w********o
发帖数: 10088 | 1 大家都有啥经验啊，就用最简单的homojunction吧，比如一边p-type重掺杂，一边n-type 掺杂少点
查文献查晕了，到底是high doping好，还是low doping好？如果要ideality factor越
接近1越好的话
还有啥别的办法降低这个的么 |
c******g
发帖数: 246 | 2 帮你顶一下。我也不大懂，等牛人解释。
理论上来说n偏离1是因为什么recombination和high injection之类的吧，不同bias情
况下被不同机理主导。bias低的时候是recombination主导，要想靠近1,估计要靠减少
mid-gap defect之类的，bias高的时候从doping低的那边开始high injection,那难道
是增加doping好？不过增加doping的话，会不会低bias那边recombination又增加了?
type 掺杂少点
【在 w********o 的大作中提到】
: 大家都有啥经验啊，就用最简单的homojunction吧，比如一边p-type重掺杂，一边n-type 掺杂少点
: 查文献查晕了，到底是high doping好，还是low doping好？如果要ideality factor越
: 接近1越好的话
: 还有啥别的办法降低这个的么
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w********o
发帖数: 10088 | 3 恩，假设都是在ideal diode那个区间测吧。偏离1大部分时候是由space charge region的recombination引起的，neutral region的recombination得到的ideality factor还是1. 我最近的测试好像如果一边是heavy doping，增加另一边 doping有点用，不过不知道是不是process的noise引起的
理论上说SR recombination rate=1/tau*（np-ni^2）/(n+p+2ni).如果p>>n，基本上可以近似成 1/tau*(n-ni^2/p)/(1+2ni).增加n，recombination rate升高。不过前提是tau不变。如果看整个recombination，貌似还应该考虑电子通过整个space charge region的时间，这么又复杂了。
【在 c******g 的大作中提到】
: 帮你顶一下。我也不大懂，等牛人解释。
: 理论上来说n偏离1是因为什么recombination和high injection之类的吧，不同bias情
: 况下被不同机理主导。bias低的时候是recombination主导，要想靠近1,估计要靠减少
: mid-gap defect之类的，bias高的时候从doping低的那边开始high injection,那难道
: 是增加doping好？不过增加doping的话，会不会低bias那边recombination又增加了?
:
: type 掺杂少点
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c******g
发帖数: 246 | 4 要不你干脆整个DOE,长一堆wafer, 实践出真知算了？:)
region的recombination引起的，neutral region的recombination得到的ideality
factor还是1. 我最近的测试好像如果一边是heavy doping，增加另一边 doping有点用
，不过不知道是不是process的noise引起的
可以近似成 1/tau*(ni^2/p-n)/(1+2ni).增加n，的确recombination rate降低。不过
前提是tau不变。我就纳闷，多掺杂了，tau应该要变小的吧。。。如果看整个
recombination，貌似还应该考虑电子通过整个space charge region的时间，这么又复
杂了。
【在 w********o 的大作中提到】
: 恩，假设都是在ideal diode那个区间测吧。偏离1大部分时候是由space charge region的recombination引起的，neutral region的recombination得到的ideality factor还是1. 我最近的测试好像如果一边是heavy doping，增加另一边 doping有点用，不过不知道是不是process的noise引起的
: 理论上说SR recombination rate=1/tau*（np-ni^2）/(n+p+2ni).如果p>>n，基本上可以近似成 1/tau*(n-ni^2/p)/(1+2ni).增加n，recombination rate升高。不过前提是tau不变。如果看整个recombination，貌似还应该考虑电子通过整个space charge region的时间，这么又复杂了。
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w********o
发帖数: 10088 | 5 reactor没那么多空闲时间：（
而且我们processing从来都是多快好省，noise太大
【在 c******g 的大作中提到】
: 要不你干脆整个DOE,长一堆wafer, 实践出真知算了？:)
:
: region的recombination引起的，neutral region的recombination得到的ideality
: factor还是1. 我最近的测试好像如果一边是heavy doping，增加另一边 doping有点用
: ，不过不知道是不是process的noise引起的
: 可以近似成 1/tau*(ni^2/p-n)/(1+2ni).增加n，的确recombination rate降低。不过
: 前提是tau不变。我就纳闷，多掺杂了，tau应该要变小的吧。。。如果看整个
: recombination，貌似还应该考虑电子通过整个space charge region的时间，这么又复
: 杂了。
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c******g
发帖数: 246 | 6 能用silvaco之类的冬冬simulate一下么？不知道能不能用在非理想情况上。
【在 w********o 的大作中提到】
: reactor没那么多空闲时间：（
: 而且我们processing从来都是多快好省，noise太大
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w********o
发帖数: 10088 | 7 silvaco估计玄，试用过一段时间，感觉不靠谱
回头找kaka帮忙用sentaurus跑跑
【在 c******g 的大作中提到】
: 能用silvaco之类的冬冬simulate一下么？不知道能不能用在非理想情况上。
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H*****l
发帖数: 702 | 8 你准备这么fit？我看你是要用2 diode model还是one diode？
如果是2 diode的话，你看j01,j02比较好
如果是one diode的话，我不知道n有什么意义---考虑到high injection还是low
injection还是你的recomminbation model的怎么设定的？
【在 w********o 的大作中提到】
: silvaco估计玄，试用过一段时间，感觉不靠谱
: 回头找kaka帮忙用sentaurus跑跑
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w********o
发帖数: 10088 | 9 其实我真正要搞的是hbt的ideality factor
都是要从gummel plot出来
【在 H*****l 的大作中提到】
: 你准备这么fit？我看你是要用2 diode model还是one diode？
: 如果是2 diode的话，你看j01,j02比较好
: 如果是one diode的话，我不知道n有什么意义---考虑到high injection还是low
: injection还是你的recomminbation model的怎么设定的？
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H*****l
发帖数: 702 | 10 你提问都不straight啊
【在 w********o 的大作中提到】
: 其实我真正要搞的是hbt的ideality factor
: 都是要从gummel plot出来
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w********o
发帖数: 10088 | 11 先从简单的来啊
【在 H*****l 的大作中提到】
: 你提问都不straight啊
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H*****l
发帖数: 702 | 12 我看你是要看gummel Plot 的ib
Ib 定量看是two diode fitting 才有意义
光看n是没有任何意义的
【在 w********o 的大作中提到】
: 先从简单的来啊
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w********o
发帖数: 10088 | 13 恩，你说的有道理
是得两头都看
这个silvaco没法simulate吧
【在 H*****l 的大作中提到】
: 我看你是要看gummel Plot 的ib
: Ib 定量看是two diode fitting 才有意义
: 光看n是没有任何意义的
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H*****l
发帖数: 702 | 14 I assume you are using the short base mode, so lifetime due to SRH is not a
major concern---your current is drift current.
With this assumption in mind,two diodes with n=1 and n=2 makes big sense in
physics. So you can use silvaco to get ib semilog plot and use n=1 and n=2
two diodes mode to fit get j01 and j02. They are your indicators of epi
quality and junction quality. Well under low injection level.
【在 w********o 的大作中提到】
: 恩，你说的有道理
: 是得两头都看
: 这个silvaco没法simulate吧
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