s******u
发帖数: 17 | 1 SAW filter duplexer module方向好一些还是Hemt rf switching module哪块更好一些
？ |
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m*******2
发帖数: 293 | 2 当然是HEMT好了，后者算是IC模块集成了，前者算无源啊，就是SAW滤波器组成duplex
。后者比前者难多了。 |
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m*******e
发帖数: 119 | 3 FET is the general name for all field-effect devices, such as MOSFET, MESFET
, JFET, thin-film transistor, etc. HEMT, also called MODFET, is a sub-group
of FET. All FET devices uses electric field created by gate voltage to
control the conduction level between source and drain (that's why they are
called field effect transistor).
In traditional FET devices, the channel region is doped with impurities.
Carrier mobility is reduced due to scattering by the impurity ions. To
enhance carrier mobility |
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H*****l
发帖数: 702 | 4 人家也作HEMT和HBT阿
我最早知道cree是因为他们GaN power HEMT
反倒不是LED
别人和我说他们LED最出名，其实我觉得，还是HEMT比较有名
毕竟LED和solar cell一样，都是cheap没技术的东西
HEMT怎么说是transistor.. |
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A***N
发帖数: 219 | 5 Key word: integrated diamond heat spreaders, AlGaN/GaN, HEMTs, thermal
management, simulation.
Impact factor: 1.5~2
Please send me message with your background, and I will refer whoever
matches best.
有一位candidate的背景和这篇稿子的内容完全符合， 他PhD时是做 GaN HEMT devices
fabrication and modeling, 本科是学heat transfer, 做过device simulation and
thermal simulation。因此我把这篇审稿机会refer给他了。 |
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l*******e
发帖数: 1485 | 6 老板让数值模拟HEMT. 用现成的软件或者自己编程(matlab之类). 似乎silvaco里面有
软件是可以做HEMT模拟的。不过，这个软件很贵啊，似乎一年就得4000块？不会有教授
肯出这个钱吧？大家都怎么模拟的？ |
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c***u
发帖数: 843 | 7 个人工作过的领域:
1. Ohmic and Schottky contacts to wide band-gap semiconductors,p-n junctions
.
2. Degradation mechanism study of GaN based HEMTs
3. low-frequency noise, phase noise,and microwave properties of GaN based
HEMTs
4. Ferroelectric material BaSrTiO 3 based phase shifters and capacitors.
5. Ion implantation, defect study and p-type doping of wide band-gap
semiconductor zinc oxide (ZnO).
6. GaN based power electronics.
万分感谢! |
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A***N
发帖数: 219 | 8 Key word: integrated diamond heat spreaders, AlGaN/GaN, HEMTs, thermal
management, simulation.
Impact factor: 1.5~2
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有一位candidate的背景和这篇稿子的内容完全符合， 他PhD时是做 GaN HEMT devices
fabrication and modeling, 本科是学heat transfer, 做过device simulation and
thermal simulation。因此我把这篇审稿机会refer给他了。 |
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f***y
发帖数: 4447 | 9 http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2014/12/308814.shtm
碳化硅（SiC）单晶是一种宽禁带半导体材料，具有禁带宽度大，临界击穿场强大，热
导率高，饱和漂移速度高等诸多特点，被广泛应用于制作高温、高频及大功率电子器件
。此外，由于SiC和氮化镓（GaN）的晶格失配小，SiC单晶是GaN基LED、肖特基二极管
、MOSFET、IGBT、HEMT等器件的理想衬底材料。为降低器件成本，下游产业对SiC单晶
衬底提出了大尺寸的要求，目前国际市场上已有6英寸（150毫米）产品，预计市场份额
将逐年增大。
中国科学院物理研究所/北京凝聚态物理国家实验室（筹）先进材料与结构分析实验室
陈小龙研究组（A02组，功能晶体研究与应用中心）长期从事SiC单晶生长研究工作，团
队人员通过自主创新和探索，获得了SiC单晶生长设备、晶体生长和加工技术等一整套
自主知识产权。研发成功的2英寸SiC单晶衬底在国内率先实现了产业化，并相继研发成
功3英寸、4英寸SiC单晶衬底，实现了批量制备和销售。2014年11月，团队人员与北京
天科合达蓝光半导体有限公司合作，成功解... 阅读全帖 |
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发帖数: 1 | 10 美国禁售令使中兴公司,遭受了巨大的损失,其实禁售的只是民用芯片而已。那些
不卖的军用芯片，到底是什么芯片呢？看一看萨德导弹系统用了哪些芯片，我们可以一
探究竟。
主要组件构成如下：
CPU
飞思卡尔的PXXX系列芯片，英特尔公司的Xeon D处理器，使萨德系统的军事和航空航天
（雷达处理、情报通信和电子战）的高性能嵌入计算有了跨跃式进步，英特尔的Xeon D
全球最小的服务器可置于一块3U嵌入计算板、甚至一块COM快速夹层卡中。
EMCCD成像器件
英国e2v公司拥有30多年设计、开发和制造高性能成像解决方案的丰富经验，具备为太
空项目提供图像拍摄解决方案的专业技术，快速周转的定制电荷耦合原件（CCD），其
设计参考现有的大型功能单元库。电子倍增电荷耦合器件EMCCD，E2V在噪声控制技术上
优势明显， 据了解TI在处理速度上更胜一筹。
DSP
TI的商业处理器（包括单核和多核 ARM、DSP 及 ARM+DSP）非常适合国防和航空电子应
用，其中包括雷达、电子战、航空电子设备和软件定义无线电 （SDR）。DSP处理器支
持工业温度范围、片上存储器上的EC... 阅读全帖 |
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发帖数: 1 | 11 [转帖]从萨德采用的芯片看中美芯片的差距
美国禁售令使中兴公司,遭受了巨大的损失,其实禁售的只是民用芯片而已。那些
不卖的军用芯片，到底是什么芯片呢？看一看萨德导弹系统用了哪些芯片，我们可以一
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优势明显， 据了解TI在处理速度上更胜一筹。
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TI的商业处理器（包括单核和多核 ARM、DSP 及 ARM+DSP）非常适合国防和航空电子应
用，其中包括雷达、电子战、航空电子设备和软件定义无线电 （SDR）。DSP处... 阅读全帖 |
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发帖数: 1 | 12 美国禁售令使中兴公司,遭受了巨大的损失,其实禁售的只是民用芯片而已。那些
不卖的军用芯片，到底是什么芯片呢？看一看萨德导弹系统用了哪些芯片，我们可以一
探究竟。
主要组件构成如下：
CPU
飞思卡尔的PXXX系列芯片，英特尔公司的Xeon D处理器，使萨德系统的军事和航空航天
（雷达处理、情报通信和电子战）的高性能嵌入计算有了跨跃式进步，英特尔的Xeon D
全球最小的服务器可置于一块3U嵌入计算板、甚至一块COM快速夹层卡中。
EMCCD成像器件
英国e2v公司拥有30多年设计、开发和制造高性能成像解决方案的丰富经验，具备为太
空项目提供图像拍摄解决方案的专业技术，快速周转的定制电荷耦合原件（CCD），其
设计参考现有的大型功能单元库。电子倍增电荷耦合器件EMCCD，E2V在噪声控制技术上
优势明显， 据了解TI在处理速度上更胜一筹。
DSP
TI的商业处理器（包括单核和多核 ARM、DSP 及 ARM+DSP）非常适合国防和航空电子应
用，其中包括雷达、电子战、航空电子设备和软件定义无线电 （SDR）。DSP处理器支
持工业温度范围、片上存储器上的EC... 阅读全帖 |
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c**********0
发帖数: 836 | 13 应该是下面这个，中科院博士，北大博士后，日本留学，然后到美国。2011年后不知道
去哪了。
Biography
Yongqiang Wang received the Ph.D. degree in physics from the Institute of
Physics, Chinese Academy of Sciences, Beijing, China, in 1997.,From 1997 to
2001, he was involved with the development of opto-electronic integration of
Si-based nanometer material with the Department of Physics, Peking
University, and the Japan Fine Ceramics Center. Since 2001, he has been with
several universities in the U.S. as a Research Associate, including the
U... 阅读全帖 |
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c**********0
发帖数: 836 | 14 混的不错。感觉是嫌弃家里穷，不愿意和家里人又联系。
应该是下面这个，中科院博士，北大博士后，日本留学，然后到美国。
Biography
Yongqiang Wang received the Ph.D. degree in physics from the Institute of
Physics, Chinese Academy of Sciences, Beijing, China, in 1997.,From 1997 to
2001, he was involved with the development of opto-electronic integration of
Si-based nanometer material with the Department of Physics, Peking
University, and the Japan Fine Ceramics Center. Since 2001, he has been with
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e*d
发帖数: 107 | 15 出售34本美产原版英文教科书，全新、整洁干净、书页雪白，没有写一个字，开学买来
时大部分都是原价上一百到三百之间的。书太多就不拍照了，以出为主，每本价格比网
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02139附近，欢迎上门自取，波士顿地区地铁沿线可送货面交，支付现金。
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作者：by GARRETT & GRISHAM
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2.CHEMISTRY 化学
The Molecular Nature of Matter and Change 物质和变化的分子特性
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作者：by SILBERBERG
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ISBN号：0-69... 阅读全帖 |
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E*******3
发帖数: 9 | 16
III-V HEMT,二极管也做，用在RF和电力电子上 |
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A***N
发帖数: 219 | 17 Key word: integrated diamond heat spreaders, AlGaN/GaN, HEMTs, thermal
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w*******a
发帖数: 102 | 19 A promising power semiconductor startup has got good VC funding in China and
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up will design and manufacture wide-bandgap compound semiconductor power
device with superior performance and low cost.
We are seeking one technical partner in power device design and fabrication.
This candidate should be passionate, responsible, and has team-work spirit
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w*******8
发帖数: 57 | 21 A promising power semiconductor startup has got good VC funding in China and
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w*******a
发帖数: 102 | 22 A promising power semiconductor startup has got good VC funding in China and
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e*d
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e*d
发帖数: 107 | 31 版主请留情别删学生卖书贴：
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发帖数: 1 | 33 What Happened To GaN And SiC?
Early predictions were overly optimistic, but these technologies are
starting to make inroads.
About five years ago, some chipmakers claimed that traditional silicon-based
power MOSFETs had hit the wall, prompting the need for a new power
transistor technology.
At the time, some thought that two wide-bandgap technologies—gallium
nitride (GaN) on silicon and silicon carbide (SiC) MOSFETs—would displace
the ubiquitous power MOSFET. In addition, GaN and SiC were suppos... 阅读全帖 |
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d*********e
发帖数: 3835 | 34 Responsibilities
• Lead reliability work and qualification of wavelength tunable laser
chip and package. • Effectively communicate reliability of complex,
new type of laser chip to customers • Failure Reliability, and
Materials Characterization in Semiconductor Process Development,
Manufacturing, and Reliability Qualification.
• Experience in Semiconductor technology: CMOS, III-V, HEMT, Lasers,
IR Detectors, Power Diodes, AMLCD Skills/Experience:
• Root Cause Analys |
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b**d
发帖数: 7 | 35 Usually these devices are for microwave applications.
There should be a lot of books about them in library.
just do not know why you can not find them.
For good theory, Michael Shur is recommended. |
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w*********s
发帖数: 282 | 37 国内硕士，做Si基材料的
两个offer：
Notre Dame，改行做GaN材料和器件，HEMT为主，年轻中国女老板，和印度老板一起夫
妻俩，干活应该比较Push；
UCR学校排名比较靠后，组里大多数中国人，过去的话还做Silicon，在那边的同学讲四
年就能毕业，工作也不难找，就是第一年fellowship才一万一，仅够生活吧。
大虾们帮忙参考一下，有没有什么建议啊！多谢！ |
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s**L
发帖数: 61 | 38 我面试了一圈下来，东海岸到西海岸，如果你是DEVICE的MASTER,ENTRY LEVEL基本就是
做测试，只要是基于半导体的，比如laser, led, or hemt。
光电方向，现在就看SSL和SOLAR了，和以前fiber火的时候很相似。不知道各位前辈有
什么看法。今年OFC终于开始推40G了，但是这一波过了，下一春不知道又要等多少年。
做LED看来还不错，飞利浦收购COLOR KNETICS实在的火了一把。 |
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H*****l
发帖数: 702 | 39 你说的这个是长在什么上面的？
GaN on silicon?
我是做Silicon的，AMCVD/PECVD is enough...
#不过问一句，不是说MBE sucks,现在大家都转MOCVD了，因为说句MBE温度太低？（不
懂这句话的意思。。。。）
#MBE做ED好
但是，GaN HEMT的几个记录都是MOCVD做出来的？！ |
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H*****l
发帖数: 702 | 40 Cree 不是人呆的地方。。。
我做GaN power 或者高速 HEMT的同学都转silicon or SiC:XH了 |
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H*****l
发帖数: 702 | 41 两个师兄，一个PhD，一个MS，都不是green card或者us citizen
都拿到cree在NC site的offer了
不过都没去，一个去AMAT，一个去Intel了
Cree的CA site作HEMT的部门也说可以support H1B visa
Cree说要green card只不过是它的很多contract是military的，如果招了一个green
card的，那一个人什么contract都可以做
同样的情况，USO也一样，一开始要green card和us citizen,因为是DOE和AF的
contract
现在逐渐松口，到开春，已经说support H1B是possible的了
That is it |
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L*******y
发帖数: 231 | 42 我用过TCAD, 它的example文件里就有HEMT的器件仿真，GaAs 和 GaN 的. |
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w********o
发帖数: 10088 | 43 btw,电驴上有comsol，也可以算hemt，就是你得自己写公式 |
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H*****l
发帖数: 702 | 44 我看法？
学校的研究方向
nano scale silicon/SiGe MOSFET (Dual Fet,fin fet...)> Silicon/SiGe Memory>
III-V (MOSFET, HEMT,HBT...)(有绿卡的话无敌阿)transistor > solar cell> LED(太
累，技术很容易外流）> all other things |
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F*********n
发帖数: 52 | 45 一般duplexer或者switch的isolation可以达到多少呢？50dB? |
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m*******2
发帖数: 293 | 46 duplexer做到60DB一点问题都没有，尤其是SAW的，但是问题是可以承受的power很小的。
pHEMT switch还是有难度的，尤其是harmoncis会很难降低，很多人设计的时候，还要
加外置滤波器。 |
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d*******d
发帖数: 3382 | 47 depends on the insertion loss you can accept... |
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c********6
发帖数: 3483 | 48 难多了也谈不上吧，只是做active的感觉会比做passive的好一些
duplex |
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l*******e
发帖数: 1485 | 49 俩牛儿都现身了，赶紧顺路问个问题。
我用那个1d possion 仿真AlGaAs/GaAs HEMT, 就是直接用软件默认值，出来个能带图
。我所不明白的是：
1. 这个是无偏置电压对吧？
2. 这个Ec-Ef怎么才只有不到0.2eV? 这个难道不是无掺杂GaAs能带间隙的一半吗？也
就是（Ec-Ef）=Eg/2=1.42/2=0.71eV ?
3. 这个Ef 是由偏置电压Va来决定 Ef=Ef_metal-q*Va, 那么相应的Ec_GaAs如果不是由
Eg/2来决定，应该由什么来决定呢？
问题有点多啊，困扰我好几天了，烦请两位给指导一下。 |
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h*******a
发帖数: 184 | 50 想对各种器件（MESFET，HEMT,CMOS，GaAs HBT,SiGe HBT， Si BJT 等）进行一下RF方
面各种性能的比较。找到了其他的器件的非线性模型，就是找不到GaAs HBT（如GaAs
InGaP）的非线性模型或design kit. 谁有？先谢了！ |
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