x****g
发帖数: 2000 | 1 谢谢。。
1.工作，仿真过,原来是有start-up电路的，不过我在图里面删掉了.
2.我用+,-2.5V双电源
3.AMI0.6 NWell，N well接最低电压Vss
3.sorry, diode的没有标注，1:8
4.叫不叫psrr没关系，测的是Vdd到Iout的传输函数
do
倍， |
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y****y
发帖数: 179 | 2 用tecplot检查过mesh的样子么？
Manual里面应该有PN diode example, just copy it and run，应该没问题啊... |
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gr
发帖数: 2958 | 4 对了，把整个样机根据不同的开关频率再设计下。
优化开关频率也可以试试，虽然diode loss避免不了，但是开关频率低点其他的损耗可
能会
降。 |
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I***a
发帖数: 704 | 6 问题是cell library 本身就是有antenna error,
Astro place & route的过程中也没有加任何抑制antenna error的选项，
最后200多 antenna error 一部分是cell的，
一部分是Astro连线导致的，
导致最后连加反向的Diode到Gnd的空间都没有了，因为连线太密了。 |
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I***a
发帖数: 704 | 7 刚刚看了design manual:
A floating gate device is any device where the PC (poly) shape
- touches RX (diffusion) and
- is NOT electrically connected to RX
意思是说如果cell library里的所有poly 都用一个反向Diode接到地，这样就没有
floating gate了。然后再place and route，无论poly, metal1, metal2有多长都不会
有floating gate error。
是这样吗？ |
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s*****o
发帖数: 22187 | 8 这样做应该可以避免这些error。但我怀疑这是不是一个好的方法。毕竟每个cell都加
diode：1.比较费面积；2.增加了gate parasitic cap；3.增加了leakage current。你
做的是digital design吗？需要自动的place and route？我对这些就不太懂了。
RX.
， |
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c****s
发帖数: 2487 | 9 antenna diode是为了防止加工中电荷积累击穿金属线
数字线路里一般导线都不长，而且专门有工具自动控制长度 |
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gr
发帖数: 2958 | 11 对的。
你要知道用同步整流的场合和目的。
以及IGBT出现的目的，就会发现，IGBT出现是为了高压场合替代mosfet。
同步整流是MOSFET低压场合替代diode。
还差蛮远的。 |
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I***a
发帖数: 704 | 12 测试一个同步数字芯片
,某些状态下DC current超大, 10mA
是不是内部存在短路？
但是仿真没有问题
我测了ESD diodes,发现有个output pin 只有0.025V, 是不是这个pin有问题？
现在手上只有1个sample |
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c*u
发帖数: 916 | 13 取决于你的要求，市场上最大的用途可能是DVD ROM，blue-ray等，直接加恒流源，一
般足够稳定了，但是很显然和温度有关。
如果你要超稳定用来做研究测量，需要好好设计TEC，如果温度控制和恒流源做得很好
，稳定性比feedback还要好。最稳定的其实不是用Feedback实现的。 |
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c******k
发帖数: 1140 | 14 当然TEC跟恒流源都是现成的商用仪器，应该是没问题的。
我的用途就是在实验室做实验，但是需要功率输出稳定。这种二极管能做free space
source 吗？ |
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c*u
发帖数: 916 | 15 当然没问题，你所谓的free space source是什么意思？你是要做hologram么？ |
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g******u
发帖数: 3060 | 16 Think about this, it's not that easy to make one. First you need isolation,
otherwise may load each other, second you don't know what the source
frequency ranges are.
If you do know the frequency inputs, and you don't care much about loss and
distortion, it can be done with diodes, resistors and a band pass filter. |
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h*******a
发帖数: 184 | 17 check IBM document。 you may need something like ntiedown (which is
essentially a small reverse biased diode) or some other tie down devices to
get ride of these errors. |
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c****s
发帖数: 2487 | 18 好像这个工艺对gate die-down diode要求比较多啊
那你就加上呗
有的schematic的property里就有tie-down的选项
选中之后就由layout自主了，不过multi power domain的时候很危险。。。 |
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I***a
发帖数: 704 | 19 It is very easy to fix antenna errors if you are designing ANALOG circuits.
1. add diodes.
2. cut off long poly and connect them by metal and contact.
antenna errors will only reduce yield. if they are not fixed,
there is still large possibility that you can get a succeful tapeout. |
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i****e
发帖数: 170 | 20 antenna effect
1. using ntiedown (reverse biased diode)
2. try not using large metals (this large piece metal acts as antenna during
fabrication) |
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h*******y
发帖数: 896 | 21 If your background matches this position, please send me your resume
(email needed).
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Job Description: Power Electronics Engineer
Job Posting : Feb 4, 2011
Primary Location : US-AZ-Tempe (AZ34)
Job : System Architecture
Scope of Responsibilities inlcude:
* Collaborating with XXXXXX development partners in the design and
development of advanced vehicle drive, battery management and power
conversion systems.
* Designing, building, testing and validating hardware... 阅读全帖 |
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E*****a
发帖数: 757 | 22 不直观。所以sim了一下。老了
sim完之后再思考给出解答：
平衡态条件：on time charging的charge=off time discharging的charge
假设V1=supply, V2=cap voltage
1.on time: charge cap的电流是(V1-V2)/R1-V2/R2
2.off time: discharging cap的电流是V2/R2
因为是50% duty,on time 电流= off time 电流
所以(V1-V2)/R1-V2/R2=V2/R2, 解得：V2=V1/3
即电容电压稳态是1/3的电源电压。diode drop忽略。如果不忽略，就是1/3的V1-Vd |
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w********o
发帖数: 10088 | 24 恩，假设都是在ideal diode那个区间测吧。偏离1大部分时候是由space charge region的recombination引起的，neutral region的recombination得到的ideality factor还是1. 我最近的测试好像如果一边是heavy doping，增加另一边 doping有点用，不过不知道是不是process的noise引起的
理论上说SR recombination rate=1/tau*（np-ni^2）/(n+p+2ni).如果p>>n，基本上可以近似成 1/tau*(n-ni^2/p)/(1+2ni).增加n，recombination rate升高。不过前提是tau不变。如果看整个recombination，貌似还应该考虑电子通过整个space charge region的时间，这么又复杂了。 |
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H*****l
发帖数: 702 | 25 我看你是要看gummel Plot 的ib
Ib 定量看是two diode fitting 才有意义
光看n是没有任何意义的 |
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t***z
发帖数: 5112 | 26 T125的是坏掉的那个micro switch上的。
难怪贵好多呢。我最后还是从厂家买了一个T125的换上了，我刚看到你的回复，当时不
懂这指标是干什么用的，怕买了不合适就麻烦了。T85的只有8美金就能买到，T125的加
上运费花了27美金。。。唉。。。不过已经换上了就算了，下次就知道了，谢谢你！
不过waterdispenser好了又发现一个问题，water dispenser出水的时候制冰器里面也
同时出水。。。破冰箱。。。在网上搜索了半天，发现可能还需要换进水泵电线的
diode!!!晕。。。
more |
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t***z
发帖数: 5112 | 28 买了个diode,换上了，修好了！现在制冰的和water dispenser不同时出水了！！！ |
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R***n
发帖数: 733 | 29 物理科班出身, 从研究生开始就一直在做器件物理和工艺方面的研究，主要是基于新材
料，比如Organic semiconductors, carbon nanotube, graphene, DNA啥的。
器件方面，用新材料做 transistor 和 diode等，做单个器件物理性质的研究。
期间自己一个人从电路设计，到 layout 到 processes做了个遍，当然只是基本单元，
比如 inverter, OR。
拿到博士学位以后，做了一年visiting researcher, 开始搞e-beam lithography 和
mesophysics，研究10-20 nm 尺寸的器件。
现在有点厌倦做学术了，觉得这些有机的新材料都不可能取代Si的位置，向往工业界去
，有没有公司需要我这种做低层次的研究的？我这种背景靠谱吗？ |
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h*******y
发帖数: 896 | 30 我把自己这两个多月找analog电路设计的工作的经历写下来，希望对大家有
帮助。
先说说我面试的公司，我在7月初开始修改简历，然后把简历放到网上，期间收
到了这些公司的面试，AMD, NXP, Cirrus Logic, Intel, Intrinsix, Micrel,
Zarlink，3家小公司M/R/S.其中只有一个公司把我拒了，拿到了其他全部公司
的offer。另外拿到了TI和Qualcomm的on-site的面试机会，不过没时间去了，
就婉拒了。另外Atmel完成了电话面试之后说会给我消息，不过我已经没法等
了。还有一个比较奇怪的Analog Device的面试，他们没有工作位置，但是一
个部门的经理对我做的项目感兴趣，给我电话聊了一下。
下面我讲讲面试的一些经历，但愿对你们找工作有帮助和提醒。
==============================================================
NXP
- 这个工作位置是由猎头介绍的。
- 我去面试之前这个猎头发了一个面试的schedule给我，里面列出来了每个面
试官的名字，并且还有他们会问的侧... 阅读全帖 |
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h*******y
发帖数: 896 | 31 我把自己这两个多月找analog电路设计的工作的经历写下来，希望对大家有
帮助。
先说说我面试的公司，我在7月初开始修改简历，然后把简历放到网上，期间收
到了这些公司的面试，AMD, NXP, Cirrus Logic, Intel, Intrinsix, Micrel,
Zarlink，3家小公司M/R/S.其中有一个公司把我拒了，拿到了其他全部公司
的offer。另外拿到了TI和Qualcomm的on-site的面试机会，不过没时间去了，
就婉拒了。另外Atmel完成了电话面试之后说会给我消息，不过我已经没法等
了。还有一个比较奇怪的Analog Device的面试，他们没有工作位置，但是一
个部门的经理对我做的项目感兴趣，给我电话聊了一下。
下面我讲讲面试的一些经历，但愿对你们找工作有帮助和提醒。
==============================================================
NXP
- 这个工作位置是由猎头介绍的。
- 我去面试之前这个猎头发了一个面试的schedule给我，里面列出来了每个面
试官的名字，并且还有他们会问的侧重... 阅读全帖 |
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w*******p
发帖数: 253 | 32 RF EE Design Engineer:
(1) RF Front End MMIC design and layout experience: Handset GSM/EDGE &
WCDMA/LTE Power Amplifier and Front-End Module, WiFi/WiMax Power Amplifier
and Front-End Module, Low Noise Amplifier, SPXT Switches, filter & duplexer
& diplexer designs, Frequency ~ 1GHz-10GHz.
(2) Familiar with MMIC design & layout for both Wire Bond and Flip Chip
RF Front-End products, such as Power Amplifier Module or RF Front-End Module.
(3) Familiar with MMIC design and layout tools, such... 阅读全帖 |
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c********r
发帖数: 172 | 33 我在隔壁的鹊桥版征婚，今天受到21封电子邮件，却只有两封电子邮件与征婚有关。其
余都是问我--或者找工作的经验--或者看过的模拟电路的书单--或者以前的面经。求各
位别给我添乱了。我现在就把我以前看的书单和习题列出，以后有时间在把它们放到网
上：
不过现在模电设计的工作不太好找，公司都要求新手有一些具体的设计经验（流片经验
）。当然如果你特别牛（基本功特别扎实），那是例外。
书单如下：
1). The Design of Low Voltage Low Power SIgma-Delta Modulators (by Shahriar
Rabii, Bruce A. Wooley)
2). Delta-SIgma Data Converters - Theory, Design and Simulation (by Temes)
3).Voltage Reference From Diode To High-Precision High-Order Band-Gap (by
Gabriel A. Rincon-Mora)
4).Switching Capacitor Technique... 阅读全帖 |
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g****t
发帖数: 31659 | 34 谁叫你是传说中的面霸呢......
你鹊桥的帖是第几个,我去看看?
我在隔壁的鹊桥版征婚，今天受到21封电子邮件，却只有两封电子邮件与征婚有关。其
余都是问我--或者找工作的经验--或者看过的模拟电路的书单--或者以前的面经。求各
位别给我添乱了。我现在就把我以前看的书单和习题列出，以后有时间在把它们放到网
上：
不过现在模电设计的工作不太好找，公司都要求新手有一些具体的设计经验（流片经验
）。当然如果你特别牛（基本功特别扎实），那是例外。
书单如下：
1). The Design of Low Voltage Low Power SIgma-Delta Modulators (by Shahriar
Rabii, Bruce A. Wooley)
2). Delta-SIgma Data Converters - Theory, Design and Simulation (by Temes)
3).Voltage Reference From Diode To High-Precision High-Order Band-Gap (by
Gabriel A. Rincon-Mor... 阅读全帖 |
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e****n
发帖数: 4054 | 35 问个问题：how to assign lumped RLC to a surface.读了半天帮助，玩不转。
说得更清楚一点，HFSS 不能simulate active device,所以需要给diode的地方加个
lumped cap.以前都是引出port在电路上加，现在结构复杂，port不好引出，所以希望
如此来定义边界条件。
万分感谢！ |
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s***d
发帖数: 15421 | 36 一下是spice model，网上找了很多导入BJT Diode的，就是没找到cmos的，求大大们赐教
.MODEL MN NMOS
LEVEL=2
VTO=0.3V
LD=0.04U
UO=210
TOX=4E-09
+CGSO=230P CGDO=230P TPG=1 NSUB=3.7E17 MJ=0.4 CJ=1030U
+CJSW=130P MJSW=0.3 XJ=0.1U GAMMA=0.4 PHI=0.6 LAMBDA=0.2 |
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H***F
发帖数: 2501 | 37 1, create symbol .sym file for mos
2, creat model .sub file
3, in the schematic, place the symbol and use .inc command to include the .
sub file
4, done
一下是spice model，网上找了很多导入BJT Diode的，就是没找到cmos的，求大大们赐教
.MODEL MN NMOS
LEVEL=2
VTO=0.3V
LD=0.04U
UO=210
TOX=4E-09
+CGSO=230P CGDO=230P TPG=1 NSUB=3.7E17 MJ=0.4 CJ=1030U
+CJSW=130P MJSW=0.3 XJ=0.1U GAMMA=0.4 PHI=0.6 LAMBDA=0.2 |
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g******u
发帖数: 3060 | 38 不加M2直接加个blocking diode不成么？还是压降会影响？ |
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c********r
发帖数: 172 | 39 加了blocking diode，那么在正常情况下就不能drive M4了。 |
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s*****6
发帖数: 2379 | 40 用EBIC观察Schottky Diode中的缺陷，需要外加DC bias，有人知道怎么接线吗？
谢谢了。 |
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M*******c
发帖数: 4371 | 43 This requirement is relative easy to achieve.
Depends upon the volume, you might design your own. |
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M*******c
发帖数: 4371 | 44 Check out the LTC buck controller. They released one for this kind of
application. |
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B*G
发帖数: 13438 | 45 we had good experiences with direct energy (IXYS) and Lumina drivers. Direct
Energy has 60A 20V module but they might not be in stock. |
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g*********n
发帖数: 108 | 46 各位师兄师姐好，
小弟今年毕业， 做的事 光学方向，找到了一些还算match的职位post在 intel 和3m网
站上， 想求内推，然后申请。
optical design, Optical fiber, fiber optic sensor design and simulation,
photodetector, laser diode, chromatography system design and testing, thin
film deposition, scanning electron microscope, optical microscopy analysis,
如果有能够帮助小弟的，请 站内信，
万分感激， |
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y******9
发帖数: 606 | 47 Vdi?是什么，不会是virginia diode吧
★ 发自iPhone App: ChineseWeb 7.8 |
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y******9
发帖数: 606 | 48 如果你说的VD Inc是我知道的VIRGINIA DIODE INC的话，这个公司不大啊
里面的人我基本上全认识 |
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g*********n
发帖数: 808 | 49 GaAs vs. Si from wikipedia
Comparison with silicon
GaAs advantages
Some electronic properties of gallium arsenide are superior to those of
silicon. It has a higher saturated electron velocity and higher electron
mobility, allowing gallium arsenide transistors to function at frequencies
in excess of 250 GHz. Unlike silicon junctions, GaAs devices are relatively
insensitive to heat owing to their wider bandgap. Also, GaAs devices tend to
have less noise than silicon devices, especially at high fre... 阅读全帖 |
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a*******d
发帖数: 128 | 50 就是生意不好，cut cost，上个季度的10Q是这么说的：
On October 28, 2013, the Company announced various cost reduction programs
as part of its continuous efforts to improve efficiency and operating
performance.
The programs primarily focus on a plan to enhance the competitiveness of its
MOSFETs segment and a voluntary separation / early retirement offer to
certain employees Company-wide. The Company also plans to implement two
other smaller cost reduction programs concerning the manufacturing of
products within its D... 阅读全帖 |
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