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Military版 - 国产芯片设备的进展

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m****i
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从国内中标的设备厂商来看，集微网根据招标平台数据整理统计，今年(2022)二季度，
北方华创、中微半导体、芯源微、Tokyo Electron（东京电子）、ASML等企业合计中标
643台设备，其中，国产设备厂商合计中标387台设备。
在光刻环节，ASML中标5台光刻机，占据行业主导地位；上海微电子中标1台步进式光刻
机。据了解，上海微电子SSX600系列步进扫描投影光刻机可满足IC前道制造90nm、
110nm、280nm关键层和非关键层的光刻工艺需求。此外，今年2月，上海微电子成功交
付首台2.5D\3D先进封装光刻机，这对国内集成电路行业有着很大的意义。
在刻蚀环节，北方华创和中微半导体合计中标38台刻蚀设备，超过泛林半导体与东京电
子的总和19台。北方华创中标16台刻蚀设备，分别为上海积塔13台、株洲中车时代1台
、北京大学1台、上海新微半导体1台。北方华创ICP（电感耦合等离子体）刻蚀技术优
势明显，其自主研发的14纳米等离子硅刻蚀机已成功进入主流项目产线。
中微半导体中标22台刻蚀设备，分别为华虹半导体13台、上海积塔8台、株洲中车时代1
台。中微半导体CCP（容性耦合等离子体）刻蚀技术精良，已覆盖65纳米至5纳米，在5
纳米以下也进展顺利，其2021年总共生产交付了298腔CCP刻蚀设备，产量同比增长40%。
在薄膜沉积环节，拓荆科技中标11台薄膜沉积设备，略低于泛林半导体与应用材料的总
和15台。拓荆科技主要产品系列为等离子体增强化学气相沉积（PECVD）设备、原子层
沉积（ALD）设备和次常压化学气相沉积（SACVD）设备，广泛应用于国内晶圆厂14nm及
以上制程集成电路制造产线，并已展开10nm及以下制程产品验证测试。
目前，国内晶圆厂正进入加速建设期，国产设备厂商渗透率虽有所不足，但已开始奋起
直追，光刻、刻蚀、薄膜沉积、涂胶显影等多环节突破，北方华创、中微半导体、拓荆
科技等设备厂商订单激增，进步明显。

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