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Military版 - 长江存储宣布128层QLC 3D NAND闪存芯片研发成功
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f***y
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https://www.cnbeta.com/articles/tech/966685.htm
长江存储宣布128层QLC 3D NAND闪存芯片研发成功
2020年04月13日 08:46 1908 次阅读 稿源:网易科技 0 条评论
长江存储今日在官网宣布其128层QLC 3D NAND闪存芯片X2-6070研发成功,并已在多家
控制器厂商SSD等终端存储产品上通过验证。长江存储表示,X2-6070是业内首款128层
QLC规格的3D NAND闪存,拥有业内已知型号产品中最高单位面积存储密度,最高I/O传
输速度和最高单颗NAND闪存芯片容量。
此次同时发布的还有128层512Gb TLC(3 bit/cell)规格闪存芯片X2-9060,以满足不
同应用场景的需求。
据了解,每颗X2-6070 QLC闪存芯片共提供1.33Tb的存储容量。而在I/O读写性能方面,
X2-6070及X2-9060均可在1.2V Vccq电压下实现1.6Gbps(Gigabits/s千兆位/秒)的数
据传输速率。
长江存储表示,公司用短短3年时间实现了从32层到64层再到128层的跨越。
另据财联社报道,预计2020年底-2021年中旬陆续量产,目标达到月产能10万片;供应
链消息透露,这款闪存已送样。
m*****n
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任重道远
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