c******n 发帖数: 2 | 1 那位大侠有低温实验的经验,请给点指示:
我要在2K左右的温度做半导体电学测量,如果我的半导体样品的电阻约40ohm,
那么用多小的电流可以不加热样品。
比如1mA, 那么样品的发热功率是:P=I^2×R=1×10-6×40=0.04mW,
这样的发热功率是不是太大?样品的尺寸约5mm×5mm。
我的制冷系统是流动液氦(Helium Flowing)系统。
因为温度计是在制冷头上(cold finger)的,离样品还有一点距离,我一直怀疑,
样品的局部温度会高于温度计的读数。
急需大虾的指教,多谢。 | s***l 发帖数: 2236 | 2 既然可以用nanovoltmeter那电流还可以往下降啊,降到你的voltmeter
的误差极限,绝对可以比1e-6A小很多。
【在 c******n 的大作中提到】![](/moin_static193/solenoid/img/up.png) : 那位大侠有低温实验的经验,请给点指示: : 我要在2K左右的温度做半导体电学测量,如果我的半导体样品的电阻约40ohm, : 那么用多小的电流可以不加热样品。 : 比如1mA, 那么样品的发热功率是:P=I^2×R=1×10-6×40=0.04mW, : 这样的发热功率是不是太大?样品的尺寸约5mm×5mm。 : 我的制冷系统是流动液氦(Helium Flowing)系统。 : 因为温度计是在制冷头上(cold finger)的,离样品还有一点距离,我一直怀疑, : 样品的局部温度会高于温度计的读数。 : 急需大虾的指教,多谢。
| w*u 发帖数: 2 | 3 You need to know the e-p interaction constant in that sample so you can calc
ulate how the heat generated by Joule heating is dissipated in the phonon sy
stem and then through the phonon coupling to the heat sink.
Because the system seems big so e diffusion is not dominating in this case.
Also the temprature is high, 2K, phonon specific heat constant is still high
enough for phonon system to dissipate heat.
But the authour is not worry about overheating yet.
He is just worry about the accuracy o
【在 c******n 的大作中提到】![](/moin_static193/solenoid/img/up.png) : 那位大侠有低温实验的经验,请给点指示: : 我要在2K左右的温度做半导体电学测量,如果我的半导体样品的电阻约40ohm, : 那么用多小的电流可以不加热样品。 : 比如1mA, 那么样品的发热功率是:P=I^2×R=1×10-6×40=0.04mW, : 这样的发热功率是不是太大?样品的尺寸约5mm×5mm。 : 我的制冷系统是流动液氦(Helium Flowing)系统。 : 因为温度计是在制冷头上(cold finger)的,离样品还有一点距离,我一直怀疑, : 样品的局部温度会高于温度计的读数。 : 急需大虾的指教,多谢。
| Eg 发帖数: 80 | 4 Can your sample accept low frequency AC? If do, it's easy --- just
use a lock-in and draw microamp or nanoamp current --- 2K sample will
not be warmed up then.
If your sample can't accept AC, still use small current, but make a
PreAmp before the nanometer --- that will be a little bit noisy and
tricky, but still have a good result. Basicly, 2K is really hot comparing
with the "real" low temperature experiments, and 40 Ohm is still big enough
--- you shouldn't worry about the problem of "self war
【在 c******n 的大作中提到】![](/moin_static193/solenoid/img/up.png) : 那位大侠有低温实验的经验,请给点指示: : 我要在2K左右的温度做半导体电学测量,如果我的半导体样品的电阻约40ohm, : 那么用多小的电流可以不加热样品。 : 比如1mA, 那么样品的发热功率是:P=I^2×R=1×10-6×40=0.04mW, : 这样的发热功率是不是太大?样品的尺寸约5mm×5mm。 : 我的制冷系统是流动液氦(Helium Flowing)系统。 : 因为温度计是在制冷头上(cold finger)的,离样品还有一点距离,我一直怀疑, : 样品的局部温度会高于温度计的读数。 : 急需大虾的指教,多谢。
|
|