s******n
发帖数: 179 | 1 PHD即将毕业。专业是ECE device方向的，research主要做graphene和硅的集成，以及
各种device应用。组很小，所以几乎全套的工作都是我做的。做过fabrication，
characterization，modeling，reliability。比较懂device physics 和 fabrication
process。
另外，有过两次暑期实习经验。全在半导体公司。一次做process engineering，主要
是CMP modeling。第二次是device engineering，做device design，layout，测试。
主要是digital & analogy CMOS 和 BJTdevice，还有power device。
我个人学习能力比较强，基本上手都比较快。本科是学物理的，PHD转到ECE，快速上手
，4年多点，就把PHD搞定。journal和conference 一共10几篇。很多东西都是自学的，
所以个人能力请放心。
真心求refer。各大/小半导体公司。technology development的工作，最好是device... 阅读全帖 |
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H****E
发帖数: 444 | 2 小弟使用ACT.TRAN做杂志在多晶硅激活的仿真，BORON没有什么问题，ARSENIC却无法得
到正确结果，无论我把杂志浓度提高到多少，都是100%激活，怀疑是 minimun
activation concentration没有设对，看了半天manual还是云里雾里，有没有哪位用得
熟的大哥大姐给指点指点迷津！万分感谢！ |
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D*C
发帖数: 97 | 3 不知道有没有前辈有做过用tsuprem和davinci作device simulation，然后让TCAD
simulation的结果去match spice simulation的结果？有这方面的问题想请教一下。
谢谢～ |
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w********o
发帖数: 10088 | 4 Si的肯定没问题，十年前tsupreme就可以干这个了
sentaurus既然是从tsupremem和medici变过来的，应该也没啥问题
III-V的过了这么多年，也该能做了吧，毕竟只是物理参数不同 |
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s******n
发帖数: 179 | 5 【 以下文字转载自 JobHunting 讨论区 】
发信人: siriusan (天狼星), 信区: JobHunting
标 题: 诚心求教半导体工作refer
发信站: BBS 未名空间站 (Tue Nov 26 15:48:20 2013, 美东)
PHD即将毕业。专业是ECE device方向的，research主要做graphene和硅的集成，以及
各种device应用。组很小，所以几乎全套的工作都是我做的。做过fabrication，
characterization，modeling，reliability。比较懂device physics 和 fabrication
process。
另外，有过两次暑期实习经验。全在半导体公司。一次做process engineering，主要
是CMP modeling。第二次是device engineering，做device design，layout，测试。
主要是digital & analogy CMOS 和 BJTdevice，还有power device。
我个人学习能力比较强，基本上手都比较快。本科是学物理的，... 阅读全帖 |
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