t*****4
发帖数: 16 | 1 大家好。
我最近刚开始做XPS分析，有些不懂得地方，想请教各位。现行谢过了。
我主要做的是SiC的XPS分析。先用等离子进行表面氧化，所以表面的成分比较复杂。
通过戴维林老师指点我用XPS peak软件进行了一些初步的分析，但是对于这个软件有些
不懂得地方。
首先是背景的选择，有三种选项。
其次是半幅值，这个分峰的时候所有的小峰都应该是一样的吗？
然后就是%LG，这个怎么确定呢？我问过别人，有人说这个是由设备确定的，所以所有
的峰都应该是一
样的，请问是这样的吗？值该怎么确定啊？
我通常都是分峰之后根据预想的表面可能存在的成分，查询数据库，然后对所有的峰进
行整体的平
移。这样对吗？有时候会出现一些峰对的上号，有的对不上。我应该怎么进行校正啊？
我们学校没有老师知道我们做XPS测量，数据都是我们自己直接测的。
还望各位多多指教，谢谢了！
下面是我自己做的分峰，但是我不是很确定其正确性，也请各位前辈指点。
其中，Si-O由于其氧化来源不同，键能可能不一样，这是不是合理啊？ |
y**********3
发帖数: 339 | 2 前面分峰的问题我回答不了。
XPS出现平移，检查一下你的样品是否接地，尤其是导电行差的样品，很容易积累电荷
导致峰位置的变化。还有就是要校正你的work function,一般用个石墨或者金的样品就
可以了。还有做的时候尽量使真空越低越好，如果不行尽量保持真空度一致，因为真空
条件不一样有时候对work function影响很大。
如果实验条件一样，Si-O应该一样，除非Si的杂化不一样，成键不一样。 |
t*****4
发帖数: 16 | 3
你好，谢谢你的回复。
我听很多人都说要矫正数据，可是我一直不知道该怎么矫正。
是不是测量之前先测某一金属的键能，然后跟标准值比较，得出差值。
然后测自己的样品，将得到的峰值全部按上面的差值进行平移啊。
矫正是这样的吗？
【在 y**********3 的大作中提到】
: 前面分峰的问题我回答不了。
: XPS出现平移，检查一下你的样品是否接地，尤其是导电行差的样品，很容易积累电荷
: 导致峰位置的变化。还有就是要校正你的work function,一般用个石墨或者金的样品就
: 可以了。还有做的时候尽量使真空越低越好，如果不行尽量保持真空度一致，因为真空
: 条件不一样有时候对work function影响很大。
: 如果实验条件一样，Si-O应该一样，除非Si的杂化不一样，成键不一样。
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r******j
发帖数: 780 | 4 基本都是用C1s 285.4来进行校正整体谱图的位移（基本上所有样品都有，来源于炭污
染）。
基本上对于分峰，所有的峰的fwhm应该是大概相同的。fwhm跟所测量物质的表明物理状
态有很大关系。
LG比 这个可以自己调，用来得到最好的分峰
分峰的时候，要根据峰的形状来分峰，不是根据文献来分峰 |
t*****4
发帖数: 16 | 5 你好。
在用碳污染进行校正的时候，需要找到C-C的这个污染峰位，听别人说这个峰一般是最
强的，但是我的
材料是碳化硅，从我分的峰来看，最强的应该是Si-C才对。这个时候我该怎么找污染峰
呢？
半值幅都是一样吗？我觉得有机物的FWHM一般很大，而无机物的FWHM一般很小，也不知
道对不对。
【在 r******j 的大作中提到】
: 基本都是用C1s 285.4来进行校正整体谱图的位移（基本上所有样品都有，来源于炭污
: 染）。
: 基本上对于分峰，所有的峰的fwhm应该是大概相同的。fwhm跟所测量物质的表明物理状
: 态有很大关系。
: LG比 这个可以自己调，用来得到最好的分峰
: 分峰的时候，要根据峰的形状来分峰，不是根据文献来分峰
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r******j
发帖数: 780 | |
r******j
发帖数: 780 | |
t*****4
发帖数: 16 | 8 嗯，谢谢你。
你发的第二篇我看过。
感觉在不同的文章里面半值幅都不大一样。我想也许没有必要强度他的确定值。
我自己把峰分成了那样，解释起来很合理，就是不知道对不对。呵呵
【在 r******j 的大作中提到】
: http://www.springerlink.com/content/hw6q66556u13g457/fulltext.p
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