |
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H***F
发帖数: 2501 | 14 变大呗，还能咋变
当输入很大，使得LNA进入非线性区，例如在P1dB点上，LNA的NF如何变化？ |
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b*******r
发帖数: 1130 | 15 不是harmonic的原因，harmonic应该在LNA的带外，而是非线性区具有混频效应，使得
低频噪声混到LNA带内，使得NF恶化 |
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y******9
发帖数: 606 | 16 是这样，但是harmonic也算contribute了，2f1-f2或者2f2-f1里面的2f1，2f2就是
harmonic
不是harmonic的原因，harmonic应该在LNA的带外，而是非线性区具有混频效应，使得
低频噪声混到LNA带内，使得NF恶化 |
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h******v
发帖数: 30 | 19 手机接收电路中LNA是单管还是集成运放? 哪位知道的, 随便给一种型号瞧瞧. 另手机中
LDO电源似乎都是正电源? 象LMS5214IMG-3.3, 其有无对应的负LDO电源卖? |
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x***y
发帖数: 830 | 20
机中
neither one...go find some LNA paper,it's pretty straight forward.. |
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c****s
发帖数: 2487 | 21 RX里的LNA一般都是集成的吧，即使是中高端手机里独立的RF module
低成本的更是这样子，打开个山寨手机看看。。。
负电压得用charge pump
机中 |
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b*******1
发帖数: 339 | 22 这个balanced LNA的两个输入口相位差好像是90度，而不是180度。。。。 |
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s****t
发帖数: 1049 | 23 在同一个芯片上的LNA和mixer之间也不需要考虑matching吧，距离比较小不会出现驻波
的波节点在mixer的输入端 |
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j******s
发帖数: 17 | 24 个人感觉：
1. noise 会增加，所以NF对LNA很重要
2. receiving range/sensitivity应该是Rx的独立指标 |
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u*******m
发帖数: 3395 | 25 Basically LNA's gain suppresses the noise effects of later stages, thus
minimizes degradation of sensitivity. |
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z***o
发帖数: 6 | 26 你可以这样想 lna管子进入非线性区 就是说输入f0 输出会有更多的harmonic
distortion 这些distortion都是noise 同样的条件下肯定会使NF变大啊
F=SNRin/SNRout=SinNout/SoutNin |
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w*********g
发帖数: 30882 | 28 同时质问金龙鱼：
（1）你们对自己加工抗草甘膦转基因大豆生产的金龙鱼转基因大豆油，是否对孟山
都抗草甘膦转基因大豆中必然存在的活的转基因片段进行了检测？
（2）如果进行了检测的话，检测的结果如何？为什么不向消费者告知来自抗草甘膦
转基因大豆的这种转基因片段对人类健康，特别对青少年、儿童、婴儿与孕妇及其胎儿
，造成一系列危害？
陈一文：转基因大豆脂肪酸含量比非转基因大豆的低不利健康
http://blog.sina.com.cn/s/blog_4bb17e9d0102dr56.html
国内学者检测发现：抗草甘膦转基因大豆的脂肪酸含量比非转基因大豆的低。食用
油脂的营养价值较大程度是取决于它的脂肪酸组成及其配比。中国优质非转基因传统大
豆油ω-6和ω-3脂肪酸的含量都较高。国外学者发现：抗草甘膦转基因大豆大量施用草
甘膦导致转基因大豆ω-6和ω-3脂肪酸的含量下降，对健康不利！深圳市计量质量检测
研究院对金龙鱼转基因大豆油的脂肪酸含量，特别是ω-6和ω-3脂肪酸含量，进行检测
了吗？与中国优质非转基因大豆相比的检测结果如何？
“抗草甘膦转基因大豆的脂肪酸含量比非转... 阅读全帖 |
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ET
发帖数: 10701 | 29 这个解释我觉得也有些概念性的问题，即使你的结论和我的曾经的结论一样， M2 cont
ribute more nonlinearity.
我觉得这个问题来自于LNA design, 有些同学已经回答了， LNA不太可能接一个curren
t mirror, 虽然我认为Rd会contribute noise, 不太可能接Rd, 但也有人回答了，就是
Rd在那里 - 可能这就是这个问题最没意思的地方。做过LNA design的可能最知道what'
s going on. 偏偏一堆在讨论的似乎都不是做LNA的。
这个问题我认为最后的结果还是在gain的所用到的公式里，最后简化的结果能看出什么
，因为gm1, gm2, ro1, ro2都有nonliear 变量在里面，而有些是可以cancel的。
所以最后我认为是M1的贡献大。 |
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y******9
发帖数: 606 | 30 lna一样有问题，用cmos做不了最好的lna，但是一般的lna没问题
另外文章说的是pa 高通的pa 因为是cmos的 性能完全比不上 三五 所以一直是个鸡肋
。 rf 别的部分 lna mixer pll 用cmos都没问题 唯独pa不是很好。 |
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y******9
发帖数: 606 | 31 lna一样有问题，用cmos做不了最好的lna，但是一般的lna没问题
另外文章说的是pa 高通的pa 因为是cmos的 性能完全比不上 三五 所以一直是个鸡肋
。 rf 别的部分 lna mixer pll 用cmos都没问题 唯独pa不是很好。 |
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发帖数: 1 | 32 前几天（11/7） techinsights 拆解了mate30 pro 5g （已经在国内大规模销售）。
https://www.techinsights.com/blog/huawei-mate-30-pro-5g-teardown
手机中的射频芯片主要来自华为海思 （HiSilicon) 和日本Murata
HiSilicon Hi6H11 LNA/RF Switch
HiSilicon Hi6D22 Front-End Module
HiSilicon Hi6H12 LNA/RF Switch
HiSilicon Hi6D03 MB/HB Power Amplifier Module
HiSilicon Hi6365 RF Transceiver
HiSilicon Hi6D05 Power Amplifier Module
Murata Front-End Module
也证实了mate 30手机中没有美帝的Qrvo 和 Swks 的射频芯片。在此之前，Qrvo 和
Swks 垄断了全球的射频芯片市场。普遍认为，这两家公司对任何一家手机公司禁运，
这家公司就一定完蛋。 中国国... 阅读全帖 |
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l******h
发帖数: 2 | 33 Highly reputational company with very competitive compensation for all
positions.
Please send in your resume and position/positions you like to apply to my
email address below.
h*******[email protected]
All resumes will be deliver to hiring manager directly. Act fast!
Thanks!
Silicon Engineering Group
Sr. Physical Design Timing Engineer
Timing (STA) Manager
Senior Physical Design Engineer
CAD Manager - Front-End Design and Verification
Sr. CAD Engineer - Place & Route / Physical Design Engineer
Sr. CA... 阅读全帖 |
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b*********7
发帖数: 37 | 34 大家好
我是即将毕业的博士生（第五年），做的方向是RF/microwave的硬件。具体做过THz的
Probe，THz的测试，以及相关的高频器件。
几年前流过一次片，2.4GHz的RFIC（LNA+MIXER），不过不成功。所以board level
design没做。但是课程的project吧最后的这一步补上了。给定chip做两种放大器（LNA
, small signal），根据chip的s-parameter用ADS设计不同的input/output matching
network。
RF on-wafer test做过， probe station也都用过。RF的器件的测试懂一些，带过TA，
基本的gain, IIP3, NF, P1dB, s-parameter带着小本测了一学期。。。
Sensor以及sensor外围电路也懂一些，我的探头就集成了自己设计fab的strain sensor
，用来测定探头的接触力和接触角度。
Semiconductor fabrication经验还可以，大概四五年clean room experience了。常用
的设备除了CVD基本都用到... 阅读全帖 |
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b*********7
发帖数: 37 | 35 大家好
我是即将毕业的博士生（第五年），做的方向是RF/microwave的硬件。具体做过THz的
Probe，THz的测试，以及相关的高频器件。
几年前流过一次片，2.4GHz的RFIC（LNA+MIXER），不过不成功。所以board level
design没做。但是课程的project吧最后的这一步补上了。给定chip做两种放大器（LNA
, small signal），根据chip的s-parameter用ADS设计不同的input/output matching
network。
RF on-wafer test做过， probe station也都用过。RF的器件的测试懂一些，带过TA，
基本的gain, IIP3, NF, P1dB, s-parameter带着小本测了一学期。。。
Sensor以及sensor外围电路也懂一些，我的探头就集成了自己设计fab的strain sensor
，用来测定探头的接触力和接触角度。
Semiconductor fabrication经验还可以，大概四五年clean room experience了。常用
的设备除了CVD基本都用到... 阅读全帖 |
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l******h
发帖数: 2 | 36 Highly reputational company with very competitive compensation for all
positions.
Please send in your resume and position/positions you like to apply to my
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z****u
发帖数: 1007 | 37 倒是想做LNA probe. 不过那一个probe得700多元，有点心疼的说。
有谁拿LNA probe做过ISH没？ |
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f*****y
发帖数: 124 | 38 Of Course
y=lnA, x=B^(-1/(1+d));
y=lnA0+B0^(1/(1+d))*x
lnA0 and B0 are constant,
you should get three straight lines with a same intercept y=lnA0
and three different slopes of B0^(1/2),^(1/3),^(1/4)
you should plot lnA~B
or
画出 |
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h******v
发帖数: 30 | 39 多谢苏门兄指教。我很想知道你所用的16 bits高速ADC的型号。Jim Williams文章中将
几路LNA并联使用, 是否就相当于求平均?
我其实想确定一载频不超过30 MHz, 载波幅度约0.1 mV的语音调幅信号载频的实际值(当
然如果有频谱仪就很简单了)。我手头只有一实时采样
率达1G Sa/s的数字存储示波器, 带宽50 MHz, 带FFT及求平均功能, 垂直分辨率8 bits
, 垂直灵敏度2mv/格。1.5GHz LNA其Input Voltage
Noise为4 nV/Hz^(1/2) (在f=1MHz测得的结果), 以30 MHz的信号而言, 输入噪声为 4*
(30*1000000)^(1/2) = 24 uV, 不超过0.1 mV。如果使
用求平均及FFT的功能, 是否应能测出该语音调幅信号载频频率? 这FFT功能是否可理解
为连续可调的窄带滤波器? |
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a******t
发帖数: 75 | 40 如果M1，M2 gm相同，ignore body effect.
M1 和M2 产生的non-linearity一样，因为M1 M2 的cross gate, source上的swing一样
。但是M2产生的non-linearity被M1的r0 degenerated,换句话说， M2的non linearity
circulated 在其device本身，没有走到output.
M1产生的non-linearity直接到了LNA output. 所以M1的non-linearity dominates.
R0产生的non-linearity都是second order，一般比较小。
某些情况下，noise performance不是非常critical的情况， current source或者Res
可以作为LNA load，因为可以节省一个inductor，很多die size.
cont
curren
what' |
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b*********7
发帖数: 37 | 41 大家好
我是即将毕业的博士生（第五年），做的放向是RF/microwave的硬件。具体做过THz的
探头，THz的测试，以及相关的高频器件。
几年前流过一次片，2.4GHz的RFIC（LNA+MIXER），不过不成功。所以board level
design没做。但是课程的project吧最后的这一步补上了。给定chip做两种放大器（LNA
, small signal），根据chip的s-parameter用ADS设计不同的input/output matching
network。
RF on-wafer test做过， probe station也都用过。RF的器件的测试懂一些，带过TA，
基本的gain, IIP3, NF, P1dB, s-parameter带着小本测了一学期。。。
Sensor以及sensor外围电路也懂一些，我的探头就集成了自己设计fab的strain sensor
，用来测定探头的接触力和接触角度。
Semiconductor fabrication经验还可以，大概四五年clean room experience了。常用
的设备除了CVD基本都用到过。我... 阅读全帖 |
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b*********7
发帖数: 37 | 42 大家好
我是即将毕业的博士生（第五年），做的方向是RF/microwave的硬件。具体做过THz的
探头，THz的测试，以及相关的高频器件。
几年前流过一次片，2.4GHz的RFIC（LNA+MIXER），不过不成功。所以board level
design没做。但是课程的project把最后的这一步补上了。给定chip做两种放大器（LNA
, small signal），根据chip的s-parameter用ADS设计不同的input/output matching
network。
RF on-wafer test做过， probe station也都用过。RF的器件的测试懂一些，带过TA，
基本的gain, IIP3, NF, P1dB, s-parameter带着小本测了一学期。。。
Sensor以及sensor外围电路也懂一些，我的探头就集成了自己设计fab的strain sensor
，用来测定探头的接触力和接触角度。
Semiconductor fabrication经验还可以，大概四五年clean room experience了。常用
的设备除了CVD基本都用到过。我... 阅读全帖 |
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f**r
发帖数: 1178 | 43 【 以下文字转载自 Military 讨论区 】
发信人: mayvillage (天大海大), 信区: Military
标 题: 找到一个买便宜帐蓬的好地方
发信站: BBS 未名空间站 (Sat May 24 22:54:00 2008)
四川揪心呀！知道捐钱会有人贪污， 也要硬着头皮捐。 这两天看了少帐蓬的新闻，
又开始坐立不安。 自家有两个camping的， 又一起捐了。想着灾民忍饥挨饿， 又有风
吹雨打， 真是难过不已。
找到了一个有便宜帐蓬的好网站
http://www.govliquidation.com/list/c7567/lna/1.html
看样子是政府处理东西的地方， 好象是军用的。 应该很结实。 东西大都没人bid,
很少钱就能拿下来。 没有经验， 不知该怎么处理。 东西好像都是很大包， 卡车拉的
。 小apartment大概放不下。 这里牛人多， 有没有大侠指点一下。 请大家路过顶一
下。 |
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w*********g
发帖数: 30882 | 44 中国AESA雷达先进技术将J-20推向世界顶级宝座
2011-6-28 09:16
近50多年来，机载雷达不断注入新的技术成果，性能大幅度提高。新技术是提高雷
达探测能力的原动力。AESA的成功应用是对传统机载雷达的一次革命，她极大地扩展了
雷达的应用领域和提高了雷达的工作性能，进而提高和丰富了作战飞机执行任务的能力
和作战模式。21世纪的空战，已经不再是飞机自身飞行作战性能的竞争，更多的是一种
综合的能力的竞争。
-
采用AESA技术的机载雷达优势在于：雷达作用距离大幅度增长：由于AESA雷达T/R
模块中的射频功率放大器(HPA)同天线辐射器紧密相连，而接收信号几乎直接耦合到各T
/R模块内的射频低噪声放大器(LNA)，这就有效地避免了干扰和噪声叠加到有用信号上
去，使得加到处理器的信号更为"纯净"，因此，AESA雷达微波能量的馈电损耗较传统机
械扫描雷达大为减少。
解决了可靠性的瓶颈问题：由于信号的发射和接收是由成百上千个独立的收/发和
辐射单元组成，因此少数单元失效对系统性能影响不大。试验表明，10%的单元失效时
，对系统性能无显着影响，不需立即维修；30％失效时，系统增益降低... 阅读全帖 |
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w*********g
发帖数: 30882 | 45 中国AESA雷达技术将J20推向世界顶级宝座
近50多年来，机载雷达不断注入新的技术成果，性能大幅度提高。新技术是提高雷达探
测能力的原动力。AESA的成功应用是对传统机载雷达的一次革命，她极大地扩展了雷达
的应用领域和提高了雷达的工作性能，进而提高和丰富了作战飞机执行任务的能力和作
战模式。21世纪的空战，已经不再是飞机自身飞行作战性能的竞争，更多的是一种综合
的能力的竞争。
采用AESA技术的机载雷达优势在于：雷达作用距离大幅度增长：由于AESA雷达T/R模块
中的射频功率放大器(HPA)同天线辐射器紧密相连，而接收信号几乎直接耦合到各T/R模
块内的射频低噪声放大器(LNA)，这就有效地避免了干扰和噪声叠加到有用信号上去，
使得加到处理器的信号更为"纯净"，因此，AESA雷达微波能量的馈电损耗较传统机械扫
描雷达大为减少。
解决了可靠性的瓶颈问题：由于信号的发射和接收是由成百上千个独立的收/发和辐射
单元组成，因此少数单元失效对系统性能影响不大。试验表明，10%的单元失效时，对
系统性能无显着影响，不需立即维修；30％失效时，系统增益降低3分贝，仍可维持基
本工作性能。这种"柔性... 阅读全帖 |
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d*******p
发帖数: 1559 | 46 北斗的天线也不是很大，也可以和GPS外置的小型天线做的差不多，不过这只是单指天
线，有些是把LNA和PA集成进去的，再加上个壳子，这就要大不少了，还有一些是把处
理模块也集成进去的，外面只留电源和数据接口，这样就更大一些。 |
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s***d
发帖数: 15421 | 47 撤 你不感mtk把所有东西都给你坐在一个soc上 就凭小作坊 还真的没法把discrete
mixer lna dsp 坐在一块pcb上
★ 发自iPhone App: ChineseWeb - 中文网站浏览器 |
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f********t
发帖数: 6999 | 48 【 以下文字转载自 SanFrancisco 讨论区 】
发信人: onetiemyshoe (onetiemyshoe), 信区: SanFrancisco
标 题: 在高通碰到烙印... (转载)
发信站: BBS 未名空间站 (Fri Mar 28 23:05:37 2014, 美东)
【 以下文字转载自 ITRelief 俱乐部 】
发信人: onetiemyshoe (onetiemyshoe), 信区: ITRelief
标 题: 在高通碰到烙印... (转载)
发信站: BBS 未名空间站 (Fri Mar 28 22:55:30 2014, 美东)
jiangkyo说的太对了。
不一定非要公开打草惊蛇，
但是需要开始匿名曝光／人肉
作恶的人了。
很多人觉得director很了不起了，
怕怕啊，躲远点啊。
但是实际上junior的不怕director/VP,
赤脚的不怕穿鞋的。
他比你更怕你曝光他。
director/VP大把大把的互相勾心斗角，
让烙印内忧外患， 黑掉一个，黑一堆。
祖先的“擒贼先擒王”。 你们咋就
不明白呢？
发信人: jiangkyo (... 阅读全帖 |
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c*********l
发帖数: 3438 | 49 【 以下文字转载自 JobHunting 讨论区 】
发信人: man8 (男人吧), 信区: JobHunting
标 题: 看看烙印多TM嚣张，各位同胞团结起来吧！
发信站: BBS 未名空间站 (Fri Mar 28 15:48:16 2014, 美东)
转载于一亩三分地
今天就谈谈我在硅谷被老印下黑手的经历。
上周拿到高通的onsite，一直很开心。然后小米帮我把往返机票定好，订的都是头等舱
，酒店都是四星级的，然后给我租了一辆车，一切看起来是多么美好。
三月的San Jose下着淅淅沥沥的小雨，我早早的到了公司，然后在公司前台拿好CHECK
IN,拿好badge，等着被面试。Schedule上写的是一共有9轮面试，从早上9点到下午三点
半。
第一个是manager，看起来是个华裔，非常亲切，问了简历上的project，然后问我一些
OFDM/MIMO, TCP/IP的东西，然后问了些电路的一些东西，LNA,PA,BPF，都答出来了，
manager一直说让我放松，我跟他聊着聊着，状态越来越好。
接下来5个人的面试也很顺利。到此，一切进行的很顺利。
到第七轮面试的时候，来了个... 阅读全帖 |
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f***y
发帖数: 4447 | 50 华为Mate 30系列已经正式发布，而作为国产手机品牌的领军角色，华为供应链的国产
化程度也一直备受关注。
现在，有半导体机构分析出了Mate 30系列的全部供应链供应商，国产化程度相比以往
再次提高，不少还都是A股上市企业。
其中在大家非常关注的屏幕面板方面，出现了京东方、TCL两家国产厂商的名字，不过
确切地说应该是华星光电，华为智慧屏也用了他家的屏幕。
另外，几乎任何一处元器件或者工艺流程，都有至少两家供应商，这也符合华为近来一
贯的政策：不单纯依赖某一家供应商。
以下就是Mate 30系列的全部供应商列表：
－ 摄像头
CMOS传感器：索尼、韦尔豪威(800万长焦)
镜头：舜宇光学、欧菲光、联创电子
模组：立讯精密、舜宇光学、欧菲光
－ 屏幕
面板：京东方、TCL
盖板玻璃：蓝思科技、伯恩光学
触控模组：长信科技、欧菲光
－ 射频
天线：鹏鼎控股、信维通信、硕贝德
LNA(低噪声放大器)：卓胜微、韦尔股份
PA(功率放大器)：三安光电、卓胜微
滤波器：信维通信、三安光电、卓胜微
－ 功能器件
模切：领益智造、安洁科技
冲压件：领益智造、长盈精密
CNC：领益智造、长盈精密
散热... 阅读全帖 |
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