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EE版 - LDO稳定性
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p*r
发帖数: 548
1
好像所有的地方在分析LDO稳定性时都假设PMOS处于饱和区。大电流时PMOS应在线性区
,这时稳定性该如何分析?
c*******r
发帖数: 275
2
why "大电流时PMOS应在线性区" ?
b*******r
发帖数: 1130
3
你在哪里看到分析LDO稳定性是在饱和区的?
一般大电流线性区,小电流亚阈值

【在 p*r 的大作中提到】
: 好像所有的地方在分析LDO稳定性时都假设PMOS处于饱和区。大电流时PMOS应在线性区
: ,这时稳定性该如何分析?

p*r
发帖数: 548
4
比喻这个TI的文章:第16页
http://www.ti.com/lit/an/slva072/slva072.pdf

【在 b*******r 的大作中提到】
: 你在哪里看到分析LDO稳定性是在饱和区的?
: 一般大电流线性区,小电流亚阈值

b*******r
发帖数: 1130
5
第16页是指frequency response那页嘛?
没看到说MOS管在饱和区啊

【在 p*r 的大作中提到】
: 比喻这个TI的文章:第16页
: http://www.ti.com/lit/an/slva072/slva072.pdf

1 (共1页)
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