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发帖数: 834 | 1 硅基底上的平行超长单壁碳纳米管阵列因有望在大规模集成电路中应用而备受关注，但
是目前的制备方法还存在许多问题，由于不能大批量制备大规模的高质量样品而严重制
约了其性质和应用研究。近日，北京大学化学学院李彦教授课题组在数年来有关单壁碳
纳米管表面生长研究的基础上，通过对生长机制的深入分析，提出创新性思路，在高质
量平行超长单壁碳纳米管阵列的制备方面取得了突破性进展。
课题组发现人们一直认为对单壁碳纳米管生长不利的金属铜在适当条件下实际上是高效
的催化剂。由于铜与硅基底的相互作用远弱于传统的催化剂，因此使用铜催化更利于平
行超长单壁碳纳米管阵列的生长，不仅可以显著提高阵列中纳米管的密度，更可以获得
高度平行的超长直管。由于避免了铁磁性催化剂的使用，该方法得到的样品更适宜于单
壁碳纳米管本征磁学性质的研究。相关论文(Copper Catalyzing Growth of Single-
Walled Carbon Nanotubes on Substrates)发表于《纳米快报》( Nano Letters, 6:
2987-2990, 2006. )。
人们一般认为大流量、快速升温的条件适 | l******u
发帖数: 2314 | 2 毛豆子老大，我是喊了半天让大家上，可你的反应也太夸张啦，完全不管别人受得了受
不了，哈哈。 |
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