求助：MOS capacitor的古怪问题 - EE版

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EE版 - 求助：MOS capacitor的古怪问题

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s*******y
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有几个MOS电容，结构基本一样，都是POLY-EPI的，同样的fab process,它们的C-V曲线
都有问题。
第一个：高频和低频曲线都像理论上的低频曲线；
第二个：高频和低频曲线都像理论上的高频曲线；
第三个：低频曲线像理论上高频的，而高频曲线一塌糊涂。
而且这几个测出的结果就算考虑到pad,pin,cable的电容，还是比预期的高了许多。
仪器用标准电容试验过，应该没啥问题。如果是fab的问题，可电路部分又都好好的。
可能是哪里出的问题？

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