x*******2
发帖数: 5333 | 1 我有个导电的substrate，然后表层镀上绝缘层，比如al2o3。我最厚能度多少，电子还
是可以穿透呢？概率大概有多少？还有mobility和没有绝缘层的比，要小多少？谢谢了 |
d*******n
发帖数: 62 | 2 Lots of people grow things on top of ultrathin Al2O3 films prepared by
annealing NiAl single crystals in oxygen. You can still do STM on top of
these films. Check related literature regarding thickness and resistivity,
and you may get some idea.
【在 x*******2 的大作中提到】
: 我有个导电的substrate，然后表层镀上绝缘层，比如al2o3。我最厚能度多少，电子还
: 是可以穿透呢？概率大概有多少？还有mobility和没有绝缘层的比，要小多少？谢谢了
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g***e
发帖数: 4074 | 3 原则上是当然是越薄越好。随着绝缘层的增厚，隧穿几率减小，因而hopping电子越来
越dominant。这些hopping和杂质引起的其他非弹性散射会根本掩盖tunneling对态密度
的真实反映。如果是做超导谱（也就是有一个超导电极），绝缘层如果大于2-3nm的话
，往往tunneling就不好了。当然减少绝缘层的杂质会让这个厚度更厚，但是一般情况
下，2-3个nm就是极限了，否则超导的态密度会由于非弹性的散射和hopping给掩埋。所
得到的电导谱将很难和理论的态密度及其非弹性修正吻合。换句简单的话来说，基本上
属于不能发表的数据。
在做MTJ的时候，似乎这个厚度可以大一些，当然损失的是spin tunneling效率。不过
做MTJ的应用时，只要有信号的变化，即使效率低一点，也不是不能发表。
另外，在没有绝缘层的时候，需要考虑两边的费米面，费米速度的match程度。如果相
差太大，有可能产生一个肖特基势，这个肖特基势也可以用来做tunneling。
理想的tunneling，并不考虑mobility，就是一个态密度和一个隧穿几率（这个当然与
barrier厚度有关）。 |
x*******2
发帖数: 5333 | 4 谢谢指导。那么一般来说，1nm应该都是可以的吧？如果我的AL2O3或者TIO2比较纯的话
？ 既然是有一定概率的穿越，那么这样测出来的电流是不是和没有绝缘层的电流比，
要小很多呢？
【在 g***e 的大作中提到】
: 原则上是当然是越薄越好。随着绝缘层的增厚，隧穿几率减小，因而hopping电子越来
: 越dominant。这些hopping和杂质引起的其他非弹性散射会根本掩盖tunneling对态密度
: 的真实反映。如果是做超导谱（也就是有一个超导电极），绝缘层如果大于2-3nm的话
: ，往往tunneling就不好了。当然减少绝缘层的杂质会让这个厚度更厚，但是一般情况
: 下，2-3个nm就是极限了，否则超导的态密度会由于非弹性的散射和hopping给掩埋。所
: 得到的电导谱将很难和理论的态密度及其非弹性修正吻合。换句简单的话来说，基本上
: 属于不能发表的数据。
: 在做MTJ的时候，似乎这个厚度可以大一些，当然损失的是spin tunneling效率。不过
: 做MTJ的应用时，只要有信号的变化，即使效率低一点，也不是不能发表。
: 另外，在没有绝缘层的时候，需要考虑两边的费米面，费米速度的match程度。如果相
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