l*****1
发帖数: 137 | 1 我有一个问题请教:
请先看附件中的简图，GaAs单量子阱样品, 样品温度保持在40K, 用能量对应于量子阱
的重空穴吸收峰的光子激发GaAs单量子阱，可以在量子阱中激发出激子（exciton），
我的问题是，光子的wave vector （k） 是否全部传递给了激子？如果是的话，激子的
in plane wave vector 应该是k// = k sinθ，这种理解是否正确？
我现在有一个实验，需要在GaAs单量子阱中生成具有一定in plane wave vector的激子
，我希望这个in plane wave vector是可以控制的，上面提到的是我现在的想法。即使
我的想法是对的，也不完美，因为这种方法生成的激子in plane wave vector有一个极
限，不会很大。哪位有更好的方法，可以在GaAs点量子阱中生成可控in plane wave
vector的激子。 |
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h*******a
发帖数: 184 | 2 想对各种器件（MESFET，HEMT,CMOS，GaAs HBT,SiGe HBT， Si BJT 等）进行一下RF方
面各种性能的比较。找到了其他的器件的非线性模型，就是找不到GaAs HBT（如GaAs
InGaP）的非线性模型或design kit. 谁有？先谢了！ |
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j****n
发帖数: 3465 | 3 请问各位GaAs大牛，做GaAs/AlGaAs干法刻蚀的时候都用什么材料做mask？如果用oxide
的话，如何去调？直接在BOE中泡掉么？BOE会腐蚀GaAs/AlGaAs么？ |
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j****n
发帖数: 3465 | 4 最近做工艺做得很烦，我用Au etchant洗掉GaAs衬底上的p电极（）时，发现有些地方
好象是被腐蚀了，但不敢确定，特地上来请教一下前辈们，Au etchant是不是attack
GaAs啊？谢了！ |
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b*******h
发帖数: 2585 | 5 不明白, Cl2本来是用来刻GaAs, SiN 用来做harmask,就是抵御
Cl2的.
现在你反而用Cl2来去harmask,GaAs怎么办?
用很软的SF6去SiN 或者SiO2很常见 |
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w********o
发帖数: 10088 | 6 【 以下文字转载自 EE 讨论区 】
发信人: wokaowokao (GaN), 信区: EE
标 题: 版上有谁做GaAs HBT器件processing并且正在找工作的？
发信站: BBS 未名空间站 (Mon Jun 13 15:45:53 2011, 美东)
职位process development engineer
可以联系我，master和phd都行
公司在东海岸，需要7-8月可以开始工作的 |
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c***u
发帖数: 843 | 7 【 以下文字转载自 EE 讨论区 】
发信人: cyzhu (anomalous), 信区: EE
标 题: 版上有做GaAs transistor (RF)之类的device engineer的吗?
发信站: BBS 未名空间站 (Thu Sep 26 10:11:10 2013, 美东)
有猎头要招人. |
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c*******e
发帖数: 38 | 8 有份工作需要下面3项的经验。
谁能给扫下盲这3项都需要懂什么或是有好的网站推荐？
谢谢
我自己搜了下，好像都说的很模糊....
Required Experience
Generally Accepted Accounting Principles (GAAP)
Generally Accepted Auditing Standards (GAAS)
Internal Audit Standards and GAGAS |
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s**t
发帖数: 6 | 9 Si has an excellent dielectric layer SiO2 while GaAs does not have. this is
one of the fundamental difference:)) |
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y*****i
发帖数: 72 | 11 你说的是深圳那个Centuary Epi？
国内的世纪英才好像是做GaAs的 |
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p***o
发帖数: 102 | 12 请问有那家公司做技术上成型的GaAs ADC?
需要一两个大公司的产品代号即可.
我可以之后去他们网站查详细信息
谢谢! |
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c********n
发帖数: 258 | 13 从一个公司买的一批GaAs wafer.
告诉我wafer的orientation是 '2 toward [110] ± 0.5',
而wafer上面的major flat是 EJ(0-1-1)+-0.02°.
不知道是不是我理解有问题,我觉得好像有点对不上啊:
如果wafer是(110), 或者说wafer面的法线是[110]方向的话,
那么flat 的方向如果是[0-1-1], 这个矢量岂不是不在(110)面上了吗?
[0-1-1]这个矢量跟 [110]这个法线都不垂直啊.
(这里我假设flat方向是指flat那条横线的方向,没假设错误吧?) |
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j****n
发帖数: 3465 | 14 我现在遇到的问题不是selectivity的问题，而是在我用oxide做mask以后，用BOE去掉
oxide时，发现BOE居然会腐蚀GaAs/AlGaAs。 |
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e****t
发帖数: 203 | 15 我没做过GaAs的
但用PECVD可以去掉si dioxide, 且不会腐蚀GaSb (也有可能是腐特别慢)
BOE腐蚀性太强,选择性极弱 |
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j****n
发帖数: 3465 | 16 我就说呢，每次dry etch完GaAs后，扔到BOE里面去oxide的时候，都发现表面变花了，
靠，早点知道就好了。BOE attcks AlGaAs是不是常识啊？我怎么连这个都不知道？ |
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s******p
发帖数: 4962 | 17 kinds of
我就说呢，每次dry etch完GaAs后，扔到BOE里面去oxide的时候，都发现表面变花了，
靠，早点知道就好了。BOE attcks AlGaAs是不是常识啊？我怎么连这个都不知道？ |
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j****n
发帖数: 3465 | 18 我以前是做InP的，用Au etchant的时候都没发现腐蚀半导体的问题，这次做GaAs麻烦
大了。 |
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j******h
发帖数: 308 | 19 我没做过GaAs
我们一般要去掉metal contact，如果是平的就直接polish，如果不能polish的，就用b
rush |
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w********o
发帖数: 10088 | 20 最近玩这个，发现不靠谱
InGaP/GaAs结构的band diagram模拟出来尽然是type-II的junction，算p-n节的
depletion width也差老鼻子了，跟手动套公式算的差太多
另外meshing也很tricky，动不动就不converge。写信给silvaco公司的人，把结构发给
他们，让他们算。今天收到回信，用附件的script跑了一遍，current算出来比实际情
况高了1e5倍，太不靠谱了。band diagram问题还是没结局。 |
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H*****l
发帖数: 702 | 21 他们到现在就是 GaAs 和GaP的 diffusion 模型靠谱把 |
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j****n
发帖数: 3465 | 22 这其实是个selectivity的问题，不存在绝对不被etch的材料。即使是用来做hardmask
的SiNx,SiO2也是多少能被Cl2刻蚀的，只不过与此同时，GaAs被Cl2 etch得更快些。 |
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r******o
发帖数: 1851 | 23 GaAs还挺多人做过吧， Wocaowocao是大牛， |
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r******o
发帖数: 1851 | 24 GaAs还挺多人做过吧， Wocaowocao是大牛， |
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w********o
发帖数: 10088 | 25 人家也招GaN的，你去吧
我现在又不搞GaAs了 |
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a*****e
发帖数: 4577 | 26 好像F_1u是IR active的
但是这个F_1u是指的光学声子吗？
对于砷化镓来说
BTW, GaAs是金刚石结构 |
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a*******r
发帖数: 7558 | 27
GaAs是闪锌矿结构, 不里渊中心点有一个三重简并的F2模，
既是raman也是IR活性。 |
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l*****1
发帖数: 137 | 28 哪位达人知道哪里能买到厚度小于0.1mm，且双面抛光的GaAs基片？ |
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p***o
发帖数: 102 | 29 请问有那家公司做技术上成型的GaAs ADC?
需要一两个大公司的产品代号即可.
我可以之后去他们网站查详细信息
谢谢! |
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J*******3
发帖数: 1651 | 31 【开发故事】引言：20世纪的伟大发明——高亮度蓝色发光二极管
2010/03/29 00:00
高亮度蓝色发光二极管之父：中村修二
20世纪90年代中期使得超过人类身高的超大屏幕全彩显示器成为可能、2000年前后
又为手机屏幕彩色化做出贡献的，就是高亮度蓝色发光二极管。蓝色发光二极管技术还
成为了开发蓝色激光器的基础，其实用化使得录制高清节目的蓝光成为现实。高亮度蓝
色LED通过与红色和绿色LED组合便可制造出各种颜色，接踵而来的便是促生出取代白炽
灯和荧光灯的新一代节能照明巨大市场。
日本的企业及大学为开发高亮度蓝色LED做出了巨大贡献。在GaN LED的研究阶段，
名古屋大学赤崎勇教授（现为名城大学特聘教授）领导的研究小组取得了出色的成果。
在之后的实用化及高亮度化阶段，日亚化学工业的中村修二（现为美国加州大学圣塔芭
芭拉分校教授）发挥了重要作用。1995年1～3月《日经电子》连续报道了中村从GaN类
蓝色LED的研究开始到产品化为止的故事，此次本站将刊登该系列报道，希望能向读者
展现在该技术开发过程中，技术人员的艰辛与快乐。
【开发故事】高亮度蓝色发光二极管开发（二）：设备需自制... 阅读全帖 |
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g*********n
发帖数: 808 | 32 GaAs vs. Si from wikipedia
Comparison with silicon
GaAs advantages
Some electronic properties of gallium arsenide are superior to those of
silicon. It has a higher saturated electron velocity and higher electron
mobility, allowing gallium arsenide transistors to function at frequencies
in excess of 250 GHz. Unlike silicon junctions, GaAs devices are relatively
insensitive to heat owing to their wider bandgap. Also, GaAs devices tend to
have less noise than silicon devices, especially at high fre... 阅读全帖 |
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J*******3
发帖数: 1651 | 33 太阳能转换效率研究回顾分析与未来展望
导读：
我国太阳能光电化学转换的研究以实现低价高效利用太阳能为目标，二十年来在不同材
料体系中研究了上百种材料，大大促进了光电转换材料特别是多晶、薄膜半导体及新一
代纳米结构半导体和有机／半导体复合材料的发展。
引言
进入二十世纪以来，人类的工业文明得以迅猛发展，由此引发的能源危机和环境污
染成为急待解决的严重问题，利用和转换太阳能是解决世界范围内的能源危机和环境问
题的一条重要途径。世界上第一个认识到光电化学转换太阳能为电能可能实现的是
Becquere1，他在1839年发现涂布了卤化银颗粒的金属电极在电解液中产生了光电流，
以后Brattain、Garrett及Gerisher等人先后提出和建立了一系列有关光电化学能量转
换的基本概念和理论，开辟了光电化学研究的新领域。1972年Honda和Fujishima应用n-
TiO2电极成功的进行太阳能光分解水制氢，使人们认识到光电化学转换太阳能为电能和
化学能的应用前景。从此，以利用太阳能为背景的光电化学转换成为一个非常活跃的科
学研究前沿。光电化学太阳电池的一个突出的特点是材料制备工艺简单，即使应... 阅读全帖 |
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T****n
发帖数: 6187 | 34 空口喷球王的可以歇歇了，看看人家怎么分析的
========================
内特·西尔弗（Nate Silver）是个天才数据分析师，曾经在2012年美国总统大选中准
确预测了50个州的选举结果，并为了预测棒球选手的成绩而开发了统计工具PECOTA。就
是这个内特·西尔弗，新创办了一个使用统计数据来分析所有现象的新闻网站
FiveThirtyEight。近日，该网站的体育数据分析师兼作家Benjamin Morris，在彻底分
析了有关里奥内尔·梅西这个被认为是当今世界NO.1的足球运动员的各种数据后发现，
梅西身上兼具通常不可能并存的要素，简直是个奇迹般的球员。
梅西成为职业球员后，就一直效力于巴塞罗那足球俱乐部（以下简称“巴萨”）和阿根
廷国家队，至今出战了515场比赛，共踢进了396粒进球，四次赢得授予年度最优秀足球
运动员的“金球奖”（2010年起国际足联世界足球先生和金球奖合并为“国际足联金球
奖”）。即使现正在进行中的2014年巴西世界杯，他在小组赛的所有三场比赛中都有进
球，把阿根廷国家队带进了淘汰赛阶段。
根据FiveThirtyEight网站的分析，... 阅读全帖 |
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H*****l
发帖数: 1257 | 35 版上前几天有个号称拿数据说话的人，自己摸摸脸看看肿了没？
数据帝来告诉你：梅西究竟厉害在哪里？
译者：linuxor原文作者：Gigazine.net
发布：2014-07-05 07:42:33挑错 | 查看译者版本 | 收藏本文
内特·西尔弗（Nate Silver）是个天才数据分析师，曾经在2012年美国总统大选中准
确预测了50个州的选举结果，并为了预测棒球选手的成绩而开发了统计工具PECOTA。就
是这个内特·西尔弗，新创办了一个使用统计数据来分析所有现象的新闻网站
FiveThirtyEight。近日，该网站的体育数据分析师兼作家Benjamin Morris，在彻底分
析了有关里奥内尔·梅西这个被认为是当今世界NO.1的足球运动员的各种数据后发现，
梅西身上兼具通常不可能并存的要素，简直是个奇迹般的球员。
Lionel Messi Is Impossible | FiveThirtyEight
http://fivethirtyeight.com/features/lionel-messi-is-impossible/
梅西成为职业球员后，就一直效力于巴塞罗那足球俱乐部（... 阅读全帖 |
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H***z
发帖数: 582 | 36 陈涌海，1967年生，北大物理系86级学生，科学家乐手，中科院半导体所半导体材
料科学重点实验室主任、博士生导师，杰出青年基金获得者。 主要从事半导体低维结
构材料偏振光学、应变自组装量子点（线）材料和器件、半导体自旋电子学等研究，主
持了国家973、自然科学基金等多项研究课题。在Phys. Rev. B，Appl. Phys. Lett.等
刊物发表论文80余篇。 研究量子、纳米之余，弹琴复长啸，纵情民谣中。在校期间，
与许秋汉、杨一等同道中人组建未名湖乐队。代表作《将进酒》。
取得的主要学术成绩：用偏振反射差分光谱（RDS）研究了GaAs/Al(Ga)As、InGaAs
/GaAs、InGaAs/InP等（001）面量子阱的平面内光学各向异性，得到了一系列国际上尚
无报道的新结果，证实了该技术很适合用于表征半导体异质材料界面有序结构、原子偏
析、界面化学键组成等界面性质；利用连续介质模型计算了应变自组装量子线周围的应
力场，很好地解释了量子线斜对准现象；利用图形化柔性层、低温生长柔性层以及注氢
柔性层等技术获得了柔性衬底材料，并探讨了柔性衬底在缓解应变方面的物理机制；近
十年在... 阅读全帖 |
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J*******3
发帖数: 1651 | 37 我国半导体物理研究进展
夏建白 黄 昆
半个世纪以来，半导体的研究在当代物理学和高技术的发展中都占有突出的地
位.这是因为半导体不仅具有极其丰富的物理内涵，而且其性能可以置于不断发展的精
密工艺控制之下.传统的晶体管、集成电路以及很多其他半导体电子元件都是明显的例
证.半导体超晶格和微结构则是近年来开拓的新领域，它在一个新的水平上体现了以上
半导体的特点，这个领域的开拓正有力地推进半导体研究和新一代高技术的发展.
除了半导体超晶格和微结构以外，表面、界面和杂质、缺陷是半导体物理的两个传
统研究领域，研究历史较长.这两个领域都是和半导体材料、器件性能的改善有密切的
联系，因此预期今后将继续发展下去.表面、界面方面最突出的进展是扫描隧道缇档姆
⒚鳎挠τ靡言对冻隽吮砻婧徒缑姹旧淼姆段?
半导体材料是半导体物理研究的基础，半导体新材料、新结构的研制成功大大促进
了半导体物理研究.生长半导体超晶格材料的分子束外延等技术是超晶格领域能够形成
并不断发展的基础.最近，多孔硅、C60、GaN等每一种材料的... 阅读全帖 |
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c******7
发帖数: 1177 | 38 我有个GaAs的样品, Silicon doped, 从substrate向表面层的掺杂情况如下
Substrate
AlAs: 5nm
GaAs: intrinsic, 50 nm
GaAs: Si, 5*10exp(16), 2000 nm， (信号层)
GaAs: Si, gradient change between two layers, 15 nm
GaAs: Si, 5*10exp(18), 15 nm
我想模拟在低温下（实验是在4 K) 信号层的Fermi level, 以及内部电场分布。
我用的是simWindows，只能模拟到150 K;从300 K 到150 K的变化中，Fermi level越来
越靠近导带能级。是不是到了4 K，Fermi level可以到导带之上？
不知道有没有人有更好的模拟软件，能计算低温下的能带分布，先谢谢了：） |
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x****y
发帖数: 1853 | 39 咱们就继续鄙视材料和化学吧。
原文
材料学的水平极大程度决定一个国家的最高新科技的水平。好的装甲需要好材料，导弹
的外壳需要好材料，飞机发动机叶片需要更优异的材料，最高精尖的军用雷达半导体元
器件也需要更好的材料。
而在材料方面，日本已经甩开了第二名美国极大的身位，剩下的俄罗斯中国之类已经远
远不在一个档次，这里以人类的最高精尖的三种材料技术——制作洲际弹道导弹喷管和
壳体以及飞机骨架的高强度碳纤维材料；制作最高性能主动相控阵军用雷达的宽禁带半
导体收发组件材料；制作最新式涡轮发动机涡轮叶片的高性能单晶叶片。
三种顶级科技说明日本远远领先于其他地球国家的最顶级科技。
1,首先是最新式的涡轮发动机叶片的五代单晶材料。
因为涡轮叶片工作环境极为恶劣，并且要在极度高温高压下保持数万转的高转速，所以
对于高温高压下的抗蠕变性能的要求是非常高的。这个目前科技最好的解决方法就是让
晶体约束朝一个方向伸展，使其材料相比于常规材料来说无晶界，这可以大大提升高温
高压下的强度和抗蠕变性能。
[ 转自铁血社区 http://bbs.tiexue.net/ ]
目前人类科技的单晶材料共有五代。
我们可以发现... 阅读全帖 |
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f***y
发帖数: 4447 | 40 http://laoyaoba.com/ss6/html/09/n-624609.html
中国LED产业持续快速发展，龙头受益集中度提升国内LED市场规模近年来迅速发展，
2015年达到4245亿元，同比增长21%，仍然保持较高的增速。LED行业持续多年的价格战
告一段落，绝大多数厂商已经退出(根据瑞银预计，目前中国能够大规模量产LED芯片的
企业约为10家左右)，今年出现芯片价格企稳的迹象，甚至某些种类芯片出现涨价的情
况，行业格局逐步优化。另外，MicroLED为新的应用领域，一旦技术成熟将大规模拉动
对于LED芯片的需求量。
三安光电是国内LED外延片、芯片的绝对龙头，目前其芯片产销规模和产能稳居全国第
一，位居全球前三。公司在规模、技术、成本方面具备优势，是LED产业集中度提升的
最大受益者。今年上半年，受惠于小间距LED显示屏需求增加，LED芯片价格企稳回升，
行业基本面好转，三安光电抓住机遇持续扩张产能，未来有望超越晶电成为LED芯片制
造领域的霸主，具有份额提升+毛利率提升的双重逻辑。
公司布局化合物半导体，把握二次创业化合物半导体主要包括以GaAs为代表的第... 阅读全帖 |
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n**e
发帖数: 2026 | 41 川普总统的首次国会演讲得到广泛的赞许。然而，人们很快就知道，这篇演讲稿的捉刀
人是第一女儿伊万卡。尽管伊万卡为川普总统设计的包装博得一片叫好，却丝毫不能改
变这篇演讲的反理性本色。比如，911以来在美国发生的杀人事件主要是移民犯罪还是
本土犯罪？美国公司境外建厂是输出财富还是攫取财富？美国是不平等贸易的受害者还
是制造者？奥巴马医保法案是灾难还是得到多数人民的拥护？
在川普看来，全世界都在变着法欺负美国，抢劫美国。包括中国伊朗墨西哥朝鲜这些企
图搞垮美国的敌人。也包括欧洲，澳洲，加拿大，日本韩国这些整天想占美国便宜的所
谓朋友。也许只有聪明的俄国人一直在暗中帮助美国。如今的美国已经是国破山河在，
城荒草木深。而客观现实与川普的认知完全是相反的。这篇文章就单说说川普演讲中颇
为扇情的梅根父亲制药救儿的故事。引号中都是川普演讲的原文中译。
『梅根被诊断患有庞贝氏症，一种罕见的重疾，她当时只有15个月大。医生认为她活不
过5岁。得知这一噩耗后，梅根的爸爸约翰，倾尽所有去拯救自己宝贝孩子的生命。他
建立了一家公司来找寻治愈方案并协助研发了拯救梅根的药方。今天梅根已经20岁了，
在圣母大学读大学... 阅读全帖 |
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发帖数: 1 | 42 由第三代半导体电力电子技术路线图引发的思考
半导体行业观察
半导体行业观察
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2018-08-07 12:03:27 字号：A- A A+ 来源：“半导体行业观察”微信公众号
关键字: 路线图第三代半导体电子技术路线图中国科学院
【文/ 微信公众号“半导体行业观察” 张健】
7月31日，国内首个《第三代半导体电力电子技术路线图》正式发布。该路线图是由第
三代半导体产业技术创新战略联盟组织国内外众多大学、科研院所、优势企业的知名院
士、学者和专家，历时1年多共同编写而成。
据悉，《第三代半导体电力电子技术路线图》围绕电力电子方向，主要从衬底/外延/器
件、封装/模块、SiC应用、GaN应用等四个方面展开论述，提出了中国发展第三代半导
体电力电子技术的路径建议和对未来产业发展的预测。
半导体产业进入第三个阶段
半导体产业发展至今经历了三个阶段，第一代半导体材料以硅（Si）为代表，以砷化镓
（GaAs）为代表的第二代半导体材料和以氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）、氧化锌（
ZnO）等宽禁带为代表的第三代半导体材料。相较前两代产品，第三代半导体的性能优
势非常... 阅读全帖 |
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b**d
发帖数: 7 | 43
No, the two fabrication precesses are quite different.
GaAs for example has no good passivation layer unlike SiO2 for Si.
So MOS structure is difficult to achieve on GaAs.
For III-V integrate circuit, MESFET is dominant.
In addition, III-V materials are less thermally-stable than Si, this also
lead to quite processing techinque.
by the way, I have to mention compound are not alloy as you said, although
GaAs is relatively more difficult than Si to get, now good quality GaAs
crystal are available |
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s*********i
发帖数: 107 | 44 材料学的水平极大程度决定一个国家的最高新科技的水平。好的装甲需要好材料，导弹
的外壳需要好材料，飞机发动机叶片需要更优异的材料，最高精尖的军用雷达半导体元
器件也需要更好的材料。
而在材料方面，日本已经甩开了第二名美国极大的身位，剩下的俄罗斯中国之类已
经远远不在一个档次，这里以人类的最高精尖的三种材料技术——制作洲际弹道导弹喷
管和壳体以及飞机骨架的高强度碳纤维材料；制作最高性能主动相控阵军用雷达的宽禁
带半导体收发组件材料；制作最新式涡轮发动机涡轮叶片的高性能单晶叶片。
三种顶级科技说明日本远远领先于其他地球国家的最顶级科技。
1,首先是最新式的涡轮发动机叶片的五代单晶材料。
因为涡轮叶片工作环境极为恶劣，并且要在极度高温高压下保持数万转的高转速，所以
对于高温高压下的抗蠕变性能的要求是非常高的。这个目前科技最好的解决方法就是让
晶体约束朝一个方向伸展，使其材料相比于常规材料来说无晶界，这可以大大提升高温
高压下的强度和抗蠕变性能。
目前人类科技的单晶材料共有五代。
我们可以发现，越到后面一代，已经没有美国和英国的影子了，老毛子那更是不知
道甩到猴年马月去了。如果说四代单晶还有法国... 阅读全帖 |
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s*********i
发帖数: 107 | 45 材料学的水平极大程度决定一个国家的最高新科技的水平。好的装甲需要好材料，导弹
的外壳需要好材料，飞机发动机叶片需要更优异的材料，最高精尖的军用雷达半导体元
器件也需要更好的材料。
而在材料方面，日本已经甩开了第二名美国极大的身位，剩下的俄罗斯中国之类已
经远远不在一个档次，这里以人类的最高精尖的三种材料技术——制作洲际弹道导弹喷
管和壳体以及飞机骨架的高强度碳纤维材料；制作最高性能主动相控阵军用雷达的宽禁
带半导体收发组件材料；制作最新式涡轮发动机涡轮叶片的高性能单晶叶片。
三种顶级科技说明日本远远领先于其他地球国家的最顶级科技。
1,首先是最新式的涡轮发动机叶片的五代单晶材料。
因为涡轮叶片工作环境极为恶劣，并且要在极度高温高压下保持数万转的高转速，所以
对于高温高压下的抗蠕变性能的要求是非常高的。这个目前科技最好的解决方法就是让
晶体约束朝一个方向伸展，使其材料相比于常规材料来说无晶界，这可以大大提升高温
高压下的强度和抗蠕变性能。
目前人类科技的单晶材料共有五代。
我们可以发现，越到后面一代，已经没有美国和英国的影子了，老毛子那更是不知
道甩到猴年马月去了。如果说四代单晶还有法国... 阅读全帖 |
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f***y
发帖数: 4447 | 46 https://news.mydrivers.com/1/661/661427.htm
目前全球最先进的半导体工艺已经进入7nm，下一步还要进入5nm、3nm节点，制造难度
越来越大，其中晶体管结构的限制至关重要，未来的工艺需要新型晶体管。来自中科院
的消息称，中国科学家研发了一种新型垂直纳米环栅晶体管，它被视为2nm及以下工艺
的主要技术候选，意义重大。
从Intel首发22nm FinFET工艺之后，全球主要的半导体厂商在22/16/14nm节点开始启用
FinFET鳍式晶体管，一直用到现在的7nm，未来5nm、4nm等节点也会使用FinFET晶体管
，但3nm及之后的节点就要变了，三星在去年率先宣布3nm节点改用GAA环绕栅极晶体管。
根据官方所说，基于全新的GAA晶体管结构，三星通过使用纳米片设备制造出了MBCFET
（Multi-Bridge-Channel FET，多桥-通道场效应管），该技术可以显著增强晶体管性
能，主要取代FinFET晶体管技术。
此外，MBCFET技术还能兼容现有的FinFET制造工艺的技术及设备，从而加速工艺开发及
生产。
前不久三星还公布了3nm工... 阅读全帖 |
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x****y
发帖数: 1853 | 47 之前在大盘崩溃的时候说60可以捞。没人相信。 现在盘后67。
再讲讲我对这个公司做的研究:
1. Apple factor:
14年swks 38% revenue来至aapl. 15年据估计减到28%. swks管理层已经把降低apple
dependency作为最主要的goal.看看他们的Q1 highlight:
Q1 Business Highlights
• Commenced volume shipments of telematics solutions at Volkswagen
• Secured first mass production of vehicle-to-vehicle communications
sockets at GM
• Supported Google Chromecast and Roku set-top boxes for streaming
applications
• Won multiple sockets in flagship smartphone platforms at S... 阅读全帖 |
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x****y
发帖数: 1853 | 48 之前在大盘崩溃的时候说60可以捞。没人相信。 现在盘后67。走完这个W底，补上75
的gap。
再讲讲我对这个公司做的研究:
1. Apple factor:
14年swks 38% revenue来至aapl. 15年据估计减到28%. swks管理层已经把降低apple
dependency作为最主要的goal.看看他们的Q1 highlight:
Q1 Business Highlights
�6�1 Commenced volume shipments of telematics solutions at
Volkswagen
�6�1 Secured first mass production of vehicle-to-vehicle
communications
sockets at GM
�6�1 Supported Google Chromecast and Roku set-top boxes for
streaming
applications
�6�... 阅读全帖 |
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g******i
发帖数: 581 | 49 杨振宁 国立西南联合大学-学士(1942),硕士(1944)
1957年以中华民国公民身份获得诺贝尔物理学奖，1986年获美国国家科学奖章，1993年
获本杰明.富兰克林奖章，1995年获 爱因斯坦奖章，与李政道提出弱相互作用中宇称不
守恒.与罗伯特·米尔斯一道提出了杨-米尔斯理论，即非阿贝尔规范理论，对基础物理
学产生了深远的影响，是粒子物理学的标准模型的基础
李政道 国立浙江大学物理系/国立西南联合大学-学士 芝加哥大学博士
1957年以中华民国公民身份与杨振宁以弱作用下宇称不守恒的的发现获得诺贝尔物理学奖
吴健雄 国立中央大学数学/物理学士，先后在国立浙江大学,中央研究院物理研究所工
作美国国家科学院院士 美国国家科学奖章获得者，沃尔夫奖获得者，曾任美国物理学
会会长
1957年验证杨振宁李政道的“弱相互作用下的宇称不守恒”，1963年实验证明“β 衰
变在矢量流守恒定律”
在制造原子弹的“曼哈顿计划”中解决了链式反应无法延续的重大难题
被美国物理学会宣布为最伟大的实验物理学家之一
Madam Wu is arguably the most admired female sci... 阅读全帖 |
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h****i
发帖数: 302 | 50
CMP or post-packaging belongs to processing.
If only for the cost of substrate, it is really very small.
You are both not right.
Actually the satuation velocity of GaAs is only several times lager than Si.
The fact is the critical field for the electron to reach saturation velocity
in the two materials is quite different. For GaAs, about 4kV/cm, but for Si,
it needs >20KV/cm.
The package density of GaAs devices is quite low compared with Si. he means
MMIC. |
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