r*****r
发帖数: 110 | 1 用AlGaAs做active layer是可以做红光LED,但是效率比InGaAlP差的不是一点点,因为
AlGaAs是间接带隙材料,InGaAlP是直接. |
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j****n
发帖数: 3465 | 2 谢谢楼上各位的热心！
其实也很简单，我们就是想做一个红光LED的结构，但是限于干法刻蚀设备的原因，
wafer结构里不能含In，是不是说就只能用AlGaAs做有源区了？AlGaAs的发光效率比
InGaAlP能差多少？（如果差的不是很大的话，我们也能接受）。另外，限于feature，
我们也不能把p型层设计得太厚，请教一下要怎么设计才能兼顾电学和光学两方面的要
求？ |
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w********o
发帖数: 10088 | 3 InGaAlP一般都lattice match么?如果是,换了AlGaAs reliability会不会有问题 |
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j****n
发帖数: 3465 | 4 好像这个材料系挺讨厌的，跟很多chemical都不compatible，因而在选择dry etch
mask上很受局限，不知道各位有经验的前辈们都是用什么材料做etching mask的？ |
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w********o
发帖数: 10088 | 5 SiN SiO2
你做干刻，这材料还不是一抓一把？
你这个材料湿刻也行吧 |
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j****n
发帖数: 3465 | 6 干刻完之后如何去掉SiNx, SiO2呢？用HF/BOE泡掉？HF/BOE不是也attack AlGaAs吗？ |
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j**y
发帖数: 7014 | 9 你查一下HF对SiNx/AlGaAs的selectivity
我印象中还是可以用的 |
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j****n
发帖数: 3465 | 10 什么叫“Cl2 strip SiNx”？你是说用Cl2刻蚀掉SiNx？ |
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j****n
发帖数: 3465 | 12 刻SiO2、SiNx不是都要用含F的气体吗？Cl2怎么能刻蚀SiO2, SiNx呢? |
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H*****l
发帖数: 702 | 15 加了cl2还有什么吃不掉？
Cr都被吃掉了，不用说SiNx了 |
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j****n
发帖数: 3465 | 16 你这么说就有点纯抬杠了，别说加Cl2，你就是纯用Ar打，也能吃掉SiNx啊 |
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b*******h
发帖数: 2585 | 17 不明白, Cl2本来是用来刻GaAs, SiN 用来做harmask,就是抵御
Cl2的.
现在你反而用Cl2来去harmask,GaAs怎么办?
用很软的SF6去SiN 或者SiO2很常见 |
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j****n
发帖数: 3465 | 18 这其实是个selectivity的问题，不存在绝对不被etch的材料。即使是用来做hardmask
的SiNx,SiO2也是多少能被Cl2刻蚀的，只不过与此同时，GaAs被Cl2 etch得更快些。 |
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a*******e
发帖数: 121 | 19 SiNx，BOE
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s**********2
发帖数: 305 | 20 Hi
我们实验室有RIE, 我刚刚还用CF4刻蚀了Si3N4 的膜，大概几百个nm吧应该（具体不清
楚，老板给你wafer，Si3N4 on SiO2.）这个刻蚀应该看 具体参数设置吧。
只是会用RIE，具体理论，还不太清楚，没做这方面research。
希望能有帮助。
hardmask |
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m*****n
发帖数: 166 | 21 depending on what thickness you want to etch, you can even use regular
photoresist to do the dry etch. Some photosensitive polymers, such as bcb,
polyimide, are also good choices.
All about selectivity!!!!
You can use CH4 and hydrogen to etch III-V materila typically. Ar can always
be added to stablize plasma and add some directionality in etching.
Using Cl2 and Ar can get very unisotropic profile. |
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m*****n
发帖数: 166 | 22 you sue oxygen plasma to ash the organic masks. |
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