三星西安闪存二厂完成扩建并已投产，NAND 产量超全球 10% - PDA版

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PDA版 - 三星西安闪存二厂完成扩建并已投产，NAND 产量超全球 10%

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Digitimes 报道称，三星电子 (Samsung Electronics) 唯一海外存储器生产厂，中国
西安 NAND Flash 厂区第二工厂日前已完成扩建并投产。据悉，该厂是三星在韩国本土
之外，唯一的存储芯片厂。通过此次扩建，三星电子的 NAND 闪存生产能力将占世界市
场的 10% 以上。
陕西日报消息指出，西安三星半导体一期项目于 2012 年 9 月开工建设，2014 年 5
月建成投产，投资总额由建厂时计划的 70 亿美元增加到实际完成投资 108.7 亿美元
，其中闪存芯片项目投资 100 亿美元，封装测试项目投资 8.7 亿美元。
IT之家曾报道，2017 年 8 月 30 日，西安三星半导体投资 70 亿美元在西安高新区建
设 12 英寸闪存芯片二期项目，新建一条闪存生产线。2019 年 12 月，该公司决定再
投资 80 亿美元，拟对二期项目进行扩建，实现增产及产品迭代。
据悉，三星电子、SK 海力士等韩国半导体大厂都在中国设厂，且生产量市占整个半导
体工厂的一半。三星电子在中国西安建立生产 NAND Flash 存储芯片月产可以达到 26.
5 万片 12 吋晶圆。而 SK 海力士也在考虑将重要的生产线迁移至中国当地生产。

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