G*s
发帖数: 649 | |
x5
发帖数: 27871 | 2 ST Micro啊，这个很牛的，现在基本垄断MEMS gyro的市场了
【在 G*s 的大作中提到】
: http://leicarumors.com/2012/09/19/the-24mp-max-sensor-inside-th
: 不知效果会怎么样。
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d******n
发帖数: 3014 | 3 这事什么市场
【在 x5 的大作中提到】
: ST Micro啊，这个很牛的，现在基本垄断MEMS gyro的市场了
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s******g
发帖数: 15854 | 4 这是啥东西啊，卷饼？
【在 x5 的大作中提到】
: ST Micro啊，这个很牛的，现在基本垄断MEMS gyro的市场了
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t****g
发帖数: 35582 | 5 意法半导体？一般吧，arm工控chip方面好像拼不过nxp还有其他几家。
【在 x5 的大作中提到】
: ST Micro啊，这个很牛的，现在基本垄断MEMS gyro的市场了
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x5
发帖数: 27871 | |
s******g
发帖数: 15854 | |
x5
发帖数: 27871 | 8 问题是做传感器用不着那么小的feature
看介绍这个芯片是90nm/110nm的工艺出来的，足够了
卖点是微透镜，这还是 MEMS的本行
【在 t****g 的大作中提到】
: 意法半导体？一般吧，arm工控chip方面好像拼不过nxp还有其他几家。
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t****g
发帖数: 35582 | 9 他这个为透镜能这么做是因为可以把cmos上面的epi layer做薄，本质上说就是每个
pixel的NA能更大。
【在 x5 的大作中提到】
: 问题是做传感器用不着那么小的feature
: 看介绍这个芯片是90nm/110nm的工艺出来的，足够了
: 卖点是微透镜，这还是 MEMS的本行
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R***a
发帖数: 41892 | 10 sony pdf里说现在sony所有芯片厂都是60nm工艺。
然后stacked cmos就是为了周边电路上用45nm工艺
【在 x5 的大作中提到】
: 问题是做传感器用不着那么小的feature
: 看介绍这个芯片是90nm/110nm的工艺出来的，足够了
: 卖点是微透镜，这还是 MEMS的本行
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x5
发帖数: 27871 | 11 我觉得是做成非球的了，也是提高NA
【在 t****g 的大作中提到】
: 他这个为透镜能这么做是因为可以把cmos上面的epi layer做薄，本质上说就是每个
: pixel的NA能更大。
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x5
发帖数: 27871 | 12 Sony 用60 nm也不说明非60 nm不可
【在 R***a 的大作中提到】
: sony pdf里说现在sony所有芯片厂都是60nm工艺。
: 然后stacked cmos就是为了周边电路上用45nm工艺
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t****g
发帖数: 35582 | 13 感光芯片从来都是用淘汰工艺设备造。
【在 x5 的大作中提到】
: Sony 用60 nm也不说明非60 nm不可
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